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公开(公告)号:CN113155893A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110336842.4
申请日:2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种用于各向异性材料不同晶向导热系数比检测的装置与方法属于新型半导体材料及其可靠性研究领域。针对一些新型半导体器件材料具有明显的散热各向异性(如CNT、GaO等)问题,通过自主设计的高灵敏度、高精度热源芯片和测温芯片对薄层材料表面各向异性导热性能进行测试与表征。将热源芯片置于薄层材料表面,在不同晶向上分别放置双测温芯片,对热源芯片设定周期性变化的热源、测定不同晶向上双测温芯片的热传输延迟时间和热扩散速度,进而测量不同晶向导热系数比,实现对各向异性材料面内导热性能有效表征。该方法深入研究了材料横向传热的各向异性,弥补了对各向异性材料实现三维热特性测试的不足。
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公开(公告)号:CN113155893B
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202110336842.4
申请日:2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种用于各向异性材料不同晶向导热系数比检测的装置与方法属于新型半导体材料及其可靠性研究领域。针对一些新型半导体器件材料具有明显的散热各向异性(如CNT、GaO等)问题,通过自主设计的高灵敏度、高精度热源芯片和测温芯片对薄层材料表面各向异性导热性能进行测试与表征。将热源芯片置于薄层材料表面,在不同晶向上分别放置双测温芯片,对热源芯片设定周期性变化的热源、测定不同晶向上双测温芯片的热传输延迟时间和热扩散速度,进而测量不同晶向导热系数比,实现对各向异性材料面内导热性能有效表征。该方法深入研究了材料横向传热的各向异性,弥补了对各向异性材料实现三维热特性测试的不足。
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公开(公告)号:CN113176293B
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202110334082.3
申请日:2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法,属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所处测量结构包括:测温芯片和被测样品,其中测温芯片包括由多个二极管或肖特基结串联形成的测温端,以及由多晶硅图形的微加热器结构;被测样品由两种半导体材料及其异质结构界面组成,表面经过光刻等工艺处理,形成均匀分布的矩形矩阵。本发明通过设计一种测温芯片,将测温芯片与被测材料通过点阵矩阵的接触方式,通过测温芯片采集温度响应曲线,对被测材料建立热仿真模型并迭代异质结界面热导率进行求解,直至模型解与实际采集的温度响应曲线一致,即可提取出被测材料异质结界面的热导率。
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公开(公告)号:CN112858401B
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202110045200.9
申请日:2021-01-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/20
Abstract: 一种用于异构工件钎焊缺陷检测的热阻测试装置与方法属于电子工程学领域,该方法主要通过电学参数法实现对异构工件的钎焊缺陷进行无损检测,根据四通道钎焊热阻测试仪测试的热阻大小和所提出的钎焊评估算法以区分不同工件钎焊层的钎焊质量。通过对测温探头施加功率,热量流经测试工件内部直至散热平台,经过数据分析软件中的结构函数法将整个瞬态温升曲线转化为不同材料的热阻构成。通过移动测温探头的位置,对待测工件整体完成扫描式热阻测试,对同一工件的所有采样点进行耦合热阻计算,得到不同工件的有效面积比Q值以区分钎焊层钎焊质量的优劣。该方法通过计算机可实现完全程控计算,能够对异构工件的钎焊层质量实现有效表征。
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公开(公告)号:CN112858401A
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN202110045200.9
申请日:2021-01-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/20
Abstract: 一种用于异构工件钎焊缺陷检测的热阻测试装置与方法属于电子工程学领域,该方法主要通过电学参数法实现对异构工件的钎焊缺陷进行无损检测,根据四通道钎焊热阻测试仪测试的热阻大小和所提出的钎焊评估算法以区分不同工件钎焊层的钎焊质量。通过对测温探头施加功率,热量流经测试工件内部直至散热平台,经过数据分析软件中的结构函数法将整个瞬态温升曲线转化为不同材料的热阻构成。通过移动测温探头的位置,对待测工件整体完成扫描式热阻测试,对同一工件的所有采样点进行耦合热阻计算,得到不同工件的有效面积比Q值以区分钎焊层钎焊质量的优劣。该方法通过计算机可实现完全程控计算,能够对异构工件的钎焊层质量实现有效表征。
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公开(公告)号:CN110501380B
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN201910680388.7
申请日:2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料,热源,温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线,即瞬态热响应曲线;然后,根据传统结构函数方法得到的热阻信息,进一步构造薄层材料前各层材料的热响应曲线,并将其从总的曲线中剔除,从而提取出薄层的热阻信息。本发明区分出了两个热时间常数相近的材料,提高了特殊情况下薄层热阻测量精度。
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公开(公告)号:CN113176293A
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN202110334082.3
申请日:2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法,属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所处测量结构包括:测温芯片和被测样品,其中测温芯片包括由多个二极管或肖特基结串联形成的测温端,以及由多晶硅图形的微加热器结构;被测样品由两种半导体材料及其异质结构界面组成,表面经过光刻等工艺处理,形成均匀分布的矩形矩阵。本发明通过设计一种测温芯片,将测温芯片与被测材料通过点阵矩阵的接触方式,通过测温芯片采集温度响应曲线,对被测材料建立热仿真模型并迭代异质结界面热导率进行求解,直至模型解与实际采集的温度响应曲线一致,即可提取出被测材料异质结界面的热导率。
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公开(公告)号:CN110501380A
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201910680388.7
申请日:2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料,热源,温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线,即瞬态热响应曲线;然后,根据传统结构函数方法得到的热阻信息,进一步构造薄层材料前各层材料的热响应曲线,并将其从总的曲线中剔除,从而提取出薄层的热阻信息。本发明区分出了两个热时间常数相近的材料,提高了特殊情况下薄层热阻测量精度。
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