公开(公告)号：CN112652661A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201910959540.5

申请日：2019-10-10

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  薛勇 ,  张祎龙 ,  陈道坤 ,  史波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制备方法，包括依次贴合连接的金属漏极、衬底和外延层以及嵌设于所述外延层的正面结构；所述外延层内设有金属夹层，所述正面结构从所述外延层的正面向内延伸至穿过所述金属夹层。通过在外延层内设置金属夹层，金属夹层作为杂质原子掺杂在外延层内，而且正面结构嵌设入外延层内后穿过金属夹层，因此杂质原子可以形成复合中心，复合中心使晶体管内的非平衡载流子的复合过程从传统的直接复合改变为间接复合，这样减少了载流子的复合时间，进而减小了晶体管的反向恢复时间。

公开(公告)号：CN112713186A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201911019123.9

申请日：2019-10-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  张祎龙 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种半导体终端结构及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底层上生长出外延层；在外延层上生长出具有预设厚度的第一氧化层；刻蚀第一氧化层，以形成沿预设方向呈台阶状分布的多个结终端注入口；通过各结终端注入口注入离子，以在外延层形成多个沿预设方向间隔分布且浓度递减的结终端拓展结构。通过刻蚀第一氧化层，能够形成沿预设方向呈台阶状分布的多个结终端注入口，由于各结终端注入口呈高度依次增大的台阶状分布，使得各结终端注入口在第一氧化层上的深度不同，注入的离子从不同深度的结终端注入口扩散到外延层的深度依次减小，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好。

公开(公告)号：CN210866185U

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201921806520.6

申请日：2019-10-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  张祎龙 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型提供了一种半导体终端结构及半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体终端结构包括衬底层以及设置于所述衬底层上的外延层；所述外延层上形成有多个结终端拓展结构，所述结终端拓展结构向所述衬底层的方向延伸，且多个所述结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减。本申请中设置于外延层上的多个结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减，延伸的距离与所具有的离子浓度相关联，得到的各结终端拓展结构的浓度递减，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好。