公开(公告)号：CN101826595A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910046977.6

申请日：2009-03-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  周鹏 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种WOx基电阻型存储器及其制备方法，该WOx基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是通过对覆盖在钨下电极上的WSi化合物层氧化处理形成，其中，1＜x≤3。该发明提供的电阻型存储器能提高工艺可控性和器件可靠性，同时具有相对低功耗、数据保持特性好的特点。

公开(公告)号：CN101145598B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200710045405.7

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  唐立

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用，去除表面CuO层，或增加其导电性，从而降低第一次写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏，提高器件的疲劳特性。

公开(公告)号：CN101763891A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810207691.7

申请日：2008-12-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  徐乐 ,  张佶 ,  金钢

IPC: G11C11/56

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种高可靠性、高密度相变存储器单元及其存储操作方法，由两个相变存储单元和两个选通三极管来构成一个存储单元。两个相变存储单元和两个选通三极管共用同一条字线，而与不同的位线相连。其优点在于：在没有造成阵列面积上的牺牲的情况下，可以达到1T1R四态多值的存储密度，并且大大的改善了工艺波动对数据读出的影响，几乎没有误读出的危险。

公开(公告)号：CN101042933B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710039404.1

申请日：2007-04-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  李莹 ,  傅秀峰

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/41

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种采用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用。该非挥发SRAM以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储介质，由一个传统的六管SRAM、一个存储电阻以及一个参考电阻构成；存储电阻的下电极与SRAM的一个上拉pmos管的源端耦连，上电极与电源线耦连；由一mmos选通管与存储电阻串联，该选通管栅极与该上拉pmos管栅极耦连，漏端与存储电阻的下电极耦连，源端引入一个用于对存储电阻进行操作的信号。本发明可实现存储信息的非挥发。上述非挥发SRAM可作为编程单元应用于非挥发现场可编程门阵列中。

公开(公告)号：CN1725369B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510026409.1

申请日：2005-06-02

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 林殷茵 ,  洪洋 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: G11C11/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为存储器中实现多态存储的一种独特的存储方式及其相关电路。这种独特的多态存储方式，基于一种特定的元器件。该器件具有编写为多种电阻值(或电荷值等)的能力，例如：相变存储器中的相变电阻，以及铁电存储器中的金属-铁电-绝缘体-半导体结构等。而实现这种存储方式时，存储器使用的单元电路也具有特定的结构要求。在这种结构下实现的独特多态存储方式，兼有抗干扰能力强和存储密度高的优点。

公开(公告)号：CN100573724C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510026410.4

申请日：2005-06-02

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 林殷茵 ,  洪洋 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: G11C29/00 ,  G11C11/34

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种硬件与软件相结合的错误监测和纠错方法。这种方法基于如下特定的存储结构：存储单元中具有至少两个信息存储器件(如：2个存储电荷以表征信息状态的电容、2个以不同电阻值表征信息状态的电阻、2个以阈值电压不同来表征信息状态的晶体管等等)；每个信息存储器件具有存储n(n为自然数且n＞2)态信息的能力；这2个信息存储器件可各自进行独立编写与读出操作。在这种特定的存储结构下，使用本发明的软硬件结合的监错纠错技术，可以大大简化软件纠错部分的复杂度，同时相对于传统方法的双错误检测，本发明的应用将实现全部错误检测，从而提高电路正常工作的可靠性。

公开(公告)号：CN101409104A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810040932.3

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  吴雨欣 ,  廖启宏 ,  胡倍源 ,  徐乐

IPC: G11C11/00

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第一选通器件和一个相变存储电阻组成，动态存储单元由第二选通器件和一个存储电容组成，相变存储单元和动态存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的字线相连，相变存储单元和动态存储单元共用同一根位线。其优点在于既利用了动态存储器功耗低，速度快的优点，又实现了不挥发存储。

公开(公告)号：CN101393768A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810201661.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  万海军 ,  尹明 ,  周鹏 ,  宋雅丽

IPC: G11C11/21 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明涉及一种电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，包括步骤：(1)在电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的电信号；(2)保持所述电信号偏置；(3)该电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换后，取消所述电信号偏置。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。

公开(公告)号：CN101345288A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810042507.8

申请日：2008-09-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  宋雅丽

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供的一种CuxO电阻存储器的制备方法，属于存储器技术领域，所述CuxO电阻存储器的制备方法包括通过活性气体对所述CuxO电阻存储薄膜进行表面改性处理的特征步骤。通过对CuxO薄膜的表面改性处理，改变表面缺陷分布，使CuxO电阻存储器件具有稳定的操作电压、提高存储性能。本发明方法可与现有集成电路工艺兼容，成本低。

公开(公告)号：CN101286356A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810038218.0

申请日：2008-05-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵长虹 ,  林殷茵

IPC: G11C7/02 ,  G11C7/04 ,  G11C29/12

Abstract: 本发明属于超大规模数字集成电路技术领域，具体为一种新型不可挥发存储器的工艺波动性控制方法，该方法将新型不可挥发存储器的工艺波动性控制与其测试相结合，利用测试过程对存储阵列的读写和相应的控制电路实现对新型不可挥发存储器的工艺波动性控制。与现有的工艺波动性控制方法相比，本发明的优点在于在实现对工艺波动性控制的同时，不增加存储器芯片的面积，从而不增加生产成本。