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公开(公告)号：CN110544643B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910856592.X
申请日：2019-09-11
Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司
Abstract: 本发明属于太阳能电池测试技术领域，尤其涉及一种无损伤快速判断金属浆料烧穿深度的方法。本发明，依次包括以下步骤：利用PL测试仪对实验样品的金属浆料区域和非金属浆料区域的PL强度数值分别进行采集；计算得到一个有效PL强度数值。本发明利用光致发光光谱技术，通过对金属浆料区域和非金属浆料区域的PL数值采集，再通过一定的计算方法计算得到能够直接表征金属浆料烧穿深度的有效PL强度数值，从而判断金属浆料的烧穿深度，检测方法简单方便，适合产业化生产中的问题查找，并且，本发明在判断金属浆料烧穿深度的过程中不会对电池本身造成损伤，即可无损伤地判断出金属浆料的烧穿深度。
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公开(公告)号：CN112397614A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011285653.0
申请日：2020-11-17
Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种HIT电池的硅片表面处理方法及HIT电池的制备方法，处理方法包括在硅片表面沉积本征非晶硅膜层和掺杂非晶硅膜层之前采用以下处理步骤：对晶体硅片进行清洗；将清洗后的硅片送入沉积系统，通入氢气，设定以下参数：加热温度、气体压力、电源功率和处理时间，利用氢等离子体的反应活性，去除表面物理吸附或化学吸附的污染物；采用本发明的硅片表面处理技术制备HIT电池，在沉积本征非晶硅前，先对硅片表面进行氢等离子原位清洗，采用本发明的硅片表面处理技术之前，效率在23.5%~23%波动，EL黑角比例在5%~80%范围内波动；应用此工艺后，效率可稳定在23.5%左右，黑角比例可控制在3%以内。
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公开(公告)号：CN111863661A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010719496.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: 本发明公开了一种烧结设备，烧结设备用于制备电池，电池为N型TOPCon电池；烧结设备内设有烘干区、烧结区和退火区；其中，烘干区用于对丝网印刷后的电池进行烘干，使得电池表面印刷的浆料中的有机物挥发；烧结区，用于对烘干后的电池进行烧结，使得电池表面形成良好的欧姆接触；退火区，用于对烧结后的电池进行退火，从而提升电池的钝化性能。通过本发明可保证不增加额外退火设备的基础上，实现电池的钝化性能提升。本发明还提供了一种电池的烧结退火方法及电池。
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公开(公告)号：CN111599896A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010509782.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 东方日升新能源股份有限公司 , 东方日升(常州)新能源有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/78 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种光伏电池片的制备方法，通过将切片流程提前到电池生产制备方法的印刷流程和烧结流程之间，也即是对印刷后的硅片进行切片形成硅片切片，然后再对硅片切片进行烧结，从而解决了现有技术中电池片切片在电池片制作完成后对电池片进行切片后存在电池片切片的边缘效率未知、漏电性能未知等影响最终的光伏电池组件的发电效率和整体功率等问题。本发明还提供了一种光伏电池片、光伏电池组件的制备方法以及光伏电池组件。
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公开(公告)号：CN110581198A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910837716.X
申请日：2019-09-05
Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司
Abstract: 本发明公开了一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法，包括：在硅片上进行制绒处理；通过热氧设备在硅衬底的正面和背面分别沉积一层隧穿SiO2薄膜；沉积磷掺杂的微晶硅或非晶硅薄膜；在硅片的正面沉积图形化的掩膜材料；二次制绒；磷扩散；刻蚀；钝化层生长；激光开膜；丝网印刷。本发明采用微晶硅/氧化硅叠层的选择性载流子输运特性来实现接触钝化，保证金属电极的欧姆接触的同时，完全消除金属区复合；并采用掩膜、二次制绒实现微晶硅的图形化，从而形成局域接触钝化，减少寄生吸收；且采用一步扩散同时形成轻扩区域并激活微晶硅层的钝化，简化工艺。本发明适合大规模产业化应用，可以极大的提高电池的转换效率，降低度电成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863661B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010719496.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: 本发明公开了一种烧结设备，烧结设备用于制备电池，电池为N型TOPCon电池；烧结设备内设有烘干区、烧结区和退火区；其中，烘干区用于对丝网印刷后的电池进行烘干，使得电池表面印刷的浆料中的有机物挥发；烧结区，用于对烘干后的电池进行烧结，使得电池表面形成良好的欧姆接触；退火区，用于对烧结后的电池进行退火，从而提升电池的钝化性能。通过本发明可保证不增加额外退火设备的基础上，实现电池的钝化性能提升。本发明还提供了一种电池的烧结退火方法及电池。
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公开(公告)号：CN109524480B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201811418678.6
申请日：2018-11-26
Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳电池制备技术领域，尤其是一种新型的局域接触钝化的P型晶硅太阳电池及其制备方法；包括衬底，衬底采用P型单晶硅片，电池的正面包含发射极，发射极为pn结区，以及局域接触钝化的隧穿氧化硅/n型掺杂多晶硅区；所述局域接触钝化的隧穿氧化硅/n型掺杂多晶硅区与金属电极接触；所述电池的背面有背面钝化层，所述背面钝化层为氧化铝/氮化硅叠层薄膜；所述电池的背面还有一层烧结铝浆层形成铝背场；本发明中的电池采用隧穿氧化硅/多晶硅叠层薄膜的选择性载流子输运特性，实现局域的接触钝化，从而在保证金属电极的欧姆接触的同时，完全消除金属区复合，从而极大的提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN111640825A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010549589.6
申请日：2020-06-16
Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本申请涉及光伏电池领域，具体而言，涉及一种N型接触钝化太阳电池制造方法及提高良率的方法。该制造方法包括以下步骤：制绒、硼扩散、刻蚀、隧穿氧化硅及多晶硅薄膜沉积、磷扩散、去绕镀、氧化铝沉积、双面氮化硅沉积以及丝网印刷。在隧穿氧化硅及多晶硅薄膜沉积步骤，将每两片硅片背靠背竖直放置，沉积隧穿氧化层和多晶硅薄膜；在磷扩散步骤，将每两片硅片背靠背水平放置，进行磷扩散。该方法，多晶硅薄膜沉积步骤中两个硅片之间的缝隙较大，使得多晶硅绕镀区域绕较大，磷扩散步骤，两个硅片之间的缝隙较小，使得磷扩散绕镀区较小，从而使得磷扩散绕镀区域局限在多晶硅绕镀区域内部，避免后续去绕镀工序对硼结的破坏，从而提高了电池良率。
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公开(公告)号：CN110767772A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910913495.X
申请日：2019-09-25
Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明属于太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种局域接触钝化太阳电池的制备方法。本发明，依次包括制绒、隧穿氧化硅沉积、掺磷非晶硅栅线印刷、烘干、清洗、磷扩散、刻蚀、钝化层生长、激光开模和丝网印刷及烧结等步骤。本发明采用印刷非晶硅浆料、烘干实现微晶硅的图形化，从而形成局域接触钝化，减少寄生吸收，同时相比于离子注入法具有更低的生产成本，适合大规模产业化应用，并且，本发明制得的太阳能电池板形成有微晶硅/氧化硅叠层结构，以此结构的选择性载流子输运特性来实现接触钝化，保证金属电极的欧姆接触的同时，完全消除金属区复合。
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公开(公告)号：CN110707159A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910805317.5
申请日：2019-08-29
Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳电池制备技术领域，尤其是一种正面和背面都全面积接触钝化的P型晶硅太阳电池及其制备方法；包括衬底，衬底采用P型单晶硅片，电池的正面包含发射极，即pn结区；正面全面积接触钝化的隧穿氧化硅/n型掺杂多晶硅区，以及背面全面积接触钝化的隧穿氧化硅/p型掺杂多晶硅区，其中pn结区和隧穿氧化硅/n型掺杂多晶硅区上有正面减反层；电池的背面有背面保护层，电池正面的局域接触钝化有隧穿氧化硅/n型掺杂多晶硅区与金属电极接触；电池的背面局域接触钝化的隧穿氧化硅/P型掺杂多晶硅区与金属电极接触；本发明中的电池采用隧穿氧化硅/多晶硅叠层的选择性载流子输运特性，实现正面和背面的局域接触钝化，从而在保证金属电极的欧姆接触的同时，完全消除金属区复合，从而极大的提高电池的转换效率。
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