公开(公告)号：CN107180792B

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN201710123958.3

申请日：2017-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·凯特尔 ,  洪俊顾 ,  马克·S·罗德尔 ,  达尔门达·雷迪·帕勒

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种半导体装置及形成半导体装置的方法。半导体装置的n沟道组件包括第一水平纳米片(hNS)堆叠件，p沟道组件包括第二hNS堆叠件。第一hNS堆叠件包括具有多个第一牺牲层和至少一个第一沟道层的第一栅极结构。第一内部间隔件设置在至少一个第一牺牲层和第一源极/漏极结构之间，其中，第一内部间隔件具有第一长度。第二hNS堆叠件包括具有多个第二牺牲层和至少一个第二沟道层的第二栅极结构。第二内部间隔件设置在至少一个第二牺牲层与第二源极/漏极结构之间，其中，第二内部间隔件具有比第一长度大的第二长度。

公开(公告)号：CN105280502A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510431098.0

申请日：2015-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  罗伯特·C·鲍恩 ,  达尔门达·雷迪·帕勒 ,  马克·S·勒德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管，其包括具有堆叠半导体的第一沟道层和堆叠半导体的第二沟道层的纳米片材堆叠件。第一沟道层限定了隧道场效应晶体管的沟道区，并且第二沟道层限定了热电子场效应晶体管的沟道区。源极区和漏极区设置在纳米片材堆叠件的相对两侧上，以使得第一沟道层和第二沟道层在它们之间延伸。源极区的第一部分邻近第一沟道层，源极区的第二部分邻近具有相反半导体导电类型的第二沟道层。本发明还讨论了相关的制造和操作方法。

公开(公告)号：CN107424929B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201710346507.6

申请日：2017-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  达尔门达·雷迪·帕勒 ,  洪俊顾

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  B82Y10/00

Abstract: 提供了一种形成用于半导体器件的纳米片堆叠件的方法，所述方法包括：在底层上形成多个牺牲层和至少一个沟道层的堆叠件，其中，牺牲层与底层接触，每个沟道层与牺牲层中的至少一个接触，牺牲层由SiGe形成，所述至少一个沟道层由Si形成；在所述堆叠件中形成至少一个源极/漏极沟槽区域以暴露SiGe牺牲层的表面和所述至少一个Si沟道层的表面；在湿氧或者臭氧和UV的环境中氧化SiGe牺牲层的暴露的表面和所述至少一个Si层的暴露的表面。

公开(公告)号：CN107424929A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710346507.6

申请日：2017-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  马克·S·罗德尔 ,  博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  达尔门达·雷迪·帕勒 ,  洪俊顾

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/66553 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/165 ,  H01L29/775

Abstract: 提供了一种形成用于半导体器件的纳米片堆叠件的方法，所述方法包括：在底层上形成多个牺牲层和至少一个沟道层的堆叠件，其中，牺牲层与底层接触，每个沟道层与牺牲层中的至少一个接触，牺牲层由SiGe形成，所述至少一个沟道层由Si形成；在所述堆叠件中形成至少一个源极/漏极沟槽区域以暴露SiGe牺牲层的表面和所述至少一个Si沟道层的表面；在湿氧或者臭氧和UV的环境中氧化SiGe牺牲层的暴露的表面和所述至少一个Si层的暴露的表面。

公开(公告)号：CN105280502B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201510431098.0

申请日：2015-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  罗伯特·C·鲍恩 ,  达尔门达·雷迪·帕勒 ,  马克·S·勒德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管，其包括具有堆叠半导体的第一沟道层和堆叠半导体的第二沟道层的纳米片材堆叠件。第一沟道层限定了隧道场效应晶体管的沟道区，并且第二沟道层限定了热电子场效应晶体管的沟道区。源极区和漏极区设置在纳米片材堆叠件的相对两侧上，以使得第一沟道层和第二沟道层在它们之间延伸。源极区的第一部分邻近第一沟道层，源极区的第二部分邻近具有相反半导体导电类型的第二沟道层。本发明还讨论了相关的制造和操作方法。

公开(公告)号：CN107180792A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710123958.3

申请日：2017-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·凯特尔 ,  洪俊顾 ,  马克·S·罗德尔 ,  达尔门达·雷迪·帕勒

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649

Abstract: 公开了一种半导体装置及形成半导体装置的方法。半导体装置的n沟道组件包括第一水平纳米片(hNS)堆叠件，p沟道组件包括第二hNS堆叠件。第一hNS堆叠件包括具有多个第一牺牲层和至少一个第一沟道层的第一栅极结构。第一内部间隔件设置在至少一个第一牺牲层和第一源极/漏极结构之间，其中，第一内部间隔件具有第一长度。第二hNS堆叠件包括具有多个第二牺牲层和至少一个第二沟道层的第二栅极结构。第二内部间隔件设置在至少一个第二牺牲层与第二源极/漏极结构之间，其中，第二内部间隔件具有比第一长度大的第二长度。