公开(公告)号：CN111640462A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010091338.8

申请日：2020-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 莱恩·M·海雀 ,  提塔许·瑞许特 ,  乔治·凯特尔 ,  雷维基·森古普塔 ,  达尔门达·帕勒 ,  洪俊顾

IPC: G11C13/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开一种权重单元和存储器装置。权重单元包含：第一场效应晶体管和连接到第一场效应晶体管的漏极的第一电阻式存储器元件；第二场效应晶体管和连接到第二场效应晶体管的漏极的第二电阻式存储器元件，第一场效应晶体管的漏极连接到第二场效应晶体管的栅极，且第二场效应晶体管的漏极连接到第一场效应晶体管的栅极；第三场效应晶体管和连接到第三场效应晶体管的漏极的第三电阻式存储器元件；以及第四场效应晶体管和连接到第四场效应晶体管的漏极的第四电阻式存储器元件，第三场效应晶体管的漏极连接到第四场效应晶体管的栅极，且第四场效应晶体管的漏极连接到第三场效应晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN111580783A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010091274.1

申请日：2020-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 莱恩·M·海雀 ,  提塔许·瑞许特 ,  乔治·凯特尔 ,  雷维基·森古普塔 ,  达尔门达·帕勒 ,  洪俊顾

IPC: G06F7/523 ,  G11C11/16 ,  G11C11/22 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开一种权重单元和电子装置。权重单元包含：第一场效应晶体管(FET)和第一电阻式存储器元件，第一电阻式存储器元件连接到第一场效应晶体管的漏极；以及第二场效应晶体管和第二电阻式存储器元件，第二电阻式存储器元件连接到第二场效应晶体管的漏极。第一场效应晶体管的漏极连接到第二场效应晶体管的栅极，且第二场效应晶体管的漏极连接到第一场效应晶体管的栅极。