公开(公告)号：CN109817756A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910041813.8

申请日：2019-01-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  李家意 ,  王水源 ,  周鹏

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电存储器技术领域，具体为一种基于二维异质结光波长诱导的非易失光电存储器及其制备方法。本发明利用二维材料中的缺陷能级对不同波长的光产生不同的光学响应，在电场的驱动下实现不同的电荷存储状态，通过沟道二维材料双极性的变化以及光吸收层中电荷数目的阶梯性改变，实现器件的非易失性多值存储。本发明制备方法包括，在衬底上利用机械剥离或者化学气相沉积获得作为光吸收层的二维材料，然后利用干法转移技术将具有双极性的二维材料堆叠至光吸收层之上，作为器件的沟道。本发明制备的具有多值存储能力的新型非易失光电存储器，在未来的数据光电存储领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN109801921A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201910041497.4

申请日：2019-01-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  熊妍 ,  王水源 ,  周鹏

IPC: H01L27/11568 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于双极性二维材料来构筑双栅结构非易失性电荷陷阱存储器。本发明利用双极性二维材料作为沟道材料，应用双栅结构调控沟道载流子的极性，来实现动态可配置的多级单元存储器。本发明制备过程，包括先在衬底上利用物理机械剥离或者化学气相沉积获得作为沟道的双极性二维材料，然后利用原子层沉积生长顶栅介电层作为电荷捕获层和电荷阻挡层，以及采用光刻工艺形成特定的金属电极。本发明通过双栅电压调控实现了动态可配置的多级单元存储，不再受限于传统电荷陷阱存储器固定的器件特性工作模式，在未来的数据存储和神经形态计算的新型领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN109887921A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910041823.1

申请日：2019-01-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  丁一 ,  王水源 ,  周鹏

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11563

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的围栅存储器及其制备方法。本发明利用围栅结构替代传统存储器的单栅结构，通过增强器件的栅控能力，得到窗口更大、保持时间更长的非易失性存储器。本发明制备过程包括：先在衬底上利用电子束蒸发、原子层沉积、机械剥离及化学气相沉积等方法依次获得依次金属栅极、介质层、电荷俘获层、隧穿层及沟道材料，然后利用上述相同方法以相反的顺序获得围栅结构。本发明可以制备具有较大存储窗口以及较长保持时间的新型存储器，极大的增强栅极电压对器件的控制能力，可在未来存储器领域被广泛应用。

公开(公告)号：CN109801920A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201910041482.8

申请日：2019-01-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  张振汉 ,  王水源 ,  周鹏

IPC: H01L27/11568

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于柔性二维半导体沟道量子点的非易失存储器及其制备方法。本发明在以柔性材料为基础的衬底上利用零维量子点作为电荷俘获层以及二维半导体作为器件沟道，通过电荷的隧穿实现高开关比以及多值存储的功能。本发明制备过程包括：利用原子层沉积技术长的金属氧化物，机械剥离或者化学气相沉积制备的二维材料，以及利用旋涂技术制备的量子点。本发明可以制备具有高开关比、实现多值存储以及非易失特性的新型存储器，开创了一个二维半导体材料与零维量子点结合的新领域，具有广阔的应用前景。