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公开(公告)号：CN115621205A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211311401.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/04 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构及半导体封装方法，半导体封装结构包括：封装壳，封装壳具有容纳腔和与容纳腔连通的散热口；框架部，框架部的一部分设置在容纳腔内，框架部的另一部分凸出于封装壳外；芯片结构，芯片结构位于在容纳腔内，芯片结构设置在框架部上；导热部，导热部的至少一部分穿设在散热口内并和框架部接触，导热部用于将芯片结构产生的热量导出。采用该方案，通过在封装壳上设置散热口，保证注塑的可靠性，进一步地，通过穿设在散热口内的导热部实现对容纳腔内芯片结构产生的热量的传递，使得容纳腔内的热量能够通过导热部从容纳腔内传出，保证半导体封装结构的散热效果和散热的可靠性。
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公开(公告)号：CN115274587A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210933859.2
申请日：2022-08-04
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/40 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种封装结构、封装方法及半导体器件，该封装结构包括封装器件与包裹在所述封装器件外的封装层，所述封装层至少由两种导热系数不同的封装材料制成，导热系数高的一种或多种所述封装材料形成所述封装层的导热部。基于本发明的技术方案，采用在封装层上形成高导热系数制成的导热部的技术方案，在实现将封装器件的热量快速传递出来的同时，不需要减薄封装层整体的厚度，可以避免因厚度减薄而带来的封装层注塑不良的问题，保证封装结构的绝缘性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118676080A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410811208.5
申请日：2024-06-21
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括器件本体、塑封体以及散热柱，其中，所述塑封体对所述器件本体形成包裹，所述塑封体靠近所述器件本体的背面的端面上开设有导热孔。所述散热柱内嵌于所述导热孔内，且与所述导热孔螺纹固定。由此，可以在对所述器件本体进行封装时，增加所述塑封体的厚度，避免注塑不良。在此基础上通过导热性能优于所述塑封体的散热柱进行辅助散热，并提高了绝缘栅双极型晶体管的运行稳定性。
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公开(公告)号：CN118688600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411161753.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种IGBT模块监测的方法、装置、设备、介质及产品，应用于绝缘栅双极晶体管技术领域，包括：预置数据库，数据库存储多个特征点和IGBT模块中键合线的脱落数量的对应关系，特征点与导通电压、集电极电流、结温信息对应；获取IGBT模块中集电极至发射极的当前导通电压、当前集电极电流；预测IGBT模块的当前结温信息；在数据库中，确定当前导通电压、当前集电极电流，以及当前结温信息对应的当前特征点，并确定当前特征点对应的IGBT模块中键合线的脱落数量为IGBT模块中键合线的当前脱落数量。通过本发明实施例，实现了对IGBT模块中键合线的当前健康状况进行判断，提高IGBT模块在电力电子系统中的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN117650108A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311720938.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种功率模块与散热器结构，包括：功率模块和散热器；功率模块设置有沿第一方向相对设置的两个限位凹槽；散热器设置有沿第一方向相对设置的两个限位凸起，一个限位凸起嵌设于一个限位凹槽，以对功率模块进行横向限位；其中，限位凹槽或限位凸起其中之一设置有弹性卡接件，限位凹槽与限位凸起其中另一设置有卡槽，卡槽与弹性卡接件配合卡接，以对功率模块进行纵向限位。本申请实施例的功率模块与散热器结构通过对功率模块的横向和纵向的双重限位可以使功率模块可靠固定在散热器上，且安装过程简单便捷，不会对功率模块造成损坏，有利于提高功率模块的使用安全性。
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公开(公告)号：CN221841825U
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202323414082.8
申请日：2023-12-13
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种功率模块与散热器结构，包括：功率模块和散热器；功率模块设置有沿第一方向相对设置的两个限位凹槽；散热器设置有沿第一方向相对设置的两个限位凸起，一个限位凸起嵌设于一个限位凹槽，以对功率模块进行横向限位；其中，限位凹槽或限位凸起其中之一设置有弹性卡接件，限位凹槽与限位凸起其中另一设置有卡槽，卡槽与弹性卡接件配合卡接，以对功率模块进行纵向限位。本申请实施例的功率模块与散热器结构通过对功率模块的横向和纵向的双重限位可以使功率模块可靠固定在散热器上，且安装过程简单便捷，不会对功率模块造成损坏，有利于提高功率模块的使用安全性。
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公开(公告)号：CN220753409U
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202322021187.0
申请日：2023-07-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型涉及一种智能功率模块，涉及半导体技术领域。本实用新型的智能功率模块包括芯片、陶瓷基板和散热层。其中，芯片和散热层分别设置于陶瓷基板的两侧，散热层与陶瓷基板固定相连，散热层背离陶瓷基板的一面为多个散热结构，相邻两个散热结构之间形成凹槽。本实用新型的智能功率模块将散热层直接固定在陶瓷基板上，结构简单，芯片产生的热量容易传递到散热层上。散热层背离陶瓷基板的一面为多个散热结构，相邻两个散热结构之间形成凹槽，能增加散热层与空气的接触面积，提高散热效果，因而不需要另外再设置散热器，降低了智能功率模块的制造成本。
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