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公开(公告)号：CN210429794U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921540453.8
申请日：2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体模块及封装结构，包括：芯片和基板，所述芯片设置于所述基板上，且所述芯片通过导电薄片与所述基板上的引脚电性连接，本实用新型采用导电薄片相较于现有技术中单根金属丝，增大了接触面积，从而增强了电流的流通能力，有效增强散热，提高电流效率，减低功率损耗，提高可靠性，亦避免使用多根金属丝时所产生的较大寄生系数，同时，无需在芯片表面打线，减少对芯片的损伤，从而简化工艺步骤，最终提高生产效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209804659U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201822065217.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT芯片的产品结构，包括：在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方，设置有打线区域（4），且所述打线区域（4）处未刻蚀沟槽（6）。本实用新型的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN221947154U
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202422052061.4
申请日：2024-08-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供了一种功率模块以及电子设备，功率模块包括：基板，以及连接于基板的功率模块芯片；其中，基板包括背离设置的第一侧与第二侧，第一侧设置有第一导电层，第二侧设置有导电槽和第二导电层，第二导电层的至少部分填充导电槽，功率模块芯片设置在导电槽内并通过第二导电层固定连接于导电槽。本申请实施例提供的功率模块，导电槽内填充第二导电层，功率模块芯片设置在导电槽内，并通过导电槽内的第二导电层直接与基板连接，保证了第二导电层与功率模块芯片之间的接触面积，可以有效避免功率模块芯片的虚焊问题，保证了功率模块的可靠性，此外，通过第二导电层直接连接功率模块芯片，省去了点锡步骤，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN221379364U
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202322348542.5
申请日：2023-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/492 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开一种DBC基板结构及IPM模块，通过至少两个DBC子基板相邻布设，相邻DBC子基板通过凹凸结构彼此嵌合拼接，这样可以有效避免一整个大块DBC基板的开裂问题，同时结构连接上更紧凑、更稳定；此外，相邻DBC子基板在拼接缝隙处涂刷导电浆并经过回流焊完成相邻DBC子基板之间的导电连接，更便于加工，良品率更高。
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公开(公告)号：CN210928142U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201922078902.8
申请日：2019-11-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供了一种用于方形扁平无引脚封装的印刷电路板，所述印刷电路板上设置有多个限位件，多个所述限位件围绕方形扁平无引脚封装安装区域布置以便对所述方形扁平无引脚封装进行限位。利用该印刷电路板，能够通过限位件防止PCB板在回流焊过程中变形导致QFN器件焊接不良或虚焊的问题，提升QFN封装的焊接质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209804655U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920706780.X
申请日：2019-05-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体晶圆及具有其的电子装置；半导体晶圆包括依次连接的芯片层、晶圆层和金属层；所述芯片层包括多个间隔布设在所述晶圆层上的芯片，相邻两个所述芯片形成划片道；所述划片道上间隔设置有多个凹槽。根据本实用新型提供的半导体晶圆，在晶圆层与芯片形成的划片道上设有多个凹槽，通过凹槽将划片道分隔成若干待切割区域，由于凹槽的存在，阻止了切割应力过多分散，提高切割效率，而且防止了切割过程中晶圆片出现非期待性的裂片，进而提高了晶圆产出良率。
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公开(公告)号：CN209434191U
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201822014521.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽型功率器件，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN221841825U
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202323414082.8
申请日：2023-12-13
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种功率模块与散热器结构，包括：功率模块和散热器；功率模块设置有沿第一方向相对设置的两个限位凹槽；散热器设置有沿第一方向相对设置的两个限位凸起，一个限位凸起嵌设于一个限位凹槽，以对功率模块进行横向限位；其中，限位凹槽或限位凸起其中之一设置有弹性卡接件，限位凹槽与限位凸起其中另一设置有卡槽，卡槽与弹性卡接件配合卡接，以对功率模块进行纵向限位。本申请实施例的功率模块与散热器结构通过对功率模块的横向和纵向的双重限位可以使功率模块可靠固定在散热器上，且安装过程简单便捷，不会对功率模块造成损坏，有利于提高功率模块的使用安全性。
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公开(公告)号：CN218885966U
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202221816222.7
申请日：2022-07-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种夹紧组件、测试夹具及测试设备，涉及电子检测设备技术领域。该夹紧组件包括安装筒以及至少部分地安装于安装筒内且可相对安装筒伸缩的压紧件，安装筒与压紧件之间设有伸缩限位机构，伸缩限位机构包括至少一个卡槽以及与卡槽配合的卡块，其中，卡槽设置于安装筒与压紧件二者其中一个的侧壁上，卡块设置于二者中另一个的侧壁上。基于本实用新型的技术方案，满足电子器件的测试需求的同时，相较于螺纹配合的连接方式，该种结构可以避免螺丝滑丝情况的发生。
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公开(公告)号：CN218827080U
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202223356696.0
申请日：2022-12-12
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/40 , H01L23/367
Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，尤其涉及一种散热器及功率模块组件，该散热器用于承载功率模块，功率模块沿第一方向设置有键合线；散热器包括承载块，承载块具有用于承载功率模块的定位槽，定位槽沿第一方向的两侧设置有限位结构，两侧的限位结构分别与功率模块沿第一方向的两端抵接，该散热器可以有效防止功率模块在工作时内部高温引起塑封体膨胀造成内部应力向两边扩散而将键合线拉断的情况，延长功率模块的使用寿命。
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