公开(公告)号：CN102157686A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110054432.7

申请日：2011-03-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈闽川 ,  惠文渊 ,  刘骁兵

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简单，通过铁电薄膜中电畴的极性变化来调制表面电流，利用表面电流在电畴不同极化方向的特异性，使得存储器在较低的操作电压和极高的存储密度下实现高阻态与低阻态之间的转变。

公开(公告)号：CN102157686B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110054432.7

申请日：2011-03-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈闽川 ,  惠文渊 ,  刘骁兵

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简单，通过铁电薄膜中电畴的极性变化来调制表面电流，利用表面电流在电畴不同极化方向的特异性，使得存储器在较低的操作电压和极高的存储密度下实现高阻态与低阻态之间的转变。