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公开(公告)号：CN102013453B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910195208.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶对应一种厚度，可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列。由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后，薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高，因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料，用于红外热释电探测器，机敏器件和系统，且制备方法简单易操作，具有很大的成本优势。
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公开(公告)号：CN101620879A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910055566.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G11C11/5657
Abstract: 本发明提出一种实现铁电存储器多位数据存储的操作方法，属于微电子技术领域，它在铁电存储器存储单元中，通过外加不同的写脉冲电压来使得铁电薄膜相应产生不同大小的剩余极化强度，并相应定义为不同的存储态，再通过一个固定外加正读电压，读取相应的各存储态，从而在单个存储单元中实现多位存储功能。利用本发明多位数据存储的操作方法，使得多位存储器件可以极大地提高存储密度，大大地降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101975794B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010276530.0
申请日：2010-09-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种适用于金属性薄膜材料的3omega热导测量方法。该方法基于改进的解析模型，利用3omega测试结构与频率相关的热学响应特性，通过实验拟合手段得到与一组频率相关的热流比值。从该值推导出实验材料的热阻，并最终得到被测样品的热导值。利用本发明的热导测量方法，可以提供快速准确的金属薄膜热导信息，大大扩展了3omega电学测量技术的适用范围。本发明适用于纳米量级薄膜的测量，样品结构简单，避免原有电学测试方法中的复杂工艺结构，因此可作为金属薄膜材料热学参量的快速表征手段，在微电子工业领域中有其应用前景。
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公开(公告)号：CN101937871A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010253667.4
申请日：2010-08-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种构造低介电常数介质材料表面形貌图的方法。本发明利用纳米压印技术直接压印加工低介电常数介质材料，实现该介质材料的表面图形化，以便在集成电路互连制造工艺中应用。相比于传统光刻、刻蚀技术实现介质材料图形化的方法而言，采用本发明的图形化技术，简化了互连制造工艺步骤，大大地降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101882463B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910221812.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫顽电压，通过施加不同的外电压来极化反转相应台阶厚度的铁电薄膜。可以在单个存储单元中通过组合不同台阶厚度的铁电薄膜来实现多位数据存储功能。采用本发明方法加工的多位存储器件可以极大地提高存储密度，降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101882463A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910221812.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫顽电压，通过施加不同的外电压来极化反转相应台阶厚度的铁电薄膜。可以在单个存储单元中通过组合不同台阶厚度的铁电薄膜来实现多位数据存储功能。采用本发明方法加工的多位存储器件可以极大地提高存储密度，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102013453A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910195208.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶对应一种厚度，可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列。由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后，薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高，因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料，用于红外热释电探测器，机敏器件和系统，且制备方法简单易操作，具有很大的成本优势。
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公开(公告)号：CN101786599A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010022795.8
申请日：2010-01-14
Applicant: 复旦大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种构造铁电薄膜材料表面形貌的方法。它利用纳米压印技术构造铁电薄膜材料表面形貌的同时，使得被压印铁电材料的电畴自发极化方向取向有序化。而且电畴自发极化方向取向有序化程度可由应力大小来控制。相比于传统的依靠外加电压控制铁电材料电畴自发极化方向取向的方法，本发明方法具有方便，有效的优点，可以广泛应用在铁电存贮器(FeRAMs)、微电子机械系统(MEMS)及光电子等领域。
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