公开(公告)号：CN110277295A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910109891.7

申请日：2019-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全尚珍 ,  崔日燮 ,  朴珍永 ,  朴赞训 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  严正焕 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了用于制造半导体器件的系统和方法。所述用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；静电卡盘，用于装载基底；电源，将RF功率提供到静电卡盘；阻抗匹配器，位于电源与静电卡盘之间；功率传输单元，将静电卡盘连接到阻抗匹配器。功率传输单元可以包括功率杆和同轴电缆，功率杆连接到静电卡盘并且具有第一外径。同轴电缆可以包括内线、外线以及位于内线与外线之间的介电材料。内线将功率杆连接到阻抗匹配器并且具有比第一外径小的第二外径。外线连接到腔室且被设置为包围内线，并且具有比第一外径小且比第二外径大的第一内径。第一内径与第二外径的比大于介电材料的介电常数并且小于介电材料的介电常数的三倍。

公开(公告)号：CN110391124B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910225395.8

申请日：2019-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 爱德华·成 ,  邦晋荣 ,  金爀 ,  赵诚一

IPC: H01J37/32

Abstract: 根据本发明构思的实施例的喷淋头包括：具有多个气体供给通道的上板，具有形成在下表面中的多个供给孔和多个排气槽的下板，以及在所述上板和所述下板之间的多个分隔壁，所述多个分隔壁连接到所述多个排气槽并限定在喷淋头的侧部开口的排气通道。

公开(公告)号：CN108987272A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711418493.0

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林永大 ,  郑承宰 ,  邦晋荣 ,  金一宇 ,  郑虎吉

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/40117 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供包括绝缘层的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：衬底；绝缘层和栅电极的叠层结构，所述绝缘层和栅电极交替地并且重复地堆叠在所述衬底上；以及柱，所述柱穿过所述叠层结构。所述绝缘层包括下绝缘层、设置在所述下绝缘层上的中间绝缘层和设置在所述中间绝缘层上的上绝缘层。所述下绝缘层的硬度小于所述中间绝缘层的硬度，并且所述上绝缘层的硬度大于所述中间绝缘层的硬度。

公开(公告)号：CN110323116B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201811245039.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞训 ,  严正焕 ,  朴珍荣 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  宣种宇 ,  全尚珍 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种气体分布板和一种包括该气体分布板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，被构造为供应处理气体；以及附加分流器，被构造为供应加速气体或减速气体。多个喷嘴可以包括多个中心喷嘴、多个外围喷嘴、被构造为喷射处理气体和加速气体的多个中间喷嘴、多个第一喷嘴和多个第二喷嘴。

公开(公告)号：CN110277295B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201910109891.7

申请日：2019-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全尚珍 ,  崔日燮 ,  朴珍永 ,  朴赞训 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  严正焕 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了用于制造半导体器件的系统和方法。所述用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；静电卡盘，用于装载基底；电源，将RF功率提供到静电卡盘；阻抗匹配器，位于电源与静电卡盘之间；功率传输单元，将静电卡盘连接到阻抗匹配器。功率传输单元可以包括功率杆和同轴电缆，功率杆连接到静电卡盘并且具有第一外径。同轴电缆可以包括内线、外线以及位于内线与外线之间的介电材料。内线将功率杆连接到阻抗匹配器并且具有比第一外径小的第二外径。外线连接到腔室且被设置为包围内线，并且具有比第一外径小且比第二外径大的第一内径。第一内径与第二外径的比大于介电材料的介电常数并且小于介电材料的介电常数的三倍。

公开(公告)号：CN110323116A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811245039.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞训 ,  严正焕 ,  朴珍荣 ,  朴皓用 ,  邦晋荣 ,  宣种宇 ,  全尚珍 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种气体分布板和一种包括该气体分布板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，被构造为供应处理气体；以及附加分流器，被构造为供应加速气体或减速气体。多个喷嘴可以包括多个中心喷嘴、多个外围喷嘴、被构造为喷射处理气体和加速气体的多个中间喷嘴、多个第一喷嘴和多个第二喷嘴。

公开(公告)号：CN108987272B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201711418493.0

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林永大 ,  郑承宰 ,  邦晋荣 ,  金一宇 ,  郑虎吉

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供包括绝缘层的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：衬底；绝缘层和栅电极的叠层结构，所述绝缘层和栅电极交替地并且重复地堆叠在所述衬底上；以及柱，所述柱穿过所述叠层结构。所述绝缘层包括下绝缘层、设置在所述下绝缘层上的中间绝缘层和设置在所述中间绝缘层上的上绝缘层。所述下绝缘层的硬度小于所述中间绝缘层的硬度，并且所述上绝缘层的硬度大于所述中间绝缘层的硬度。

公开(公告)号：CN110391124A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910225395.8

申请日：2019-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 爱德华·成 ,  邦晋荣 ,  金爀 ,  赵诚一

IPC: H01J37/32

Abstract: 根据本发明构思的实施例的喷淋头包括：具有多个气体供给通道的上板，具有形成在下表面中的多个供给孔和多个排气槽的下板，以及在所述上板和所述下板之间的多个分隔壁，所述多个分隔壁连接到所述多个排气槽并限定在喷淋头的侧部开口的排气通道。