公开(公告)号：CN113451094A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110191266.9

申请日：2021-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋仁哲 ,  友安昌幸 ,  尹洪珉 ,  林智贤

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种聚焦环、用于固定基底的卡盘组件以及等离子体处理设备。所述聚焦环包括：第一导电层，具有第一厚度和第一比电阻；第二导电层，堆叠在第一导电层上，第二导电层具有大于第一厚度的第二厚度和大于第一比电阻的第二比电阻；以及介电层，位于第一导电层的下表面和第二导电层的上表面中的一个上。

公开(公告)号：CN111834189A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010074502.4

申请日：2020-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟宇 ,  宋仁哲 ,  尹洪珉 ,  林智贤 ,  友安昌幸 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括：壳体，包围工艺室；等离子体源单元，连接到壳体，并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环，喷头包括安装在固定环上的上电极，并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔；静电吸盘，连接到壳体并包括下电极，并且用于使半导体基底安装在其上；以及环单元，安装在静电吸盘的边缘部分上，并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面，聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面，覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。

公开(公告)号：CN111834189B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202010074502.4

申请日：2020-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟宇 ,  宋仁哲 ,  尹洪珉 ,  林智贤 ,  友安昌幸 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括：壳体，包围工艺室；等离子体源单元，连接到壳体，并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环，喷头包括安装在固定环上的上电极，并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔；静电吸盘，连接到壳体并包括下电极，并且用于使半导体基底安装在其上；以及环单元，安装在静电吸盘的边缘部分上，并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面，聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面，覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。