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公开(公告)号：CN109659228B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201811126880.1
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种图案形成方法和一种衬底蚀刻方法。一种形成半导体器件图案的方法，包括：在衬底上形成包含第一碳化合物的光刻胶图案；改良所述光刻胶图案的顶表面，以在所述光刻胶图案上形成包含不同于所述第一碳化合物的第二碳化合物的上掩模层；以及使用所述上掩模层和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底的一部分。
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公开(公告)号：CN111430207A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910964482.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。
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公开(公告)号：CN109659228A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811126880.1
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种图案形成方法和一种衬底蚀刻方法。一种形成半导体器件图案的方法，包括：在衬底上形成包含第一碳化合物的光刻胶图案；改良所述光刻胶图案的顶表面，以在所述光刻胶图案上形成包含不同于所述第一碳化合物的第二碳化合物的上掩模层；以及使用所述上掩模层和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111430207B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201910964482.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。
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公开(公告)号：CN109786201A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811215149.6
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32724 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32449 , H01J2237/0266 , H01J2237/032 , H01J2237/327 , H01L21/6833 , H01L21/68735
Abstract: 提供了一种等离子体处理装置，用于在等离子体工艺期间控制腔室的边缘区域处的等离子体分布，从而对半导体基板可靠地执行等离子体工艺。该等离子体处理装置包括：腔室，包括限定反应空间的外壁和覆盖外壁的上部的窗口；线圈天线，设置在窗口之上并包括至少两个线圈；以及静电吸盘(ESC)，设置在腔室的下部中，其中电极位于ESC内，其中该电极包括第一电极和至少一个第二电极，该第一电极用于吸附，该至少一个第二电极提供在ESC的内部的边缘处从而相对于ESC的顶表面具有倾斜。
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