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公开(公告)号：CN103219369A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310098550.7
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制造高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103199162A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310133708.X
申请日：2013-04-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明属于发光器件技术领域，具体为一种采用氧化锌调制阳极氧化铝光致发光谱器件及其制备方法。该器件主要由阳极氧化铝和氧化锌相接触，表现出极强的光致发光光谱可调现象。这一结构解决了氧化锌性质不稳定的缺点，并结合了阳极氧化铝多孔结构具有极高的表面积体积比的优势。该器件具有成本低廉，步骤简单，性能稳定的特点。本发明还提出阳极氧化铝从铝薄膜上生长出来，并且可以将铝薄膜和各种半导体工业中的新型高迁移率衬底材料相结合的方法，极大的拓宽了本发明的应用范围。
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公开(公告)号：CN103151302A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310059371.2
申请日：2013-02-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于集成电路工艺领域，具体涉及一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法。由于α-Ta更容易生长于氮含量丰富的氮化钽层之上，通过用含氮的等离子体对氮化钽层进行处理，可以显著得提升氮化钽层中的氮含量，从而可以在氮化钽层较薄的情况下生长得到低电阻率的α-Ta，以达到制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的目的。相比于传统的通过调整氮化钽生长过程中的工艺参数来调整氮化钽层中的氮含量，本发明所提出的通过用含氮的等离子体对氮化钽层进行处理来提升氮化钽层中的氮含量的整个过程更易操作也更容易控制。
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公开(公告)号：CN102244102B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110177163.3
申请日：2011-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：半导体衬底，所述半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述金属层、隧穿绝缘体层与所述半导体衬底构成一个MIS结构；还包括一栅绝缘体层和栅绝缘体层之上围绕所述MIS结构一周的栅极。本发明采用平台工艺制作了基于量子隧穿效应的栅控金属-绝缘体器件，采用围栅型栅极对器件进行控制，增强了栅极的控制能力，同时，通过对围栅型栅控金属-绝缘体器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，将漏电流减小到远远小于普通二极管的程度，降低了芯片功耗。
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公开(公告)号：CN103035533A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210537421.9
申请日：2012-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/203 , H01L21/324 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；去除半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成超浅结半导体场效应晶体管。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并进行加热退火，同步形成超浅结和超薄金属硅化物，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000674A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210544375.5
申请日：2012-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/43 , H01L21/28
Abstract: 晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(fT)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著减少寄生电容、提高最高振荡频率(fmax)。这样可以显著提高晶体管的频率特性。这种倒置的异质结结构，可以采用ALE工艺通过在预先形成的外延单晶金属硅化物上形成发射极层，在发射极层上形成基极层，在基极层上形成集电极层制备得到。
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公开(公告)号：CN101789439B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010111273.5
申请日：2010-02-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/28 , H01L23/532 , H01L21/822 , H01L21/84 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法。本发明通过接触式印刷来实现两层相互垂直排布的高密度金属纳米线，并以金属纳米线作为阻变存储器的电极，从而可以实现超高密度的阻变存储器阵列，同时，本发明以聚合物材料构成阻变存储器中的p-n结结构和存储单元，避免了高温，因此可以在柔性电路中集成。本发明专利具有实现工艺简单、成本低廉、不需高温退火等优点，并且可以适用于打印电路。
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公开(公告)号：CN102832199A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210362921.3
申请日：2012-09-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/486 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于集成电路制造互连领域，具体涉及一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用混合介质（氧化层/金属）来作为抗铜扩散阻挡层，首先，可以有效增强金属对铜的抗扩散能力，并有效防止扩散阻挡层被氧化而失效，延长扩散阻挡层的寿命。其次，可以降低互连电路的有效介电常数值，进而使得互连电路整体的RC延迟下降。再次，由于金属与铜具有良好的粘附性和接触，可以在金属表面直接电镀铜而不需要先淀积一层铜籽晶，工艺简单可行，有望在未来铜互连的抗扩散阻挡层的制造中得到应用。
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公开(公告)号：CN102832198A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210360376.4
申请日：2012-09-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为铜互连结构及其制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用Co-Ru层材料作为铜互连结构的籽晶层。本发明用等离子原子层淀积方法在铜互连的沟槽和通孔结构中来生长的Co-Ru材料籽晶层，淀积的薄膜能够具有良好的粘附性。此外，通过调节Co-Ru材料籽晶层中的Co和Ru比例，可以获得较佳的粘附特性。本发明的优点是可以提电镀铜与籽晶层的粘附特性性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为22nm及其以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。
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公开(公告)号：CN102779853A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210290113.0
申请日：2012-08-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制造方法。本发明先在半导体衬底之上外延生长锗硅外延层，然后再在锗硅外延层上制备隧穿晶体管，所得到的隧穿晶体管具有高的开关电流，而且，本发明所提出的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管的制造方法与传统的CMOS工艺兼容，工艺过程简单，制造成本低。
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