-
公开(公告)号：CN107123648B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201710237667.7
申请日：2017-04-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读/写操作的非易失性铁电忆阻器及其制备方法和操作方法。该铁电忆阻器包括铁电薄膜层及设置在铁电薄膜层表面的读写电极对，其中，读写电极对之间的间隙为不规则图形，铁电薄膜层的电畴的极化方向不平行于读写电极平面的法线方向；在读写电极对上偏置某一方向的写电压操作时，可实现随不同写电压变化而存储不同信息。本发明的铁电忆阻器可以实现随写电压连续变化以电流方式非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN104637948B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510036526.X
申请日：2015-01-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507 , G11C11/22
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层和设置在铁电薄膜层上的读写电极层，读写电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不平行所述读写电极层的法线方向；其中，读操作和写操作都可以通过读写电极层完成。本发明的铁电存储器结构简单、制备简单、成本低，可以实现电流方式的非破坏性读出，适合于高密度应用。
-
公开(公告)号：CN109791785B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201880003413.1
申请日：2018-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，本发明提供的铁电存储集成电路，包括：铁电存储器阵列，其具有在铁电单晶层上形成的存储单元阵列；其中，所述铁电存储器阵列的每个铁电存储器单元主要由存储单元阵列中的一个存储单元形成、或者主要由存储单元阵列中的一个存储单元以及该存储单元电连接的形成于所述硅基读写电路的硅基上的一个晶体管形成。
-
公开(公告)号：CN104637948A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510036526.X
申请日：2015-01-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , G11C11/22
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层和设置在铁电薄膜层上的读写电极层，读写电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不平行所述读写电极层的法线方向；其中，读操作和写操作都可以通过读写电极层完成。本发明的铁电存储器结构简单、制备简单、成本低，可以实现电流方式的非破坏性读出，适合于高密度应用。
-
公开(公告)号：CN107230676A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710362281.9
申请日：2017-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法。该非挥发铁电存储器的每个存储单元为面内电容器结构或上下电容器结构；铁电材料的极化方向都分别垂直于电极；当在两个电极上施加与体铁电的电畴极化方向相反的足够大的写电压时，电极所对应区域的铁电畴自极化方向沿电场方向发生反转，电极间电畴极化方向与周边体电畴极化方向相反，在两电畴间形成畴壁，该畴壁通常是导电通道；读取信息时通过导电通道的读电流与导电畴壁周长成正比，导电畴壁周长越长，读电流越大。本发明的铁电存储器可以提高存储单元中的读出电流，有利于提高数据的读取速度和可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107123648A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710237667.7
申请日：2017-04-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读/写操作的非易失性铁电忆阻器及其制备方法和操作方法。该铁电忆阻器包括铁电薄膜层及设置在铁电薄膜层表面的读写电极对，其中，读写电极对之间的间隙为不规则图形，铁电薄膜层的电畴的极化方向不平行于读写电极平面的法线方向；在读写电极对上偏置某一方向的写电压操作时，可实现随不同写电压变化而存储不同信息。本发明的铁电忆阻器可以实现随写电压连续变化以电流方式非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN107230676B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201710362281.9
申请日：2017-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法。该非挥发铁电存储器的每个存储单元为面内电容器结构或上下电容器结构；铁电材料的极化方向都分别垂直于电极；当在两个电极上施加与体铁电的电畴极化方向相反的足够大的写电压时，电极所对应区域的铁电畴自极化方向沿电场方向发生反转，电极间电畴极化方向与周边体电畴极化方向相反，在两电畴间形成畴壁，该畴壁通常是导电通道；读取信息时通过导电通道的读电流与导电畴壁周长成正比，导电畴壁周长越长，读电流越大。本发明的铁电存储器可以提高存储单元中的读出电流，有利于提高数据的读取速度和可靠性。
-
公开(公告)号：CN107481751B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710793719.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/11502
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为铁电存储器集成电路设计及其制造方法。本发明的铁电存储器包括：交叉棒（Crossbar）结构和一个开关晶体管一个电阻式铁电存储单元（1T1R）结构的铁电存储器。铁电存储器单元由铁电层，以及置于铁电存储单元两侧的第一电极和第二电极、绝缘层和硅基读写电路组成。其中，铁电存储单元的电畴极化方向在第一电极和第二电极的连线方向上有分量。以上存储单元的读出电流具有单向导通性，可避免电路中存储单元间信息读写的串扰，降低能耗，提高交叉棒集成的阵列规模和密度，简化电路设计，最终提高存储密度。
-
公开(公告)号：CN109791785A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201880003413.1
申请日：2018-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/11502
CPC classification number: G11C11/2273 , G11C11/2275 , H01L27/11502
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，本发明提供的铁电存储集成电路，包括：铁电存储器阵列，其具有在铁电单晶层上形成的存储单元阵列；其中，所述铁电存储器阵列的每个铁电存储器单元主要由存储单元阵列中的一个存储单元形成、或者主要由存储单元阵列中的一个存储单元以及该存储单元电连接的形成于所述硅基读写电路的硅基上的一个晶体管形成。
-
公开(公告)号：CN107481751A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710793719.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/11502
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为铁电存储器集成电路设计及其制造方法。本发明的铁电存储器包括：交叉棒（Crossbar）结构和一个开关晶体管一个电阻式铁电存储单元（1T1R）结构的铁电存储器。铁电存储器单元由铁电层，以及置于铁电存储单元两侧的第一电极和第二电极、绝缘层和硅基读写电路组成。其中，铁电存储单元的电畴极化方向在第一电极和第二电极的连线方向上有分量。以上存储单元的读出电流具有单向导通性，可避免电路中存储单元间信息读写的串扰，降低能耗，提高交叉棒集成的阵列规模和密度，简化电路设计，最终提高存储密度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.014 seconds)
