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公开(公告)号：CN114019341A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111301375.8
申请日：2021-11-04
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明一个或多个实施例提供一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统，过电流保护电路包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道。本发明能够在IGBT动态测试系统出现失效过电流时能有效限制回路电流，保护整个系统不会受到大电流的冲击，电路结构简单，且快速又可靠。
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公开(公告)号：CN112803373B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202011474538.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。
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公开(公告)号：CN114040568A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111268274.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种IGCT以及大功率半导体器件。该IGCT包括GCT、接口板、驱动板和屏蔽罩，屏蔽罩位于接口板下方，接口板包括相邻设置的接口板一部和接口板二部，屏蔽罩包括相邻设置的屏蔽罩一部和屏蔽罩二部，接口板一部、屏蔽罩一部以及GCT压接配合，GCT凸出于接口板一部的台阶面为阳极台面，GCT凸出于屏蔽罩一部的台阶面为阴极台面；驱动板与接口板二部和屏蔽罩二部可拆卸地连接。利用该IGCT，通过将IGCT传统的驱动单元电路板拆分为接口板和驱动板，接口板一侧与GCT、屏蔽罩压接，接口板另一侧与驱动板、屏蔽罩可拆卸地连接，从而为定期更换驱动板提供了结构基础。
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公开(公告)号：CN114024323B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111273329.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种投切控制装置的辅助供电电路及电子器件投切电路，投切控制装置的辅助供电电路，包括RC电路和取能电路；RC电路一端连接于第一电子器件的一端，RC电路另一端连接取能电路的第一输入端；取能电路的第二输入端连接于第一电子器件的另一端，取能电路的输出端连接投切控制装置；投切控制装置为用于控制与第一电子器件串联的第二电子器件投切的装置。采用本发明，可以保证投切控制装置的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN114024323A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111273329.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种投切控制装置的辅助供电电路及电子器件投切电路，投切控制装置的辅助供电电路，包括RC电路和取能电路；RC电路一端连接于第一电子器件的一端，RC电路另一端连接取能电路的第一输入端；取能电路的第二输入端连接于第一电子器件的另一端，取能电路的输出端连接投切控制装置；投切控制装置为用于控制与第一电子器件串联的第二电子器件投切的装置。采用本发明，可以保证投切控制装置的工作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112803373A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011474538.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。
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公开(公告)号：CN111918525A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010706566.1
申请日：2020-07-21
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于模拟电力牵引变流模块所处风冷环境的装置，该装置包括：风源单元，用于产生预定气流；供风管道，其包括与风源单元相连的进风口和与大气接通的出风口，以及设在进风口和出风口之间的且能装入电力牵引变流模块的装配口。供风管道能够充分汇聚风源单元输出的预定气流，然后以均匀地风速吹向电力牵引变流模块，从而能够充分模拟车辆实际工作的散热条件，使电力牵引变流模块在良好的散热环境下进行测试，从而提高测试的准确性。
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公开(公告)号：CN221862667U
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202323289112.7
申请日：2023-12-04
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H02M1/32 , H02M1/08 , H02M1/088 , H03K17/082
Abstract: 本申请提供一种短路保护驱动电路及设备，该电路中，第一碳化硅MOS模块和第二碳化硅MOS模块串联于负载主电路形成半桥电路，电流传感器S1与负载主电路连接，电流传感器S1用于检测负载主电路中位于第一碳化硅MOS模块和第二碳化硅MOS模块之间的电流信号，第一驱动电路和第二驱动电路均与电流传感器S1连接，第一驱动电路与第一碳化硅MOS模块连接，第一驱动电路用于根据电流信号控制第一碳化硅MOS模块的栅极电压，第二驱动电路与第二碳化硅MOS模块连接，第二驱动电路用于根据电流信号控制第二碳化硅MOS模块的栅极电压。本申请具有电路短路保护的效果。
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公开(公告)号：CN216490256U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122587046.6
申请日：2021-10-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H02M7/04
Abstract: 本实用新型公开了一种高位取能电路，包括主晶闸管、正向充电模块、负向充电模块和RC吸收模块；所述正向充电模块包括第一二极管、第二二极管、第一维持晶闸管、第一维持信号单元和第一充电电容；所述负向充电模块包括第三二极管、第四二极管、第二维持晶闸管、第二维持信号单元和第二充电电容；所述RC吸收模块包括吸收电阻和吸收电容；当主晶闸管的阳极为正电压时，端电压加在第一维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第三二极管形成的回路；当主晶闸管V1的阳极为负电压时，端电压加在第二维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第一二极管形成的回路，这样，整个周期内控制单元均能够从RC吸收回路取电，延长了取电时间，提高了取电功率。
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公开(公告)号：CN220022605U
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202320696070.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H02M1/088 , H02M1/32 , H02M7/5387
Abstract: 本实用新型提供一种驱动电路，包括：驱动推挽电路，所述驱动推挽电路包括第一电源端、输出节点、第二电源端和驱动控制端，用于根据所述驱动控制端的控制信号控制所述输出节点的输出电压为第一电源端或第二电源端的电压；驱动电阻，用于根据所述输出节点的输出电压控制目标晶体管的栅极电压，其中，所述目标晶体管为上桥臂晶体管或下桥臂晶体管；负压抑制电路，用于根据所述第一电源端与所述输出节点之间的电压差来确定是否将所述目标晶体管的栅极电压钳位到与所述目标晶体管的源极电压相同。能够有效避免负向电压过大带来的栅极绝缘层加速退化或损坏的问题，且能够有效避免正向电压过大带来上下桥臂晶体管直通的问题。
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