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公开(公告)号：CN103956331B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410175490.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种用于多孔互连介质表面封孔材料的制备方法。本发明以有机液态源三‑乙氧基甲基硅烷（MTES）为液态源，经过汽化后随氦（He）载气进入腔体与C2F6气体混合，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺，在多孔低介电常数互连介质表面沉积一层薄膜。该薄膜的介电常数为2.8‑3.3，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10‑9A/cm2数量级，杨氏模量为16.21‑37.33 GPa，硬度为1.25‑3.03 GPa。该材料薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可用于多孔互连介质层的封孔，同时起到增强多孔介质层与盖帽层或扩散阻挡层之间的黏附强度。
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公开(公告)号：CN103021821B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210491549.6
申请日：2012-11-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种位于柔性衬底上的半导体结构的退火方法。本发明中，通过采用微波加热方式，对位于柔性衬底上的金属或者半导体结构进行退火，由于微波加热对物质具有选择性加热的特性，使得在对位于柔性衬底上的金属或半导体结构退火时，可选择性地只对非晶硅层或者金属层加热，而柔性衬底不会吸收或基本不吸收微波能量，因此柔性衬底不会在微波退火时被加热到很高的温度，从而保证了柔性衬底不被破坏；而且微波加热能使被加热物料内外同时加热、同时升温，加热均匀，因此，本发明提供的方法能在低温下完成对位于柔性衬底上的金属或半导体结构的退火，并且加热均匀，加热能耗效率高。
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公开(公告)号：CN105870205A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610259220.5
申请日：2016-04-25
Applicant: 复旦大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L29/6609
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法。本发明的GaN基混合PIN肖特基二极管包括：GaN衬底；GaN外延层，形成于所述GaN衬底上；多个GaN结构层，形成于所述GaN外延层上；第一金属结构，形成于所述GaN结构层以及各GaN结构层之间的所述GaN外延层上，与所述GaN外延层之间形成肖特基接触。此外，还包括第二金属结构，位于所述GaN衬底的背面，与所述GaN衬底形成欧姆接触。本发明能够在不损失芯片面积情况下获得更高的反向击穿电压；同时，避免了由于位错问题导致的器件性能的退化，可以很好的应用于功率电子领域。
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公开(公告)号：CN105304813A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510608221.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于人工神经技术领域，具体为一种神经突触仿生器件及其制备方法。本发明的神经突触仿生器件包括衬底、位于衬底之上的底电极、位于底电极之上的阻变功能层、以及位于阻变功能层之上的顶电极；其中，所述电阻转变层包括上下两层氧化层、以及位于上下两层之间的金属纳米颗粒。本发明釆用柔性材料作衬底，突破了目前有关神经突触仿生器件的研究集中于硅基的忆阻器的局面，可在柔性电子设备中获得应用。在神经突触仿生器件的制备中，采用低温原子层淀积工艺生长氧化层，能够降低热预算，并能够保证器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219376B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310098145.5
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种氮化镓射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备氮化镓射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移。同时，由于栅极被钝化层保护，使得源极与漏极能够在栅极形成之后通过合金化工艺来形成，降低了源、漏接触电阻，增强了氮化镓射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN102229421B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110106336.2
申请日：2011-04-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发明提供的纳米线结构的制备方法不需要利用高分辨率的光刻技术来形成纳米线，因而大大节约了制备成本，并且本发明制备的金属半导体化合物纳米线还可以作为掩模，将其纳米结构图形转移到下一层结构，从而为纳米线结构的制备提供了方便。
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公开(公告)号：CN103219377B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310098164.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种实现源漏栅非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极、漏极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后直接通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103000650B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210529104.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1461 , H01L27/14641 , H01L27/14649
Abstract: 本发明属于半导体感光器件技术领域，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器。本发明将硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管集成在同一芯片上，通过增加一个传递晶体管，实现硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管在不同时刻被同一读出电路控制，从而拓宽感光器件的光谱响应范围，实现芯片的高集成度与多功能性，并降低芯片的制造成本。本发明适用于低功耗、中高端产品以及特定波段的感光设备，特别适用于军事、通信等特定用途的领域。
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公开(公告)号：CN102403234B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110413439.3
申请日：2011-12-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离，在制备过程中只采用1次关键光刻技术，利用自对准技术制备FINFET。本发明适用于业界流行的后栅工艺流程（gate-last），适合于大规模生产。
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