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公开(公告)号：CN118050612A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410231221.3
申请日：2024-02-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于浪涌电流下的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法，首先在不同测试电流下建立校温曲线库，该校温曲线库数据包含碳化硅MOSFET体二极管的浪涌电流、电压以及温度；其次，基于浪涌电流测试平台，在不同的浪涌电流脉宽及幅值下，测得多个温度敏感电参数；最后，计算测得温敏电参数代入校温曲线对应的温度值，即可在不破坏封装的情况下判别碳化硅MOSFET的温度情况。避免了在实际工程中不能实时检测碳化硅MOSFET瞬态温升导致可靠性降低的问题。
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