公开(公告)号：CN109559967A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811117706.0

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  宣钟宇 ,  韩奎熙 ,  许桄熀 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。所述等离子体处理装置包括：腔室，其包括用于处理衬底的空间；衬底台，其在所述腔室内支撑所述衬底并且包括下电极；上电极，其在所述腔室内面向所述下电极；第一电源，其包括正弦波电源，所述正弦波电源被配置为将正弦波功率施加到所述下电极以在所述腔室内形成等离子体；以及第二电源，其被配置为将非正弦波功率施加到所述上电极以产生电子束。

公开(公告)号：CN109698110B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811235291.7

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  姜姓佶 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  舆石公 ,  V.帕什科夫斯基 ,  许桄熀

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。

公开(公告)号：CN110783222A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910531242.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘钒镇 ,  金旼亨 ,  南象基 ,  张原赫 ,  韩奎熙 ,  金永焘 ,  方政民

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种清洗溶液制作系统用于清洗半导体基板。该系统包括：压力罐；等离子体反应罐，被配置为在悬浮在从压力罐获得的减压液体中的气泡中形成等离子体，从而在减压液体中产生自由基物种；存储罐，被配置为存储含有在等离子体反应罐中产生的自由基物种的清洗溶液；以及喷嘴，被配置为将清洗溶液从存储罐供应到半导体基板。

公开(公告)号：CN110299282B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910116607.9

申请日：2019-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔虎燮 ,  金旼亨 ,  刘钒镇 ,  张原赫 ,  方政民 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。

公开(公告)号：CN109698110A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811235291.7

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  姜姓佶 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  舆石公 ,  V.帕什科夫斯基 ,  许桄熀

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32596 ,  H01J1/025 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。

公开(公告)号：CN110783222B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201910531242.6

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘钒镇 ,  金旼亨 ,  南象基 ,  张原赫 ,  韩奎熙 ,  金永焘 ,  方政民

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种清洗溶液制作系统用于清洗半导体基板。该系统包括：压力罐；等离子体反应罐，被配置为在悬浮在从压力罐获得的减压液体中的气泡中形成等离子体，从而在减压液体中产生自由基物种；存储罐，被配置为存储含有在等离子体反应罐中产生的自由基物种的清洗溶液；以及喷嘴，被配置为将清洗溶液从存储罐供应到半导体基板。

公开(公告)号：CN110711738B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201910118974.2

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼亨 ,  刘钒镇 ,  南象基 ,  路四清 ,  张原赫 ,  韩奎熙

IPC: B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/00 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

Abstract: 提供了一种等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备。该清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。

公开(公告)号：CN110711738A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910118974.2

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼亨 ,  刘钒镇 ,  南象基 ,  路四清 ,  张原赫 ,  韩奎熙

IPC: B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/00 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

Abstract: 提供了一种等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备。该清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。

公开(公告)号：CN110299282A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910116607.9

申请日：2019-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔虎燮 ,  金旼亨 ,  刘钒镇 ,  张原赫 ,  方政民 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。