公开(公告)号：CN111128666B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910825086.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  宣钟宇 ,  韩济愚 ,  朴赞训 ,  宋承润 ,  明涩荷

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理装置包括：腔体外壳；设置在腔壳体中的静电卡盘，静电卡盘被配置成保持半导体晶片；围绕静电卡盘的边缘环，边缘环包括设置在边缘环内的环电极；以及环电压源，被配置成向环电极供应环电压，环电压具有非正弦周期波形，其中，非正弦周期波形的每个周期包括在第一时段期间施加的正电压以及在第二时段期间施加的负电压，并且其中，负电压的大小在第二时段期间增大。

公开(公告)号：CN111128666A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910825086.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  宣钟宇 ,  韩济愚 ,  朴赞训 ,  宋承润 ,  明涩荷

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理装置包括：腔体外壳；设置在腔壳体中的静电卡盘，静电卡盘被配置成保持半导体晶片；围绕静电卡盘的边缘环，边缘环包括设置在边缘环内的环电极；以及环电压源，被配置成向环电极供应环电压，环电压具有非正弦周期波形，其中，非正弦周期波形的每个周期包括在第一时段期间施加的正电压以及在第二时段期间施加的负电压，并且其中，负电压的大小在第二时段期间增大。