公开(公告)号：CN102074584B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010573965.1

申请日：2010-12-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  江婷婷 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  江安全

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法。先在硅衬底上生长栅电极、栅介质，并形成源、漏图形，再将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而实现石墨烯与栅介质的隔离。利用空气隙将石墨烯和栅介质隔离开，可以免去石墨烯上的缓冲层生长工艺，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，从而进一步提高石墨烯器件的电学特性。

公开(公告)号：CN102097297B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010545155.5

申请日：2010-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江婷婷 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种采用电场诱导的在石墨烯表面原子层淀积高k栅介质的方法。具体是在电场的诱导下，石墨烯表面的离域大π建被破坏，电子分布取向发生变化，从而可以在不预先淀积缓冲层的情况下直接在石墨烯表面原子层淀积均匀的高k栅介质，简化了工艺过程，提高了石墨烯器件的电学特性。

公开(公告)号：CN102097297A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010545155.5

申请日：2010-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江婷婷 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种采用电场诱导的在石墨烯表面原子层淀积高k栅介质的方法。具体是在电场的诱导下，石墨烯表面的离域大π建被破坏，电子分布取向发生变化，从而可以在不预先淀积缓冲层的情况下直接在石墨烯表面原子层淀积均匀的高k栅介质，简化了工艺过程，提高了石墨烯器件的电学特性。

公开(公告)号：CN102074584A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010573965.1

申请日：2010-12-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  江婷婷 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  江安全

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法。先在硅衬底上生长栅电极、栅介质，并形成源、漏图形，再将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而实现石墨烯与栅介质的隔离。利用空气隙将石墨烯和栅介质隔离开，可以免去石墨烯上的缓冲层生长工艺，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，从而进一步提高石墨烯器件的电学特性。