公开(公告)号：CN103904092B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410093313.6

申请日：2014-03-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  包永霞

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种硅基CMOS图像传感器及其提高电子转移效率的方法。本发明通过在感光区和转移晶体管（TX）沟道区的接触部分引入从体内到表面的递增掺杂，使衬底体内到TX表面沟道的电势逐步递增，实现光生载流子的完全转移，并可以达到理论的转移载流子数目的极限，成功解决了光生载流子不能完全转移引起的噪声问题。

公开(公告)号：CN105097503A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410199891.8

申请日：2014-05-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  王琳琳 ,  彭雾

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氮原子，形成硅化钛（TiSix，内含氮原子）/Si肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氮原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102403234B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110413439.3

申请日：2011-12-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李龙 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离，在制备过程中只采用1次关键光刻技术，利用自对准技术制备FINFET。本发明适用于业界流行的后栅工艺流程（gate-last），适合于大规模生产。

公开(公告)号：CN102543690A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210004325.8

申请日：2012-01-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 于浩 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种通过N型半导体衬底局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法。本发明利用PS微球作为掩膜，将单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形。进而在PS微球的掩蔽下，淀积金属接触电极，然后去除PS微球，经退火处理，形成局部高势垒金半接触。再对暴露出的半导体表面实行局部解钉扎处理，再次淀积同一种金属电极材料形成低势垒金半接触，从而最终在同一块半导体衬底上实现高低势垒在金半接触界面上的规律分布，因而提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通PS球自对准刻蚀技术与局部解钉扎技术的结合，达到了良好的金半接触结构优化效果。

公开(公告)号：CN102427024A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201110419776.3

申请日：2011-12-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  于浩 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀（RIE）技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形，最终通过丙酮超声振荡去除PS微球，是一种理想的自对准工艺，具有良好的应用前景。而高低两种功函数金属并联调制金半接触的方法可以有效提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通过此自对准刻蚀技术与双功函数金属调制势垒高度技术的结合，达到了良好的金半接触优化效果。

公开(公告)号：CN102403234A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110413439.3

申请日：2011-12-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李龙 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离，在制备过程中只采用1次关键光刻技术，利用自对准技术制备FINFET。本发明适用于业界流行的后栅工艺流程（gate-last），适合于大规模生产。

公开(公告)号：CN101877311B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010213747.7

申请日：2010-06-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晓荣 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种有效调制TiN金属栅功函数的方法。该方法包括在已经形成栅介质层的样品上进行光刻，形成图形，然后淀积TiN做金属性栅极，再在TiN薄膜上淀积Yb，最后在Yb上淀积TiN薄膜作覆盖层防止Yb被氧化；再对样品进行光刻胶剥离处理，最终形成具有一定图形的TiN/Yb//TiN /栅介质层/衬底Si结构样品，然后对样品进行快速热退火，在热的作用下，TiN/Yb//TiN叠层结构将发生一定变化，使得栅极的功函数发生相应变化。该方法通过Yb的引入实现TiN金属栅功函数的有效调制，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带底，同时又具有工艺简单的优点。

公开(公告)号：CN102244106A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110179347.3

申请日：2011-06-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李惟一 ,  茹国平 ,  蒋玉龙 ,  阮刚

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/8725

Abstract: 本发明属于整流器件技术领域，具体为一种肖特基二极管。本发明使用圆弧形状的沟槽，提升器件反向性能。本发明相对于传统产品，能耐受更大的反向电压，且在击穿前具有更小的漏电流，具有更高的正反向电流比，同时几乎不损失正向电流驱动能力。

公开(公告)号：CN101350364B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810042500.6

申请日：2008-09-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈韬 ,  屈新萍 ,  刘书一 ,  万景 ,  茹国平 ,  蒋玉龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/36

Abstract: 本专利属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。

公开(公告)号：CN101877311A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010213747.7

申请日：2010-06-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晓荣 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种有效调制TiN金属栅功函数的方法。该方法包括在已经形成栅介质层的样品上进行光刻，形成图形，然后淀积TiN做金属性栅极，再在TiN薄膜上淀积Yb，最后在Yb上淀积TiN薄膜作覆盖层防止Yb被氧化；再对样品进行光刻胶剥离处理，最终形成具有一定图形的TiN/Yb/TiN/栅介质层/衬底Si结构样品，然后对样品进行快速热退火，在热的作用下，TiN/Yb/TiN叠层结构将发生一定变化，使得栅极的功函数发生相应变化。该方法通过Yb的引入实现TiN金属栅功函数的有效调制，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带底，同时又具有工艺简单的优点。