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公开(公告)号：CN110391288B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910265144.2
申请日：2019-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： J.A.基特尔 , B.J.奥布拉多维克 , R.M.哈彻 , T.拉克什特
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括沟道、栅极以及在沟道和栅极之间的多层栅极绝缘体结构。所述多层栅极绝缘体结构包括至少一个铁电层和至少一个介电层。所述至少一个铁电层和所述至少一个介电层共享至少一个界面并具有强极化耦合。
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公开(公告)号：CN111081776A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910993036.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊顾 , B.J.奥布拉多维克 , 徐康一 , M.S.罗德
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反侧上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反侧上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少一部分以暴露鳍的延伸部分、以及使鳍的延伸部分变薄。在鳍的延伸部分变薄之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN110391239B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201910170977.0
申请日：2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： T.拉克什特 , B.J.奥布拉多维克 , J.A.基特尔 , R.M.哈彻
Abstract: 描述了一种存储器单元和利用该存储器单元的方法。存储器单元包括至少一个铁电晶体管(FE晶体管)和与FE晶体管耦合的至少一个选择晶体管。FE晶体管包括用于存储数据的铁电电容器和晶体管。铁电电容器包括(多个)铁电材料。在一些方面，存储器单元由FE晶体管和选择晶体管组成。在一些方面，FE晶体管的晶体管包括源极、漏极和与铁电电容器耦合的栅极。在这方面，选择晶体管包括选择晶体管源极、选择晶体管漏极和选择晶体管栅极。在这方面，存储器单元的编程端口是选择晶体管源极或选择晶体管漏极。选择晶体管源极和漏极中的另一个耦合到铁电电容器。
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公开(公告)号：CN109284816A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810808895.X
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： R.M.哈彻 , B.J.奥布拉多维克 , J.A.基特尔 , T.雷克希特
Abstract: 一种用于通过编程在神经网络中提供可变精度的神经形态学结构。逻辑突触前神经元形成为物理突触前人工神经元的可配置集合，逻辑突触后神经元形成为物理突触后人工神经元的可配置集合，并且逻辑突触前神经元通过逻辑突触连接至逻辑突触后神经元，每个逻辑突触包括物理人工突触的集合。逻辑突触的权重的精度可以通过改变每个逻辑突触前神经元中的物理突触前人工神经元的数量和/或通过改变每个逻辑突触后神经元中的物理突触后人工神经元的数量而被改变。
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公开(公告)号：CN110391288A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910265144.2
申请日：2019-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： J.A.基特尔 , B.J.奥布拉多维克 , R.M.哈彻 , T.拉克什特
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括沟道、栅极以及在沟道和栅极之间的多层栅极绝缘体结构。所述多层栅极绝缘体结构包括至少一个铁电层和至少一个介电层。所述至少一个铁电层和所述至少一个介电层共享至少一个界面并具有强极化耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104517857B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201410505130.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： B.J.奥布拉多维克 , R.C.鲍恩 , M.S.罗德
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了包括鳍形场效应晶体管(finFET)的集成电路器件及其形成方法。该方法可以包括：在基板上形成包括锗的鳍形沟道区；以及在基板上形成邻近沟道区的源/漏区域。该方法还可以包括形成接触沟道区的侧壁和源/漏区域的侧壁的阻挡层，阻挡层可以包括SixGe1‑x，并且x可以在约0.05至约0.2的范围内。
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公开(公告)号：CN104517857A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410505130.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： B.J.奥布拉多维克 , R.C.鲍恩 , M.S.罗德
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/3086 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了包括鳍形场效应晶体管(finFET)的集成电路器件及其形成方法。该方法可以包括：在基板上形成包括锗的鳍形沟道区；以及在基板上形成邻近沟道区的源/漏区域。该方法还可以包括形成接触沟道区的侧壁和源/漏区域的侧壁的阻挡层，阻挡层可以包括SixGe1-x，并且x可以在约0.05至约0.2的范围内。
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公开(公告)号：CN104347714A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410369450.8
申请日：2014-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： B.J.奥布拉多维克 , M.S.罗德 , J.A.基特尔 , R.C.鲍恩 , R.M.哈彻
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L29/785
Abstract: 一种鳍型场效应晶体管(finFET)装置可以包括具有最佳深度的源/漏极接触凹陷，超过该最佳深度则在通过增大的深度提供的凹陷中的源/漏极接触的水平部分的扩展电阻值增加的减小量可以小于由于在增大的深度下源/漏极接触的垂直部分增大导致的总电阻增加的增大量。
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公开(公告)号：CN111081776B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201910993036.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊顾 , B.J.奥布拉多维克 , 徐康一 , M.S.罗德
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反侧上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反侧上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少一部分以暴露鳍的延伸部分、以及使鳍的延伸部分变薄。在鳍的延伸部分变薄之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN110391239A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910170977.0
申请日：2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： T.拉克什特 , B.J.奥布拉多维克 , J.A.基特尔 , R.M.哈彻
IPC: H01L27/11507 , G11C11/22
Abstract: 描述了一种存储器单元和利用该存储器单元的方法。存储器单元包括至少一个铁电晶体管(FE晶体管)和与FE晶体管耦合的至少一个选择晶体管。FE晶体管包括用于存储数据的铁电电容器和晶体管。铁电电容器包括(多个)铁电材料。在一些方面，存储器单元由FE晶体管和选择晶体管组成。在一些方面，FE晶体管的晶体管包括源极、漏极和与铁电电容器耦合的栅极。在这方面，选择晶体管包括选择晶体管源极、选择晶体管漏极和选择晶体管栅极。在这方面，存储器单元的编程端口是选择晶体管源极或选择晶体管漏极。选择晶体管源极和漏极中的另一个耦合到铁电电容器。
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