公开(公告)号：CN118315508A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410444230.0

申请日：2024-04-12

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张恺馨 ,  林嘉乐 ,  聂君扬 ,  李洋 ,  兰金华 ,  李琪伟 ,  严群 ,  孙捷 ,  郭太良

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/14 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种新型Micro‑LED的侧壁钝化结构及其制备方法。所述结构包括衬底、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层、ITO、侧壁钝化层、金属电极。所述侧壁钝化层由折射率不同的透明介质组成，介质层层数n≥2。内层高折射率介质用于填充干法刻蚀台面造成的缺陷，减少非辐射复合；同时，内层高折射率介质通过光全反射作用，抑制侧壁出光。该侧壁钝化结构制备工艺简单、成本低，可实现钝化、光限制和提高发光效率的作用。