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公开(公告)号：CN103903973A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410078021.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高K介质。通过高温真空旋涂液态金属铝的方法在石墨烯上形成铝种子层是一种新颖的方法，这种方法对石墨烯造成损伤最小，不破坏石墨烯的晶格结构。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN102507875A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110351191.2
申请日：2011-11-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种快速无损测量石墨烯薄膜厚度与能隙的方法。本发明首先利用椭圆偏振技术得到薄膜的椭偏数据；然后根据所测薄膜的结构建立合适的理论模型，对得到的椭偏数据进行分析和拟合，得到所测石墨烯薄膜的厚度与能带结构。本发明大大简化了以往超薄薄膜厚度测试的复杂性、降低了利用其它技术工艺实施的困难程度，在22纳米后大规模集成电路制造中具有重要应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103903973B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410078021.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高K介质。通过高温真空旋涂液态金属铝的方法在石墨烯上形成铝种子层是一种新颖的方法，这种方法对石墨烯造成损伤最小，不破坏石墨烯的晶格结构。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103915328B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410078090.6
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱会吸附水分子,这样就提供了原子层沉积所需的足够成核位点,通过原子层沉积可以在石墨烯上形成均匀连续的高K介质薄膜。这种方法不破坏石墨烯的晶格结构，并且简单方便，与传统加工工艺兼容，易于大面积生产。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103915327B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410078022.X
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉积方法在石墨烯上淀积高K介质。由于存在很多的岛状石墨烯片，能提供足够的成核位点，可以形成连续的高K介质薄膜。该方法简单方便可靠，对石墨烯造成影响小，可以作为在石墨烯上形成高K介质一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103915327A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410078022.X
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L21/02304
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉积方法在石墨烯上淀积高K介质。由于存在很多的岛状石墨烯片，能提供足够的成核位点，可以形成连续的高K介质薄膜。该方法简单方便可靠，对石墨烯造成影响小，可以作为在石墨烯上形成高K介质一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103915328A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410078090.6
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/28229 , C23C16/45525
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱会吸附水分子,这样就提供了原子层沉积所需的足够成核位点,通过原子层沉积可以在石墨烯上形成均匀连续的高K介质薄膜。这种方法不破坏石墨烯的晶格结构，并且简单方便，与传统加工工艺兼容，易于大面积生产。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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