公开(公告)号：CN118294776A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410557382.1

申请日：2024-05-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张亚民 ,  温茜 ,  杜颖晨 ,  孟宪伟 ,  程浩轩

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件陷阱作用强度测试表征装置，属于半导体器件可靠性领域。通过电路设计实现对半导体器件在恒定电学偏置下微秒级瞬态电压曲线的采集并通过结构函数法进一步分析处理得到相关陷阱信息。采用基于贝叶斯反卷积函数的时间常数提取方法优化了陷阱提取精度，并全面表征了时间常数、绝对振幅等陷阱特性。所述方法包括：将被测器件放置于恒温平台，并与陷阱测试电路相连接；在陷阱填充过程中通过电路对器件施加偏置电压；在陷阱释放过程中通过快速开关将切换时间缩短至微秒级，同时采集瞬态电压曲线的变化情况并通过软件进行分析处理，得到器件内部陷阱相关信息。

公开(公告)号：CN116148618A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211571525.1

申请日：2022-12-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张亚民 ,  孟宪伟 ,  温茜 ,  程浩轩 ,  冯士维 ,  翟玉卫

IPC: G01R31/26 ,  G01J5/20 ,  G01N21/55

Abstract: 本发明公开了一种基于热反射率的半导体器件温度和热阻构成测量装置，涉及温度测量领域。本发明将半导体器件固定在恒温平台上，恒温平台通过加热电源稳定在不同的温度下，利用由光纤、激光器、环形器以及采集系统形成的光热反射测量系统测量半导体器件的待测区域在不同温度下的反射率，通过线性拟合获得待测区域的光热反射系数Cth。将恒温平台维持恒温，通过计算机控制驱动电路给半导体器件施加不同的电学激励；与此同时，计算机同步控制采集卡开始采集光电转换电路输出的电压信号，持续采集反射率的变化，结合之前得到的光热反射系数Cth，计算得到器件待测区域的瞬态温度变化曲线。