一种赝反铁电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102005383A

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN200910195106.0

    申请日:2009-09-03

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于微电子技术领域,涉及一种赝反铁电薄膜的制备方法。它通过一定剂量和能量的氢离子注入掺杂,在铁电薄膜中形成一种稳定分布的掺杂离子,通过电荷补偿模式改变铁电薄膜畴的翻转特性。通过本发明方法,能够在任意成份比例的铁电薄膜中实现薄膜的反铁电特性,能在高密度电荷存储领域有所应用。本发明方法不仅提供了新的赝反铁电薄膜的制备方法,同时也有利于铁电薄膜电畴翻转物理机制的进一步深入研究,在学术上有着重大的意义。

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