公开(公告)号：CN101789439B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201010111273.5

申请日：2010-02-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晗 ,  顾晶晶 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/28 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法。本发明通过接触式印刷来实现两层相互垂直排布的高密度金属纳米线，并以金属纳米线作为阻变存储器的电极，从而可以实现超高密度的阻变存储器阵列，同时，本发明以聚合物材料构成阻变存储器中的p-n结结构和存储单元，避免了高温，因此可以在柔性电路中集成。本发明专利具有实现工艺简单、成本低廉、不需高温退火等优点，并且可以适用于打印电路。

公开(公告)号：CN101894745A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010202300.X

申请日：2010-06-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晗 ,  顾晶晶 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/18 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于半导体纳米线形成的逻辑门及其制备方法。本发明首先在衬底的表面生长一定的硅图案，然后在硅图案的侧壁上横向生长纳米线，通过控制硅图案之间的距离来控制不同的纳米线类型(单质或p-n结)，并且通过这些简单结构来实现一定的逻辑功能。本发明克服了目前制作纳米线逻辑器件需要使用复杂的纳米线移动定位技术的缺陷，工艺过程简单并且可以与传统CMOS工艺相兼容。

公开(公告)号：CN101783367A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010111275.4

申请日：2010-02-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晗 ,  顾晶晶 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线MOS晶体管及其制备方法。该纳米线MOS晶体管使用金属镍作为III-V族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到III-V族材料中，形成低电阻的Ni-III-V形式的合金，作为III-V半导体纳米线MOS管的源漏材料，从而实现源漏材料与沟道材料的欧姆接触。本发明所公开的MOS晶体管具有结构简单、制造方便、接触电阻小、并且能够有效减小寄生电容的产生并使MOS晶体管的关断电流有效减小等优点。同时，本发明还公开了所述纳米线MOS晶体管的制备方法，该方法可以有效控制MOS晶体管的沟道长度，从而使得半导体器件有更大的工作电流。

公开(公告)号：CN101783366A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010111271.6

申请日：2010-02-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晗 ,  顾晶晶 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种石墨烯MOS晶体管及其制备方法。本发明首先通过氢气等离子体处理本征石墨烯得到氢化石墨烯，然后利用原子层淀积金属氧化物的方法破坏石墨烯的大π键，从而有效扩展石墨烯的禁带宽度，降低了石墨烯MOS晶体管中的栅极漏电流，同时，未淀积金属氧化物的石墨烯可以保持其半金属性质，作为MOS晶体管中的源极和漏极，从而减小了源漏与沟道的接触电阻。本发明所公开的办法与现行的CMOS工艺兼容，使得大规模石墨烯基集成电路成为可能。

公开(公告)号：CN101894909A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010202275.5

申请日：2010-06-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晗 ,  顾晶晶 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种纳米线阻变存储器及其实现方法。本发明使用金属-金属氧化物核壳结构的纳米线来实现阻变存储器，所述纳米线的核为金属，作为阻变存储器的传导层；所述纳米线的壳为金属氧化物半导体或绝缘体，作为阻变存储器的阻变层。本发明所公开的纳米线阻变存储器具有结构简单、操作电压低等优点，并且可以应用于未来的纳米线集成电路，或者其它种类的柔性集成电路里的存储器部分。

公开(公告)号：CN101789439A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010111273.5

申请日：2010-02-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晗 ,  顾晶晶 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/28 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法。本发明通过接触式印刷来实现两层相互垂直排布的高密度金属纳米线，并以金属纳米线作为阻变存储器的电极，从而可以实现超高密度的阻变存储器阵列，同时，本发明以聚合物材料构成阻变存储器中的p-n结结构和存储单元，避免了高温，因此可以在柔性电路中集成。本发明具有实现工艺简单、成本低廉、不需高温退火等优点，并且可以适用于打印电路。

公开(公告)号：CN101783367B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201010111275.4

申请日：2010-02-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晗 ,  顾晶晶 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线MOS晶体管及其制备方法。该纳米线MOS晶体管使用金属镍作为III-V族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到III-V族材料中，形成低电阻的Ni-III-V形式的合金，作为III-V半导体纳米线MOS管的源漏材料，从而实现源漏材料与沟道材料的欧姆接触。本发明所公开的MOS晶体管具有结构简单、制造方便、接触电阻小、并且能够有效减小寄生电容的产生并使MOS晶体管的关断电流有效减小等优点。同时，本发明还公开了所述纳米线MOS晶体管的制备方法，该方法可以有效控制MOS晶体管的沟道长度，从而使得半导体器件有更大的工作电流。

公开(公告)号：CN102005536A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010508181.0

申请日：2010-10-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 顾晶晶 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/06 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器单元包括衬底和金属-绝缘体-金属结构，其顶电极为铜、铝等可用于互连工艺中的金属薄膜，阻变绝缘体为Al2O3/NiO/Al2O3三种介质的纳米叠层结构介质薄膜。本发明中的MIM结构，在直流电压连续扫描激励下，表现出稳定的双电阻态转变和记忆特性，与只采用NiO一种介质的单一介质层结构介质薄膜的电阻式随机存储器存储单元相比，存储窗口增大，阻值稳定性得到提高。在NiO材料电阻式随机存储器的实际应用中有良好前景。本发明还进一步提供了上述存储单元的制备方法。

公开(公告)号：CN101783392A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010105576.6

申请日：2010-02-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘晗 ,  顾晶晶 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法。本发明利用原子层淀积无机高介电常数栅介质的方法来制备有机薄膜晶体管中的栅介质部分，通过该方法可以制备10纳米以下的无机栅介质层，所制备的有机薄膜晶体管可以提高晶体管的工作电流，降低工作电压，同时，本发明所述的方法具有保持有机薄膜晶体管的制备温度低、适用于大面积加工、可用于柔性基板和生产成本低廉等优点。