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公开(公告)号：CN109801920A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910041482.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于柔性二维半导体沟道量子点的非易失存储器及其制备方法。本发明在以柔性材料为基础的衬底上利用零维量子点作为电荷俘获层以及二维半导体作为器件沟道，通过电荷的隧穿实现高开关比以及多值存储的功能。本发明制备过程包括：利用原子层沉积技术长的金属氧化物，机械剥离或者化学气相沉积制备的二维材料，以及利用旋涂技术制备的量子点。本发明可以制备具有高开关比、实现多值存储以及非易失特性的新型存储器，开创了一个二维半导体材料与零维量子点结合的新领域，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109188858A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811047914.8
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体为一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构。本发明的通孔掩膜版分体图形结构，以双面抛光的硅片为基底，包括正面图形和反面图形；正面图形包括从整体图形中分离的带有对准标记的高精度图形和带有对准标记的低精度图形，或者为分别带有对准标记多组不同精度的图形；反面图形，为涵括正面所有图形的方形，用于整体厚度减薄；通孔掩膜板在加工过程中，高精度图形和低精度图形先后使用，通过两者相同的对准标记进行位置对准，来完成整体图形的加工。本发明设计的高精度硅基掩膜版设计图形结构，具有机械强度高、重复使用性高、成本低、图形设计自由灵活等优势，能满足各领域对高精度通孔掩膜版的需求。
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公开(公告)号：CN108364863A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810010472.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L29/401 , H01L29/45 , H01L29/456
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属-二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属-二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属-二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属-二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN103219379B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310098546.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种采用先栅工艺的高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过合金化工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏接触电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN104157561A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410389035.9
申请日：2014-08-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用二维金属层厚度来降低石墨烯电极接触电阻的方法。通过物理气相沉积（PVD）的方法在石墨烯器件上淀积金属电极。制作一种石墨烯/二维金属层/金的结构。通过调节二维金属层的厚度来调节石墨烯与二维金属层的接触，调节接触势垒，使接触势垒最低，通过这种方法来降低石墨烯接触电阻。通过这种方法可以有效地来降低石墨烯接触电阻，从而制备性能优良的石墨烯器件，而且这方法简单方便。该方法可以作为制备二维材料器件的一种基本方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544103B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210005872.8
申请日：2012-01-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法。该nMOSFET主要由表面晶格方向为（111）A的InP半导体衬底、高介电常数栅介质和金属栅源漏电极组成。本发明中的nMOSFET结构，表现出优异的电流特性。同时，在连续直流电压的扫描激励下，该器件的饱和电流性能稳定可靠，其电流漂移值几乎为零。这种nMOSFE结构解决了长久以来InPMOSFET器件上的电流漂移问题。本发明还进一步提供了上述nMOSFET结构的集成制备方法。
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公开(公告)号：CN103915328A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410078090.6
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/28229 , C23C16/45525
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱会吸附水分子,这样就提供了原子层沉积所需的足够成核位点,通过原子层沉积可以在石墨烯上形成均匀连续的高K介质薄膜。这种方法不破坏石墨烯的晶格结构，并且简单方便，与传统加工工艺兼容，易于大面积生产。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103500761A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310454949.4
申请日：2013-09-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于石墨烯纳米器件技术领域，具体为一种沟道宽度可控的石墨烯纳米带Fin-FET器件及其制备方法，适合于石墨烯纳米带Fin-FET器件的大面积制备。具体制备步骤为：先利用常规电子束光刻方法在石墨烯上制备套准标记以及Fin-FET器件的源/漏电极，再利用电子束套准在石墨烯样品上依次制备出石墨烯岛以及百纳米级的光刻胶线条图形，通过原子层淀积侧墙，实现对侧墙宽度的精确控制，再通过侧墙转移技术，以侧墙为掩膜版进行刻蚀，从而实现对石墨烯纳米带沟道宽度的精确控制。通过调节原子层淀积的周期数，能够实现大面积制备沟道宽度小于10nm的石墨烯纳米带Fin-FET器件阵列。
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公开(公告)号：CN103474572A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310460043.3
申请日：2013-09-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件存储技术领域，具体为一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法。本发明依托于原有的阻变存储器三明治结构，即底部电极/阻变功能层/顶部电极结构，利用柔性衬底作为基底，采用低温原子层淀积以及物理气相淀积技术方面的获得堆栈功能层结构。具体制备步骤为：先采用低温原子层淀积技术在柔性衬底上淀积介质层，再利用物理气相淀积活性金属作为顶部电极，再在其上淀积Al电极避免顶部电极被氧化。本发明制备氧组分不同的缺氧/富氧型堆栈功能层，实现RRAM器件的CRS行为。可以有效地克服交叉点阵集成结构中漏电流引起的串扰问题，为未来柔性电子器件提供了一种切实可靠的方案。
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公开(公告)号：CN103219379A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310098546.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种采用先栅工艺的高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过合金化工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏接触电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。
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