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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116148618A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211571525.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热反射率的半导体器件温度和热阻构成测量装置，涉及温度测量领域。本发明将半导体器件固定在恒温平台上，恒温平台通过加热电源稳定在不同的温度下，利用由光纤、激光器、环形器以及采集系统形成的光热反射测量系统测量半导体器件的待测区域在不同温度下的反射率，通过线性拟合获得待测区域的光热反射系数Cth。将恒温平台维持恒温，通过计算机控制驱动电路给半导体器件施加不同的电学激励；与此同时，计算机同步控制采集卡开始采集光电转换电路输出的电压信号，持续采集反射率的变化，结合之前得到的光热反射系数Cth，计算得到器件待测区域的瞬态温度变化曲线。
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公开(公告)号：CN116298750A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310163377.8
申请日：2023-02-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法，对待测器件施加一定电学偏置条件，利用测试仪器分别采集被测器件应力作用前后漏电流随时间变化的瞬态曲线，利用贝叶斯迭代的时间常数提取方法从瞬态曲线中提取器件损伤位置的时间常数，结合峰值谱时间常数提取技术将器件损伤位置的时间常数以峰值谱的形式呈现出来，并在此基础上利用幅值谱技术进行谱值化表征，将应力作用下器件内部不可见的微区结构损伤的演化过程转变为可视化的谱线移动，实现器件微区结构损伤的精准定位、损伤程度和演化过程的谱值化量化表征。
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公开(公告)号：CN119881575A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510067742.4
申请日：2025-01-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态电压法的微秒级器件损伤定位系统，首先搭建陷阱表征测试平台，其中包括PPC端、FPGA主控、漏极与栅极的驱动电路、截取放大电路和采集卡；然后将待测器件三端接入漏极与栅极的驱动电路中；通过FPGA主控下发时序信息完成硬件电路的陷阱填充和测试阶段的状态切换；最后由采集卡收集经过截取电路去噪并放大后的器件漏源两端的瞬态电压传入PC端。本发明可以获取微秒级时间精度的瞬态电压响应曲线，其开关速度小于1微秒，曲线中包含的陷阱信息更为丰富，且使用该平台获取了新的微秒级别的陷阱，由此可更为精确地分析待测器件的损伤位置与原因。
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公开(公告)号：CN118294776A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410557382.1
申请日：2024-05-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件陷阱作用强度测试表征装置，属于半导体器件可靠性领域。通过电路设计实现对半导体器件在恒定电学偏置下微秒级瞬态电压曲线的采集并通过结构函数法进一步分析处理得到相关陷阱信息。采用基于贝叶斯反卷积函数的时间常数提取方法优化了陷阱提取精度，并全面表征了时间常数、绝对振幅等陷阱特性。所述方法包括：将被测器件放置于恒温平台，并与陷阱测试电路相连接；在陷阱填充过程中通过电路对器件施加偏置电压；在陷阱释放过程中通过快速开关将切换时间缩短至微秒级，同时采集瞬态电压曲线的变化情况并通过软件进行分析处理，得到器件内部陷阱相关信息。
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公开(公告)号：CN115458592A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211263370.5
申请日：2022-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有栅介质保护区的碳化硅平面型IGBT，包括P+集电极、位于P+集电极背面的金属集电极和位于P+集电极正面的N型缓冲层；N型缓冲层正面是N－漂移区；N－漂移区正面中间注入一系列重掺杂P+岛、两侧分别具有一个P型基区；两个相邻P型基区之间是N型电荷存储JFET区；两个N型重掺杂N+接触区侧部分别具有一个P型重掺杂P+接触区；金属化发射极位于器件顶层，连接器件中的所有P型重掺杂P+接触区和N型重掺杂N+接触区；金属化发射极和金属化栅极通过绝缘层场氧化层被隔离开；金属化栅极下方是栅介质；本发明所提出的栅介质屏蔽区，可使得在增大相邻p型基区间距时，继续保持较低的关态栅介质电场。
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