公开(公告)号：CN102832199A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210362921.3

申请日：2012-09-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  郑珊 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  周鹏

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明属于集成电路制造互连领域，具体涉及一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用混合介质（氧化层/金属）来作为抗铜扩散阻挡层，首先，可以有效增强金属对铜的抗扩散能力，并有效防止扩散阻挡层被氧化而失效，延长扩散阻挡层的寿命。其次，可以降低互连电路的有效介电常数值，进而使得互连电路整体的RC延迟下降。再次，由于金属与铜具有良好的粘附性和接触，可以在金属表面直接电镀铜而不需要先淀积一层铜籽晶，工艺简单可行，有望在未来铜互连的抗扩散阻挡层的制造中得到应用。

公开(公告)号：CN102842568A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210359199.8

申请日：2012-09-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  周鹏

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于碳纳米管的互连结构及其制造方法。本发明使用碳纳米管替代铜作为互连介质，工艺过程简单，而且经过一定的工艺处理可以在互连通孔中得到均匀且平行的碳纳米管，不需要制备扩散阻挡层就可以有效防止漏电流的产生、减少电路的可靠性问题。同时，由于碳纳米管具有良好的电学、热学和机械特性，可以提高电路的电流密度、降低芯片功耗，也可以有效的解决铜互连在尺寸减小后遇到的电迁移和串扰噪声等问题。

公开(公告)号：CN102842599A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210360078.5

申请日：2012-09-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  郑珊 ,  房润辰 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  周鹏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种使用超薄高介电常数材料层的SiC肖特基二极管及其制作方法。本发明在金属和SiC界面之间插入一超薄的高介电常数材料层，可以提高肖特基接触势垒高度，减小SiC表面态缺陷对肖特基势垒的影响，使得SiC肖特基二极管的反向漏电流更小、整流特性更好、在倍频电路中能产生更高的倍频效率。本发明所提出的SiC肖特基二极管保留了传统二极管结构简单、易于制作的优点，与传统制作工艺兼容，在改善SiC肖特基二极管性能的同时并未提高其制作成本。

公开(公告)号：CN102339775A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110285677.0

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/316 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al2O3介质的方法。该方法包括：使用新型的硫钝化剂，与砷化镓表面的自体氧化物发生反应而清洗，并生成硫化物钝化膜使砷化镓和外界隔绝，从而防止了砷化镓的再次氧化；利用ALD淀积Al2O3的反应源三甲基铝与砷化镓表面进行的预处理反应，进一步清洗GaAs表面的残留自体氧化物和硫化物等，然后采用ALD淀积高质量Al2O3介质作为栅介质，Al2O3介质层将GaAs和外界环境很好地隔离开来。本发明工艺简单，效果良好，为进一步制备GaAs的器件提供了前提条件。

公开(公告)号：CN102332395A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110285019.1

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  李叶 ,  房润辰 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法。本发明利用十八烷基三乙氧基硅烷（ODTS）易于吸附在Si-OH界面而不易吸附在Si-H界面的特性，有选择性的淀积栅氧和栅电极材料，避免了不必要的材料浪费，节约了成本。本发明同时将对栅氧和栅电极的刻蚀转化为对SiO2的刻蚀，降低了刻蚀工艺的难度，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN102332395B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201110285019.1

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  李叶 ,  房润辰 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法。本发明利用十八烷基三乙氧基硅烷（ODTS）易于吸附在Si-OH界面而不易吸附在Si-H界面的特性，有选择性的淀积栅氧和栅电极材料，避免了不必要的材料浪费，节约了成本。本发明同时将对栅氧和栅电极的刻蚀转化为对SiO2的刻蚀，降低了刻蚀工艺的难度，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN102881677A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210356083.9

申请日：2012-09-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  周鹏

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的新型合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用原子层淀积工艺生长合金薄膜，所得到的合金抗铜扩散阻挡层的一致性和致密性好，可以有效阻止铜在介质中的扩散，而且合金与铜的粘附性好，不需要生长一层籽晶铜就可以直接电镀金属铜，工艺简单可行，有望在未来铜互连的抗铜扩散阻挡层的制造中得到应用。

公开(公告)号：CN102856251A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210356515.6

申请日：2012-09-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  周鹏

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于集成电路互连介质的处理领域，具体涉及一种低介电常数介质表面去羟基化的方法。本发明使用含有三甲基硅基基团的有机物携氢气载气对低介电常数介质表面进行处理，通过化学反应去除低介电常数介质表面的大多数极性羟基基团，并使之替代为无极性的三甲基硅基基团或者三甲基硅氧基基团，可以降低低介电常数介质的介电常数，使得整个电路的RC延迟下降。本发明所提出的低介电常数介质表面的去羟基化工艺与传统互连工艺之间具有很高的兼容性，并且可以使得互连当中的低介电常数介质不易吸水，延长芯片的使用寿命。

公开(公告)号：CN102842569A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210359227.6

申请日：2012-09-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  周鹏

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法。本发明采用一层超薄的经过氧气等离子体和紫外光照射处理的SiN刻蚀阻挡层和一层厚的介电常数值较小的碳含量丰富的SiCN刻蚀阻挡层来形成双层刻蚀阻挡层，不仅工艺过程简单，还可以改善目前刻蚀阻挡层的存在会影响整体介电常数值的现状，使得互连电路中的延迟减小、提升互连电路的可靠性，有望在未来铜互连的刻蚀阻挡层的制造中得到应用。

公开(公告)号：CN102332430A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110285132.X

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明属于低温原子层淀积技术领域，具体为一种柔性透明1T1R存储单元的制造方法。本发明通过全低温工艺在柔性衬底上生长全透明的1T1R存储单元，包括透明的氧化层介质、透明电极和透明衬底，这些透明层通过低温工艺淀积到一起，实现了一个全透明的器件，其同样能够实现非透明器件的功能。本发明可在未来柔性低温存储单元制造中得到应用，并且改变目前器件的封装和存在方式，使得可折叠和可弯曲式便携式存储单元成为可能。