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公开(公告)号：CN109817255B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201811376292.3
申请日：2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 莱恩·M·海雀 , 博尔纳·J·奧布拉多维奇 , 乔治·A·凯特尔 , 提塔许·瑞许特
Abstract: 一种权重单元包括第一双向存储元件及第二双向存储元件，所述第一双向存储元件及所述第二双向存储元件各自被配置成在第一电阻状态与和第一电阻状态不同的第二电阻状态之间切换。第一输入线连接到第一双向存储元件的第一端子，且第二输入线连接到第二双向存储元件的第一端子。正向偏置的第一二极管将第一双向存储元件的第二端子连接到第一输出线，反向偏置的第二二极管将第二双向存储元件的第二端子连接到第二输出线，反向偏置的第三二极管将第一双向存储元件的第二端子连接到第二输出线，且正向偏置的第四二极管将第二双向存储元件的第二端子连接到第一输出线。也提供一种集成电路和一种执行乘法及累加运算的方法。
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公开(公告)号：CN111446080B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010049595.5
申请日：2020-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G7/06 , H01L29/78 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种电路元件以及复合场效应晶体管。在一些实施例中，电路元件包含第一端子、第二端子以及层状结构。层状结构可包含连接到第一端子的第一导电层、位于第一导电层上的第一压电层、位于第一压电层上的第二压电层以及连接到第二端子的第二导电层。第一压电层可具有第一压电张量和第一电容率张量，且第二压电层可具有第二压电张量和第二电容率张量，第二压电张量和第二电容率张量中的一个或两个分别地不同于第一压电张量和第一电容率张量。
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公开(公告)号：CN111580783A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010091274.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种权重单元和电子装置。权重单元包含：第一场效应晶体管(FET)和第一电阻式存储器元件，第一电阻式存储器元件连接到第一场效应晶体管的漏极；以及第二场效应晶体管和第二电阻式存储器元件，第二电阻式存储器元件连接到第二场效应晶体管的漏极。第一场效应晶体管的漏极连接到第二场效应晶体管的栅极，且第二场效应晶体管的漏极连接到第一场效应晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN111640462A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010091338.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种权重单元和存储器装置。权重单元包含：第一场效应晶体管和连接到第一场效应晶体管的漏极的第一电阻式存储器元件；第二场效应晶体管和连接到第二场效应晶体管的漏极的第二电阻式存储器元件，第一场效应晶体管的漏极连接到第二场效应晶体管的栅极，且第二场效应晶体管的漏极连接到第一场效应晶体管的栅极；第三场效应晶体管和连接到第三场效应晶体管的漏极的第三电阻式存储器元件；以及第四场效应晶体管和连接到第四场效应晶体管的漏极的第四电阻式存储器元件，第三场效应晶体管的漏极连接到第四场效应晶体管的栅极，且第四场效应晶体管的漏极连接到第三场效应晶体管的栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109214510A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810728290.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 玻那·乔斯·哦拉都比 , 洪俊顾 , 雷维基·森古普塔 , 提塔许·瑞许特 , 乔治·亚德里安·凯特尔 , 麦克·史帝芬·罗德尔 , 莱恩·麦可·海雀
IPC: G06N3/063
CPC classification number: G06N3/063 , H01L29/40111 , H01L29/42392 , H01L29/78391 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种神经形态多位式数字权重单元，被配置成存储人工神经网络中的神经元的一系列潜在权重。所述神经形态多位式数字权重单元包括并联单元，所述并联单元包括一系列无源电阻器以及一系列门控晶体管，所述一系列无源电阻器是并联的。所述一系列门控晶体管中的每一个门控晶体管与所述一系列无源电阻器中的一个无源电阻器串联。所述神经形态多位式数字权重单元还包括：一系列编程输入线，所述一系列编程输入线连接到所述一系列门控晶体管；输入端子，连接到所述并联单元；以及输出端子，连接到所述并联单元。如此可使得准确性更好且与具有权重的不均匀分布的神经形态多位式数字权重单元相比为实现相同的准确性所需的神经元数目更少。
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公开(公告)号：CN111446080A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010049595.5
申请日：2020-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G7/06 , H01L29/78 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种电路元件以及复合场效应晶体管。在一些实施例中，电路元件包含第一端子、第二端子以及层状结构。层状结构可包含连接到第一端子的第一导电层、位于第一导电层上的第一压电层、位于第一压电层上的第二压电层以及连接到第二端子的第二导电层。第一压电层可具有第一压电张量和第一电容率张量，且第二压电层可具有第二压电张量和第二电容率张量，第二压电张量和第二电容率张量中的一个或两个分别地不同于第一压电张量和第一电容率张量。
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公开(公告)号：CN111445004A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010048497.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 提塔许·瑞许特 , 莱恩·M·海雀 , 乔治·A·凯特尔 , 博尔纳·J·奥布拉多维奇 , 恩金·伊佩克
Abstract: 一种在包括一系列集群的电路中存储用于被训练的人工神经网络的稀疏权重矩阵的方法。所述方法包括将稀疏权重矩阵分割成至少一个第一子区块及至少一个第二子区块。所述第一子区块仅包括零值权重且所述第二子区块包括非零值权重。所述方法还包括将所述至少一个第二子区块中的非零值权重指派给电路的所述一系列集群中的至少一个集群。所述电路被配置成在利用人工神经网络进行的推断过程期间执行所述至少一个第二子区块的非零值权重与输入向量之间的矩阵-向量乘法(MVM)。对所包含的所有元素均为零元素的子区块进行电力门控，从而降低用于推断的总能量消耗。也提供一种推断系统和一种计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN109214510B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201810728290.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 玻那·乔斯·哦拉都比 , 洪俊顾 , 雷维基·森古普塔 , 提塔许·瑞许特 , 乔治·亚德里安·凯特尔 , 麦克·史帝芬·罗德尔 , 莱恩·麦可·海雀
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提供一种神经形态多位式数字权重单元，被配置成存储人工神经网络中的神经元的一系列潜在权重。所述神经形态多位式数字权重单元包括并联单元，所述并联单元包括一系列无源电阻器以及一系列门控晶体管，所述一系列无源电阻器是并联的。所述一系列门控晶体管中的每一个门控晶体管与所述一系列无源电阻器中的一个无源电阻器串联。所述神经形态多位式数字权重单元还包括：一系列编程输入线，所述一系列编程输入线连接到所述一系列门控晶体管；输入端子，连接到所述并联单元；以及输出端子，连接到所述并联单元。如此可使得准确性更好且与具有权重的不均匀分布的神经形态多位式数字权重单元相比为实现相同的准确性所需的神经元数目更少。
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公开(公告)号：CN109493900B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201811051273.3
申请日：2018-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 提塔许·瑞许特 , 博尔纳·J·奧布拉多维奇 , 莱恩·M·海雀 , 迪恩特·阿帕科夫 , 费拉德米尔·尼基丁
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4094
Abstract: 本发明阐述一种存储器装置、用于提供所述存储器装置的方法以及三维可堆叠存储器装置。所述存储器装置包括字线、第一多条位线、第二多条位线以及无选择器存储单元。每一个无选择器存储单元与字线、所述第一多条位线中的第一位线及所述第二多条位线中的第二位线进行耦合。所述无选择器存储单元包括第一磁性结及第二磁性结。所述第一磁性结及所述第二磁性结各自能够利用自旋轨道相互作用力矩进行编程。所述字线耦合在所述第一磁性结与所述第二磁性结之间。所述第一位线及所述第二位线分别与所述第一磁性结及所述第二磁性结进行耦合。所述无选择器存储单元被选择用于基于所述字线中、所述第一位线中及所述第二位线中的电压进行写入操作。
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