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公开(公告)号：CN111163585B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010026505.0
申请日：2020-01-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K1/18 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及一种用于控制器的电路板及控制器，该电路板包括：电路板本体；第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，其全部设置在所述电路板本体上且彼此相邻；以及能够输送冷却液的冷却构件，其与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均接触。该电路板不但解决了如何降低控制器出现永久失灵的可能性的问题，而且可以降低功率半导体器件产生的热量在控制器内累积的程度，改善了功率半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN111081661B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN112652661A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959540.5
申请日：2019-10-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制备方法，包括依次贴合连接的金属漏极、衬底和外延层以及嵌设于所述外延层的正面结构；所述外延层内设有金属夹层，所述正面结构从所述外延层的正面向内延伸至穿过所述金属夹层。通过在外延层内设置金属夹层，金属夹层作为杂质原子掺杂在外延层内，而且正面结构嵌设入外延层内后穿过金属夹层，因此杂质原子可以形成复合中心，复合中心使晶体管内的非平衡载流子的复合过程从传统的直接复合改变为间接复合，这样减少了载流子的复合时间，进而减小了晶体管的反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN112490283A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910860978.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅结构，涉及功率半导体领域。包括绝缘部和第一介质，绝缘部具有一端开口的容纳槽，第一介质设置于容纳槽内；绝缘部包括相互连接的第一绝缘壁和第二绝缘壁，第一绝缘壁靠近开口，第一绝缘壁的厚度小于第二绝缘壁的厚度。由于增大了第二绝缘壁的厚度，使得绝缘部的整体平均厚度增加，从而降低了绝缘栅结构的栅极电容。在工作时，离子层组提供的电压只需在第一绝缘壁处形成反型层，即可使功率器件正常工作，而由于第一绝缘壁的厚度较薄，故而离子层组不需要提供过高的开启电压，从而较小了功率器件的能耗。由此可见，本发明提供的绝缘栅结构，在降低了绝缘栅结构的栅极电容的同时，避免了功率器件的能耗过高的问题。
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公开(公告)号：CN112447679A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910818893.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：栅极结构和多个元胞结构；栅极结构包括电阻区和接线区，接线区设有连接金属层，元胞结构的栅极与接线区的连接金属层电连接；电阻区包括电阻走线、和沿电阻走线的延伸方向分布的多个连接焊盘，每一个连接焊盘与电阻走线电连接，以将电阻走线分隔为相互串联的多段电阻。本申请公开的功率半导体器件，将外部电阻集成到栅极结构上，从而降低IGBT和MOSFET器件栅极的电压操控难度，提高精准性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112289755A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910668280.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种TO封装结构及封装方法，涉及芯片封装技术领域。其中，TO封装结构包括：壳体、基板及引脚，所述基板设置于所述壳体内，所述基板沿所述壳体的长度方向延伸；所述基板具有用于设置芯片的正面及反面，所述基板的正面与所述壳体的第一侧壁具有第一预设距离，所述基板的反面与所述壳体的第二侧壁具有第二预设距离，所述第一侧壁与所述第二侧壁相对设置；所述芯片连接有所述引脚。本方案中基板的两面均可以进行封装，能够使得每个壳体的使用面积得到提升，也就是每个壳体内的基板较现有技术可多封装芯片，有效降低了封装的成本，提高了壳体的利用效率。
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公开(公告)号：CN112289754A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910668258.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体而言，涉及一种功率模块及封装方法，包括引线框架、封装基板及承载板，所述引线框架固定于所述承载板上，所述封装基板与所述引线框架的引脚之间通过相互配合的凹凸结构连接，且所述封装基板与引线框架在凹凸配合处焊接固定，所述凹凸结构包括相互配合的柱销和通孔，所述引线框架设置所述柱销，所述封装基板设置与所述柱销配合的通孔，所述引脚对应所述封装基板通孔弯折形成所述柱销，其能够解决封装基板与引线框架之间在高温和振动环境下引脚脱焊现象。
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公开(公告)号：CN112185803A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910589464.3
申请日：2019-07-02
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体芯片技术领域，特别涉及一种功率器件衬底背面处理方法及功率器件制备方法。包括：对衬底的背面进行减薄处理；在衬底的背面形成金属层；在金属层上淀积形成钨结构层。上述衬底背面处理方法采用具有强覆盖力的钨淀积在衬底背面，有效改善了衬底背面的不平整结构，方便功率器件的封装贴片；并且，钨材料具有导电性优良、化学性质稳定、耐热性强和膨胀系数小的特点，在实现基本的导电功能同时能够降低衬底氧化风险，保证衬底结构不易变形，进一步提高封装良率。
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公开(公告)号：CN110534556B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910668260.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/266 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和制备方法，所述功率半导体器件设有主结，所述终端结构包括终端区，所述终端区包括多个依次环绕于所述主结之外的场限环；所述场限环包括第一传导类型的半导体离子，在远离所述主结的方向上，多个所述场限环的第一传导类型的半导体离子的掺杂浓度依次递减。通过将多个场限环内的第一传导类型的半导体离子的浓度设计为沿远离所述主结的方向依次递减，可以使半导体器件的耐压更加稳定，而且整个终端结构所占的面积大大减小，提高了生产效率，避免了半导体材料的浪费；而且呈一定梯度的离子浓度变化，还有效缓解了电场集中现象，提高了功率器件的反向阻断能力。
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公开(公告)号：CN111326590A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010101995.6
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述半导体装置包括：衬底；在所述衬底上的第一半导体层；在所述第一半导体层中的掺杂区，所述掺杂区和所述第一半导体层具有不同的导电类型；在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层的材料的禁带宽度大于所述第一半导体层的材料的禁带宽度；和在所述第二半导体层上且与所述第二半导体层之间形成肖特基接触的第一金属层。
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