公开(公告)号：CN102074584B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010573965.1

申请日：2010-12-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  江婷婷 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  江安全

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法。先在硅衬底上生长栅电极、栅介质，并形成源、漏图形，再将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而实现石墨烯与栅介质的隔离。利用空气隙将石墨烯和栅介质隔离开，可以免去石墨烯上的缓冲层生长工艺，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，从而进一步提高石墨烯器件的电学特性。

公开(公告)号：CN102157686A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110054432.7

申请日：2011-03-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈闽川 ,  惠文渊 ,  刘骁兵

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简单，通过铁电薄膜中电畴的极性变化来调制表面电流，利用表面电流在电畴不同极化方向的特异性，使得存储器在较低的操作电压和极高的存储密度下实现高阻态与低阻态之间的转变。

公开(公告)号：CN102064111A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010574126.1

申请日：2010-12-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  江安全

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种利用含氟（F）等离子体释放金属栅/高k栅介质体系费米能级钉扎的方法。高k栅介质中缺陷的主要类型是氧空位，F具有较小的离子半径能够对氧空位进行填补，它是电负性最强的元素，也是唯一一种电负性比氧强的元素。用含F的等离子体对淀积好的高k栅介质进行处理，能够很好地对高k栅介质中的氧空位进行钝化，从而达到释放费米能级钉扎的目的，使金属栅/高k介质晶体管的亚阈值特性和阈值电压漂移得到改善。

公开(公告)号：CN101891468A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200910051878.7

申请日：2009-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈志辉 ,  沈臻魁 ,  万海军 ,  江安全

IPC: C04B35/472 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种铁电溶液及其薄膜电容制备的方法。本发明在制备先体溶液时，加入一定过量的铅原料，并配合一定的工艺流程，通过过量的铅抵消在制备铁电薄膜时的铅挥发，从而提高铁电薄膜的电学性能。所述前驱液由Pb、Zr、Ti的水解物的聚集物生成Pb1+xZryTi1-yO3(PZT)溶液，通过旋涂淀积在衬底上，后通过干化、热解、高温退火生成钙钛矿晶体结构的铁电薄膜，并在此基础上制作成铁电电容。本方法能克服现有技术中PZT铁电薄膜在高温结晶时发生铅挥发，导致铁电薄膜电学性能下降，使铁电电容的存储性能下降的缺陷，能明显提高铁电存储器(FERAM)的存储特性。

公开(公告)号：CN101655526A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910195455.2

申请日：2009-09-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  刘骁兵

IPC: G01R27/26

Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种快速电压扫描测量铁电薄膜微分电容的方法。本发明方法充分考虑到薄膜内不同微观铁电畴在外加电压作用下对宏观电容值的贡献，采用在预置脉冲后留有足够大小的弛豫时间，使注入电荷对微观电畴的钉扎效应降到最低。通过随后的任意幅度的脉冲电压快速扫描，对电容进行充电，并通过微小量的充电电压变化，使铁电薄膜电容产生相应的放电电流。通过与样品相连的示波器求出放电电荷，从而求出对应的微分电容。本发明解决了商用电桥无法快速电压扫描的问题，为测量铁电薄膜电容高频响应和研究微观缺陷运动对介电响应方面的贡献提供了有效的手段。

公开(公告)号：CN100550391C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710039405.6

申请日：2007-04-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  费瑾文 ,  汤庭鳌

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明涉及一种铁电电容器和铁电场效应管及其制备方法。该铁电电容器包括：n型或p型半导体衬底，在该衬底上设置的包含铁电层和反铁电层的双层结构，以及在该双层结构设置的上电极，必要时，在衬底和双层铁电结构之间设置一绝缘层。铁电场效管是上述铁电电容器作为存储单元。按常规工艺，依次制备衬底、绝缘层、铁电双层结构和上电极。本发明设计的铁电电容器和铁电场效管可有效提高逻辑保持时间。

公开(公告)号：CN101226956A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810033034.5

申请日：2008-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张燕均 ,  江安全 ,  汤庭鳌

IPC: H01L29/00 ,  H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3115 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种高密度电荷存储的新型铁电电容器及其制作方法。本发明利用氢离子注入到铁电薄膜内部，改变原有的铁电特性，形成新的反铁电特性，这种新的反铁电特性能够使得新型铁电薄膜电容器存储以及释放更多的电荷，新的反铁电特性也能改变薄膜相对介电常数特性，使得新型铁电薄膜电容能够应用于需要可变相对介电常数的器件领域。

公开(公告)号：CN204406311U

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201520014914.3

申请日：2015-01-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈志辉 ,  白子龙 ,  江安全 ,  孟建伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: G06F1/20

CPC classification number: Y02D10/16

Abstract: 本实用新型属于微电子技术领域,具体为一种超高速芯片的快速散热装置。快速散热装置包括依次加装在超高速芯片上的肋片散热器、温控开关、半导体制冷片及风冷散热器；本实用新型把自然对流散热、半导体制冷片散热及风冷散热方式相互结合。当超高速芯片工作于低频状态时，芯片散热量较小，肋片散热器依靠自然对流散热即可满足芯片散热要求；当高速芯片工作于高频状态时，芯片散热量急剧增大，温控开关开启半导体制冷片及风冷散热器，迅速冷却超高速芯片。本实用新型解决了目前以及未来超高速芯片难以、快速散热的技术障碍，同时具有高效、经济、节能、简单方便优点。