公开(公告)号：CN103474454A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310188487.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  许鹏 ,  周祥标

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体-金属-半导体叠层结构的制备方法，该方法通过在单晶半导体衬底上先制备超薄的单晶金属半导体化合物薄膜，再在单晶金属半导体化合物薄膜上制备单晶或多晶半导体薄膜，从而得到了由单晶半导体衬底、位于单晶半导体衬底上的超薄单晶金属硅化物薄膜、以及位于单晶金属硅化物薄膜上的单晶或多晶半导体薄膜构成的叠层结构，该方法简单可靠。

公开(公告)号：CN104269358A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410472750.9

申请日：2014-09-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  许鹏 ,  周祥标 ,  付超超

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66537 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/66045

Abstract: 本发明提出了一种半导体器件的制备方法，在半导体衬底内形成非晶化区，然后将半导体器件中的源漏区形成在非晶化区内，非晶化区能够抑制源漏区末端缺陷的生成，从而能够很好的降低半导体器件源漏区和半导体衬底之间的漏电；此外，在去除虚拟栅结构之后，在沟道区内形成短沟道抑制区，能够抑制半导体器件的短沟道效应，满足器件特征尺寸不断减小的需求。

公开(公告)号：CN104241288A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410472615.4

申请日：2014-09-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  许鹏 ,  周祥标 ,  付超超

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种多层场效应晶体管及其制造方法。本发明中，将N个场效应晶体管采用上下堆叠的方式形成，能够在不增加芯片表面积的情况下，提高集成电路场效应晶体管的集成度，符合半导体技术发展的趋势，能够对量产起着较为重要的推动作用。

公开(公告)号：CN103035533B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210537421.9

申请日：2012-12-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  周祥标 ,  许鹏 ,  张卫 ,  张世理

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管的制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；去除半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成超浅结半导体场效应晶体管。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并进行加热退火，同步形成超浅结和超薄金属硅化物，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。

公开(公告)号：CN104269438A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410472808.X

申请日：2014-09-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 许鹏 ,  吴东平 ,  付超超 ,  周祥标

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种无结场效应晶体管及其制备方法。本发明中，能够获得具有关态漏电小，能有效克服短沟道效应等优点的无结场效应管，此外，使源区和漏区采用肖特基接触引出，能够降低源区和漏区的接触电阻，从而增加了驱动电流，而且工艺步骤简单。

公开(公告)号：CN104241382A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410472812.6

申请日：2014-09-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 许鹏 ,  吴东平 ,  付超超 ,  周祥标

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种金属源漏接触、场效应晶体管及其制备方法。本发明中，在金属硅化物与源区或漏区交界处形成具有掺杂离子的分凝区，能有效降低肖特基势垒高度，大大降低了源漏接触电阻。提出的场效应晶体管采用金属源漏接触将源区和漏区引出，使形成的场效应管具有较低的源漏接触电阻，能够提高其性能。

公开(公告)号：CN103035533A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210537421.9

申请日：2012-12-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  周祥标 ,  许鹏 ,  张卫 ,  张世理

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；去除半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成超浅结半导体场效应晶体管。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并进行加热退火，同步形成超浅结和超薄金属硅化物，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。