公开(公告)号：CN102650821A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210161659.6

申请日：2012-05-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈志辉 ,  孟建伟

IPC: G03F1/68

Abstract: 本发明属于微电子技术领域,具体为一种耐高温硬掩膜版制备方法。此耐高温硬掩膜版采用氧化锌材料，具体表现为在衬底上利用传统光刻技术使用正性光刻胶转移图形，然后室温下淀积一层氧化锌薄膜，去除光刻胶及其上的氧化锌薄膜层则衬底上留下与光刻胶相反的图形。在此基础上，可以根据需要在高温下淀积各种高温生长材料，最后通过能快速腐蚀氧化锌但对所淀积材料影响忽略不计的稀浓度酸去除氧化锌及其上的材料,最终实现在衬底上形成各种图形淀积材料结构。

公开(公告)号：CN102650821B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201210161659.6

申请日：2012-05-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈志辉 ,  孟建伟

IPC: G03F1/68

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种耐高温硬掩膜版制备方法。此耐高温硬掩膜版采用氧化锌材料，具体表现为在衬底上利用传统光刻技术使用正性光刻胶转移图形，然后室温下淀积一层氧化锌薄膜，去除光刻胶及其上的氧化锌薄膜层则衬底上留下与光刻胶相反的图形。在此基础上，可以根据需要在高温下淀积各种高温生长材料，最后通过能快速腐蚀氧化锌但对所淀积材料影响忽略不计的稀浓度酸去除氧化锌及其上的材料,最终实现在衬底上形成各种图形淀积材料结构。

公开(公告)号：CN204406311U

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201520014914.3

申请日：2015-01-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈志辉 ,  白子龙 ,  江安全 ,  孟建伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: G06F1/20

CPC classification number: Y02D10/16

Abstract: 本实用新型属于微电子技术领域,具体为一种超高速芯片的快速散热装置。快速散热装置包括依次加装在超高速芯片上的肋片散热器、温控开关、半导体制冷片及风冷散热器；本实用新型把自然对流散热、半导体制冷片散热及风冷散热方式相互结合。当超高速芯片工作于低频状态时，芯片散热量较小，肋片散热器依靠自然对流散热即可满足芯片散热要求；当高速芯片工作于高频状态时，芯片散热量急剧增大，温控开关开启半导体制冷片及风冷散热器，迅速冷却超高速芯片。本实用新型解决了目前以及未来超高速芯片难以、快速散热的技术障碍，同时具有高效、经济、节能、简单方便优点。