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公开(公告)号：CN113866582B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110992743.1
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件开关瞬间抗烧毁能力的检测方法，属于半导体器件测试可靠性的技术领域。主要应用于功率器件开启关断瞬间器件抗烧毁能力的评估，从而指导并提高器件可靠性的方法和装置。首先，通过施加低于盲点的栅压或通态压降，控制功率器件处于导通电阻负温度系数区域，模拟带容性负载开启及感性负载关断等工况；然后，通过对器件施加一组可控的递增脉冲信号，来模拟器件开启关断瞬间的功耗及热点形成情况，从而定量评价功率器件的抗瞬态烧毁能力，进而探索器件耐受瞬态失效的最恶劣条件。本发明也可以用于评价功率器件其它工况下抗瞬态烧毁能力。
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公开(公告)号：CN118050612A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410231221.3
申请日：2024-02-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于浪涌电流下的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法，首先在不同测试电流下建立校温曲线库，该校温曲线库数据包含碳化硅MOSFET体二极管的浪涌电流、电压以及温度；其次，基于浪涌电流测试平台，在不同的浪涌电流脉宽及幅值下，测得多个温度敏感电参数；最后，计算测得温敏电参数代入校温曲线对应的温度值，即可在不破坏封装的情况下判别碳化硅MOSFET的温度情况。避免了在实际工程中不能实时检测碳化硅MOSFET瞬态温升导致可靠性降低的问题。
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公开(公告)号：CN117907786A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410113784.2
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态电流变化的SiC MOSFET器件陷阱表征方法，该方法基于贝叶斯迭代反卷积的时间常数提取方法，分析时间常数和峰值谱变化，实现SiC MOSFET器件陷阱的特性表征。所述表征方法的过程包括：瞬态漏极电流采集、时间常数提取、陷阱激活能计算以及陷阱定位。SiC MOSFET器件深能级陷阱俘获电子时会引起漏极电流的下降，释放电子时会引起漏极电流增加，瞬态电流变化包含了陷阱信息，由此通过瞬态电流获取陷阱的方法是一种较好的方法。基于该关系，通过采集器件在不同温度下的漏极电流瞬态变化曲线，利用贝叶斯迭代反卷积方法进行时间常数提取，并结合阿伦尼斯方程计算获得陷阱激活能，从而实现对器件陷阱信息的表征。
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公开(公告)号：CN116794475A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310743955.5
申请日：2023-06-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种影响SiCMOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法，该方法可检测影响SiCMOSFET阈值电压漂移陷阱的时间常数，从而锁定该陷阱。包括：(1)选取测试条件，排除碳化硅材料陷阱的影响，获取IDS随时间的瞬态变化曲线；(2)利用贝叶斯反卷积的方法，分析IDS随时间的瞬态变化曲线，获取不同陷阱的时间常数以及定性代表陷阱量的幅值信息；(3)根据陷阱的时间常数，给定不同脉宽的填充栅压，测试阈值电压漂移，并与陷阱峰幅值变化对应；(4)给定不同间隔时间的选取标准，将阈值电压漂移与陷阱峰幅值变化进行对应，判断不同时间常数的陷阱对阈值电压漂移的影响。利用该方法，实现对影响SiCMOSFET阈值电压漂移的陷阱的无损表征。
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公开(公告)号：CN116148618A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211571525.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热反射率的半导体器件温度和热阻构成测量装置，涉及温度测量领域。本发明将半导体器件固定在恒温平台上，恒温平台通过加热电源稳定在不同的温度下，利用由光纤、激光器、环形器以及采集系统形成的光热反射测量系统测量半导体器件的待测区域在不同温度下的反射率，通过线性拟合获得待测区域的光热反射系数Cth。将恒温平台维持恒温，通过计算机控制驱动电路给半导体器件施加不同的电学激励；与此同时，计算机同步控制采集卡开始采集光电转换电路输出的电压信号，持续采集反射率的变化，结合之前得到的光热反射系数Cth，计算得到器件待测区域的瞬态温度变化曲线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110501380B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910680388.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料，热源，温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线，即瞬态热响应曲线；然后，根据传统结构函数方法得到的热阻信息，进一步构造薄层材料前各层材料的热响应曲线，并将其从总的曲线中剔除，从而提取出薄层的热阻信息。本发明区分出了两个热时间常数相近的材料，提高了特殊情况下薄层热阻测量精度。
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公开(公告)号：CN113866582A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110992743.1
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件开关瞬间抗烧毁能力的检测方法，属于半导体器件测试可靠性的技术领域。主要应用于功率器件开启关断瞬间器件抗烧毁能力的评估，从而指导并提高器件可靠性的方法和装置。首先，通过施加低于盲点的栅压或通态压降，控制功率器件处于导通电阻负温度系数区域，模拟带容性负载开启及感性负载关断等工况；然后，通过对器件施加一组可控的递增脉冲信号，来模拟器件开启关断瞬间的功耗及热点形成情况，从而定量评价功率器件的抗瞬态烧毁能力，进而探索器件耐受瞬态失效的最恶劣条件。本发明也可以用于评价功率器件其它工况下抗瞬态烧毁能力。
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公开(公告)号：CN113865742A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110964595.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种基于探测光纤用于半导体激光器腔面镀膜内侧测温的方法及装置属于光热反射测温技术领域，所述方法包括：对待测激光器腔面进行光热反射系数CTR的校准；对待测激光器的驱动加以调制；使用一波长大于待测激光器激射波长的激光光束作为探测光，探测光被尾纤发出，垂直投射到待测激光器腔面；反射光携带温度信号再次进入尾纤，滤波后被探测器接收，对其进行计算后得到半导体激光器腔面温度信息。本发明能较为有效地测得半导体激光器工作时有源区前腔面内侧因光吸收而形成的热源并其周围区域的真实温度。相应的测量装置引入光纤进行探测与信号传输，对传统的光热反射测温系统进行了简化，有效提高了测量效率。
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公开(公告)号：CN113176293A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110334082.3
申请日：2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所处测量结构包括：测温芯片和被测样品，其中测温芯片包括由多个二极管或肖特基结串联形成的测温端，以及由多晶硅图形的微加热器结构；被测样品由两种半导体材料及其异质结构界面组成，表面经过光刻等工艺处理，形成均匀分布的矩形矩阵。本发明通过设计一种测温芯片，将测温芯片与被测材料通过点阵矩阵的接触方式，通过测温芯片采集温度响应曲线，对被测材料建立热仿真模型并迭代异质结界面热导率进行求解，直至模型解与实际采集的温度响应曲线一致，即可提取出被测材料异质结界面的热导率。
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公开(公告)号：CN108287300B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810040682.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量工作状态下的绝缘栅型场效应晶体管结温的方法和装置属于半导体器件测量技术领域。本发明设计了包括：采用FPGA产生脉宽可调的测试信号；设计了MOSFET栅极驱动电路及栅极测试信号的附加电路，在MOSFET处于一个稳定工作的状态下，利用测试信号附加电路，在栅极原有的工作开启电压上叠加一个大小可调的测试信号；检测漏源电压的变化，当其值变化幅度高出设定标准时，监测电路产生一个指示信号传送给FPGA；基于FPGA的内部计时器，将测试信号的产生时刻和指示信号的接收时刻分别记录，求出二者时差，利用时差与温度间的线性关系，结合工作功率反应的结到壳的温差，求解出器件在该工作状态下的结温。
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