-
公开(公告)号：CN107994097B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201711079733.9
申请日：2017-11-06
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了太阳能电池的制备方法，包括：清洗硅片；将清洗后的硅片在恒温恒湿条件下，放置预设时间，使硅片表面形成氧化层；将放置后的硅片进行镀膜。本发明提供的太阳能电池的制备方法，把清洗后的硅片置于恒温恒湿条件下预设时间，使得硅片表面会自然氧化，即硅片表面的硅原子与空气中的氧原子结合，发生化学反应，形成氧化层，再取出硅片进行正常的镀膜流程；该氧化层既提高了硅片表面钝化效果，又不影响电导率，有利于后续镀膜制备高质量的本征层，从而利于提升硅片的少子寿命。
-
公开(公告)号：CN109196659A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201880001539.5
申请日：2018-08-21
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/048
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L31/042 , H01L31/048 , H01L31/1804
Abstract: 一种太阳能电池片，包括导电连接件和从上至下依次排布的第一电极、第一透明导电层、第一导电型的第一掺杂层、第一钝化层、单晶硅片、第二钝化层、第二导电型的第二掺杂层、第二透明导电层和第二电极。导电连接件的一端与第一电极电连接，导电连接件的另一端延伸至第二透明导电层邻近第二电极的一侧，所述导电连接件分别与所述第二透明导电层和所述第二电极相互绝缘。
-
公开(公告)号：CN109004039A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810870032.5
申请日：2018-08-02
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
Inventor： 郁操
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池芯片及其制备方法，属于太阳能电池领域。该太阳能电池芯片包括：衬底；在所述衬底的至少一面上依次设置有本征钝化层、硅掺杂层、透明导电层、电极；以及在所述透明导电层远离所述硅掺杂层的一面设置有减反射层；所述电极穿过所述减反射层设置在所述透明导电层上；所述电极包括第一栅线叠层和第二栅线叠层；所述第一栅线叠层设置在所述透明导电层上，所述第二栅线叠层设置在所述第一栅线叠层上。本申请实施例提供的太阳能电池芯片，通过设置双层减反射结构，可减少入射光中多个波长段的反射光，增加太阳能电池芯片的入射光量；并通过设置两层栅线叠层，增加电极高度来减小电极的电阻，进而提高电池效率。
-
公开(公告)号：CN108231928A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711395346.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0224 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L31/022466
Abstract: 一种多层透明导电薄膜及其制备方法，所述多层透明导电薄膜包括至少两层叠加的透明导电薄膜，至少两层透明导电薄膜均为ITO薄膜，所述第一层ITO薄膜的锡的掺量为10‑15重量％，所述第二层ITO薄膜的锡的掺量≥5重量％且＜10重量％；所述制备方法包括：在真空条件下连续制备多层ITO薄膜，并且在一层ITO薄膜与另一层ITO薄膜的过渡过程中，维持真空状态。本申请还提供了一种包括上述多层透明导电薄膜的HJT异质结电池。本申请的多层透明导电薄膜的光电性能较好，与p、n型非晶硅层的功函数匹配；HJT电池的各项性能指标都得到了提升。
-
公开(公告)号：CN111916504A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910557479.1
申请日：2019-06-25
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/075 , H01L31/0445
Abstract: 本申请涉及一种超薄柔性硅太阳电池，包括依次层叠的透明导电层、n型掺杂层、第一本征钝化层、单晶硅片、第二本征钝化层、p型掺杂层以及半透半反功能层，其中，所述半透半反功能层包括至少一层TCO材料层和至少一层金属层。本发明提供的超薄柔性硅太阳电池，通过设置半透半反功能层，其短波透过率大于80％且长波反射率大于60％，将到达硅片背表面的长波段光进行再次反射利用，提升电池的短路电流密度。半透半反功能层包含金属层，提升了光生空穴在背电极的横向收集能力，降低了电阻损失，提升了电池的FF，并最终获得了电池效率～23.4％的柔性超薄硅电池该电池的重量为5.38g，折算到每瓦电池的克重为0.95g/W。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108321240A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201711397698.5
申请日：2017-12-21
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 一种太阳能异质结电池，所述太阳能异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一叠层ITO、第一非晶硅掺杂层、第一本征非晶硅钝化层、单晶硅片、第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅层掺杂层、第二叠层ITO和第二电极，其中，所述第一叠层ITO包括第一掺水ITO透明导电层，所述第二叠层ITO包括第二掺水ITO透明导电层。本申请还提供了一种太阳能异质结电池的制备方法。本申请提供的太阳能异质结电池的光学性能优良，且电池中的各层接触良好，电池导通顺畅。
-
公开(公告)号：CN107170850A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710379489.1
申请日：2017-05-25
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , H01L31/075 , H01L31/035272
Abstract: 本发明公开一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，所述方法包括：提供基片；在所述基片的两侧分别沉积本征层；在所述基片两侧的所述本征层上分别沉积n型掺杂层和p型掺杂层，所述n型掺杂层和/或p型掺杂层至少为两层，且所述n型掺杂层和/或所述p型掺杂层的各层在远离所述基片的纵向方向上的掺杂浓度呈递增状；在所述n型掺杂层和所述p型掺杂层上分别依次形成透明导电层和电极层。从而提高电池转换效率以及生产效率。
-
公开(公告)号：CN111384186A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811624324.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种异质结电池片的返工方法，包括如下步骤：(1)将异质结电池片的绕镀端浸入腐蚀液中进行腐蚀，所述异质结电池片设置有辅助电极栅线；(2)腐蚀完毕后，将电池片取出并进行后处理。本发明通过在电池片边缘设置的辅助电极栅线，并利用高浓度碱腐蚀容易的各向同性反应原理，成功地去除了电池片边缘绕镀端的硅薄膜掺杂层，解决了电池片边缘短路引起的电，将电池参数不良的异结质电池片变废为宝，提升了产线电池片的良品率，降低生产成本，且不会造成电池片本身的外观不良的问题。
-
公开(公告)号：CN110114889A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201880001492.2
申请日：2018-06-22
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/0224
Abstract: 提供了一种太阳能电池上复合电极的制备方法。复合电极的制备方法包括在电池芯片(1)上沉积金属接触层(2)；在金属接触层上形成电极(3)；从而制备得到包括金属接触层和电极的复合电极。还提供了一种太阳能电池上的复合电极和太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN109463010A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201880001497.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/18 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022425 , H01L31/03125 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，方法包括：提供基片(201)；在基片的两侧分别沉积本征层(202)；在基片两侧的本征层上分别沉积n型掺杂层(203)和p型掺杂层(204)，n型掺杂层和/或p型掺杂层至少为两层，且n型掺杂层和/或p型掺杂层的各层在远离基片的纵向方向上的掺杂浓度呈递增状；在n型掺杂层和p型掺杂层上分别依次形成透明导电层(205)和电极层(206)。从而提高电池转换效率以及生产效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
46
records
(took 0.035 seconds)
