公开(公告)号：CN109559967A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811117706.0

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  宣钟宇 ,  韩奎熙 ,  许桄熀 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。所述等离子体处理装置包括：腔室，其包括用于处理衬底的空间；衬底台，其在所述腔室内支撑所述衬底并且包括下电极；上电极，其在所述腔室内面向所述下电极；第一电源，其包括正弦波电源，所述正弦波电源被配置为将正弦波功率施加到所述下电极以在所述腔室内形成等离子体；以及第二电源，其被配置为将非正弦波功率施加到所述上电极以产生电子束。

公开(公告)号：CN103681676A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310384950.4

申请日：2013-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹准皓 ,  闵庚珍 ,  朴宰弘 ,  张用玧 ,  韩济愚

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 本发明提供了包括用于电极的支撑件的半导体器件。每个半导体器件可以包括多个电极。此外，每个半导体器件可以包括与多个电极的侧壁连接的支撑图案。还提供了形成相关半导体器件的方法。例如，所述方法可以包括在形成多个电极之前形成支撑图案。

公开(公告)号：CN110323116B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201811245039.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞训 ,  严正焕 ,  朴珍荣 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  宣种宇 ,  全尚珍 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种气体分布板和一种包括该气体分布板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，被构造为供应处理气体；以及附加分流器，被构造为供应加速气体或减速气体。多个喷嘴可以包括多个中心喷嘴、多个外围喷嘴、被构造为喷射处理气体和加速气体的多个中间喷嘴、多个第一喷嘴和多个第二喷嘴。

公开(公告)号：CN110277295B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201910109891.7

申请日：2019-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全尚珍 ,  崔日燮 ,  朴珍永 ,  朴赞训 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  严正焕 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了用于制造半导体器件的系统和方法。所述用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；静电卡盘，用于装载基底；电源，将RF功率提供到静电卡盘；阻抗匹配器，位于电源与静电卡盘之间；功率传输单元，将静电卡盘连接到阻抗匹配器。功率传输单元可以包括功率杆和同轴电缆，功率杆连接到静电卡盘并且具有第一外径。同轴电缆可以包括内线、外线以及位于内线与外线之间的介电材料。内线将功率杆连接到阻抗匹配器并且具有比第一外径小的第二外径。外线连接到腔室且被设置为包围内线，并且具有比第一外径小且比第二外径大的第一内径。第一内径与第二外径的比大于介电材料的介电常数并且小于介电材料的介电常数的三倍。

公开(公告)号：CN110323116A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811245039.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞训 ,  严正焕 ,  朴珍荣 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  宣种宇 ,  全尚珍 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种气体分布板和一种包括该气体分布板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，被构造为供应处理气体；以及附加分流器，被构造为供应加速气体或减速气体。多个喷嘴可以包括多个中心喷嘴、多个外围喷嘴、被构造为喷射处理气体和加速气体的多个中间喷嘴、多个第一喷嘴和多个第二喷嘴。

公开(公告)号：CN111430207B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN201910964482.5

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承润 ,  朴赞训 ,  宣钟宇 ,  成正模 ,  韩济愚 ,  朴珍荣

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。

公开(公告)号：CN111128666B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910825086.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  宣钟宇 ,  韩济愚 ,  朴赞训 ,  宋承润 ,  明涩荷

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理装置包括：腔体外壳；设置在腔壳体中的静电卡盘，静电卡盘被配置成保持半导体晶片；围绕静电卡盘的边缘环，边缘环包括设置在边缘环内的环电极；以及环电压源，被配置成向环电极供应环电压，环电压具有非正弦周期波形，其中，非正弦周期波形的每个周期包括在第一时段期间施加的正电压以及在第二时段期间施加的负电压，并且其中，负电压的大小在第二时段期间增大。

公开(公告)号：CN103681676B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201310384950.4

申请日：2013-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹准皓 ,  闵庚珍 ,  朴宰弘 ,  张用玧 ,  韩济愚

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 本发明提供了包括用于电极的支撑件的半导体器件。每个半导体器件可以包括多个电极。此外，每个半导体器件可以包括与多个电极的侧壁连接的支撑图案。还提供了形成相关半导体器件的方法。例如，所述方法可以包括在形成多个电极之前形成支撑图案。

公开(公告)号：CN111834189B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202010074502.4

申请日：2020-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟宇 ,  宋仁哲 ,  尹洪珉 ,  林智贤 ,  友安昌幸 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括：壳体，包围工艺室；等离子体源单元，连接到壳体，并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环，喷头包括安装在固定环上的上电极，并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔；静电吸盘，连接到壳体并包括下电极，并且用于使半导体基底安装在其上；以及环单元，安装在静电吸盘的边缘部分上，并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面，聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面，覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。

公开(公告)号：CN111430207A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201910964482.5

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承润 ,  朴赞训 ,  宣钟宇 ,  成正模 ,  韩济愚 ,  朴珍荣

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。