-
公开(公告)号：CN113284888A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110191330.3
申请日：2021-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 本公开提供了半导体单元块和计算机实现方法。该半导体单元块包括布置成堆叠的一系列层。所述层包括每个具有第一高度的一个或更多个第一层以及每个具有第二高度的一个或更多个第二层。第二高度大于第一高度，并且第二高度是第一高度的非整数倍。半导体单元块还包括在该系列层之一中的具有第一单元高度的第一半导体逻辑单元以及在该系列层之一中的具有第二单元高度的第二半导体逻辑单元。第二单元高度大于第一单元高度，并且第二单元高度是第一单元高度的非整数倍。
-
公开(公告)号：CN104517857B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201410505130.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： B.J.奥布拉多维克 , R.C.鲍恩 , M.S.罗德
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了包括鳍形场效应晶体管(finFET)的集成电路器件及其形成方法。该方法可以包括：在基板上形成包括锗的鳍形沟道区；以及在基板上形成邻近沟道区的源/漏区域。该方法还可以包括形成接触沟道区的侧壁和源/漏区域的侧壁的阻挡层，阻挡层可以包括SixGe1‑x，并且x可以在约0.05至约0.2的范围内。
-
公开(公告)号：CN104517857A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410505130.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： B.J.奥布拉多维克 , R.C.鲍恩 , M.S.罗德
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/3086 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了包括鳍形场效应晶体管(finFET)的集成电路器件及其形成方法。该方法可以包括：在基板上形成包括锗的鳍形沟道区；以及在基板上形成邻近沟道区的源/漏区域。该方法还可以包括形成接触沟道区的侧壁和源/漏区域的侧壁的阻挡层，阻挡层可以包括SixGe1-x，并且x可以在约0.05至约0.2的范围内。
-
公开(公告)号：CN104347714A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410369450.8
申请日：2014-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： B.J.奥布拉多维克 , M.S.罗德 , J.A.基特尔 , R.C.鲍恩 , R.M.哈彻
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L29/785
Abstract: 一种鳍型场效应晶体管(finFET)装置可以包括具有最佳深度的源/漏极接触凹陷，超过该最佳深度则在通过增大的深度提供的凹陷中的源/漏极接触的水平部分的扩展电阻值增加的减小量可以小于由于在增大的深度下源/漏极接触的垂直部分增大导致的总电阻增加的增大量。
-
公开(公告)号：CN111081776B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201910993036.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪俊顾 , B.J.奥布拉多维克 , 徐康一 , M.S.罗德
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反侧上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反侧上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少一部分以暴露鳍的延伸部分、以及使鳍的延伸部分变薄。在鳍的延伸部分变薄之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有小于第一宽度的第二宽度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105185712B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201510220856.4
申请日：2015-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： B.J.奥布雷多维克 , R.C.鲍恩 , M.S.罗德
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明涉及包括鳍式场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法。提供形成鳍式FET的方法。所述方法可包括：在基底上形成包括铟(In)的鳍状沟道区，在所述基底上形成邻近于所述沟道区的深源/漏区，以及在所述沟道区和所述深源/漏区之间形成源/漏延伸区。所述源/漏延伸区的相反的侧壁可分别接触所述沟道区和所述深源/漏区，和所述源/漏延伸区可包括InyGa1‑yAs，和y在约0.3‑约0.5的范围内。
-
公开(公告)号：CN104347714B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201410369450.8
申请日：2014-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： B.J.奥布拉多维克 , M.S.罗德 , J.A.基特尔 , R.C.鲍恩 , R.M.哈彻
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种鳍型场效应晶体管(finFET)装置可以包括具有最佳深度的源/漏极接触凹陷，超过该最佳深度则在通过增大的深度提供的凹陷中的源/漏极接触的水平部分的扩展电阻值增加的减小量可以小于由于在增大的深度下源/漏极接触的垂直部分增大导致的总电阻增加的增大量。
-
公开(公告)号：CN109712935B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201811228091.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 王维一 , M.S.罗德 , B.J.奥布拉多维奇 , 洪俊顾
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/336
Abstract: 描述了一种用于提供半导体器件的方法和如此形成的器件。掺杂的半导体层沉积在半导体底层上。半导体底层的至少一部分被暴露。用于掺杂的半导体层的掺杂剂选自p型掺杂剂和n型掺杂剂。掺杂的半导体层的紫外辅助低温(UVLT)退火在一气氛中进行。该气氛选自氧化气氛和氮化气氛。氧化气氛用于n型掺杂剂。氮化气氛用于p型掺杂剂。在UVLT退火期间，牺牲层通过掺杂的半导体层形成。掺杂剂通过UVLT退火从掺杂的半导体层驱入半导体底层的所述部分中，从而形成掺杂的半导体底层。然后去除牺牲层。
-
公开(公告)号：CN111106091A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910987642.8
申请日：2019-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及制造其的方法。在制造半导体器件的方法中，该方法包括：在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘层；形成穿过绝缘层的通路以暴露第一导电层；在通路的底部上形成自组装单层(SAM)；在通路的侧壁处形成阻挡层；去除通路的底部上的SAM；以及在阻挡层和通路的底部上形成第二导电层，使得第一导电层电连接到第二导电层而在通路的底部处在第一导电层和第二导电层之间没有阻挡层。
-
公开(公告)号：CN109712935A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811228091.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 王维一 , M.S.罗德 , B.J.奥布拉多维奇 , 洪俊顾
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/336
Abstract: 描述了一种用于提供半导体器件的方法和如此形成的器件。掺杂的半导体层沉积在半导体底层上。半导体底层的至少一部分被暴露。用于掺杂的半导体层的掺杂剂选自p型掺杂剂和n型掺杂剂。掺杂的半导体层的紫外辅助低温(UVLT)退火在一气氛中进行。该气氛选自氧化气氛和氮化气氛。氧化气氛用于n型掺杂剂。氮化气氛用于p型掺杂剂。在UVLT退火期间，牺牲层通过掺杂的半导体层形成。掺杂剂通过UVLT退火从掺杂的半导体层驱入半导体底层的所述部分中，从而形成掺杂的半导体底层。然后去除牺牲层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.018 seconds)
