公开(公告)号：CN101226956A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810033034.5

申请日：2008-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张燕均 ,  江安全 ,  汤庭鳌

IPC: H01L29/00 ,  H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3115 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种高密度电荷存储的新型铁电电容器及其制作方法。本发明利用氢离子注入到铁电薄膜内部，改变原有的铁电特性，形成新的反铁电特性，这种新的反铁电特性能够使得新型铁电薄膜电容器存储以及释放更多的电荷，新的反铁电特性也能改变薄膜相对介电常数特性，使得新型铁电薄膜电容能够应用于需要可变相对介电常数的器件领域。

公开(公告)号：CN102005383A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910195106.0

申请日：2009-09-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 翁旭东 ,  万海军 ,  张燕均 ,  张鑫 ,  江安全

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L27/10

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种赝反铁电薄膜的制备方法。它通过一定剂量和能量的氢离子注入掺杂，在铁电薄膜中形成一种稳定分布的掺杂离子，通过电荷补偿模式改变铁电薄膜畴的翻转特性。通过本发明方法，能够在任意成份比例的铁电薄膜中实现薄膜的反铁电特性，能在高密度电荷存储领域有所应用。本发明方法不仅提供了新的赝反铁电薄膜的制备方法，同时也有利于铁电薄膜电畴翻转物理机制的进一步深入研究，在学术上有着重大的意义。