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公开(公告)号：CN118425759A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410664820.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01R31/327 , G01R19/00 , G01R15/18
Abstract: 本申请提供一种用于延迟校准的电流采样电路，该电路包括：栅源驱动模块、开关管、电压采样模块、单刀双掷开关及电流采样模块，栅源驱动模块基于电源电压和脉冲信号产生驱动信号，将驱动信号作用于开关管，对开关管进行通断操作；电压采样模块与开关管相接，对电阻的两端进行电压采样，得到采样电压，电流采样模块接电源电压和单刀双掷开关，基于单刀双掷开关的连接状态选择对应的采样支路对同一回路的开关管的电流进行采样，得到采样电流，可通过多条支路进行电流采样，采样结果可靠性高且采样成本更低，适合广泛使用。
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公开(公告)号：CN117783802A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311715497.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：第一电源模块用于为控制模块和恒流模块提供工作电压；控制模块用于提供模拟控制信号，并输出模拟控制信号至恒流模块；恒流模块用于对所述模拟控制信号进行处理；开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；测试模块用于连接待测N型MOSFET，并测试待测MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的开启或关闭，并接收参数信号，并根据参数信号输出数据信号至所述测试模块；第二电源模块还用于将数据信号实时传输至控制模块。本发明还提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。
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公开(公告)号：CN112885804A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110250762.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/367 , H02S40/34 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN118483571A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410664812.X
申请日：2024-05-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01R31/327 , G01R19/00 , G01R15/18
Abstract: 本申请提供一种用于延迟校准的电流采样电路及其控制方法，该电路包括：电源模块、驱动模块、电压采样模块及电流采样模块，基于电源模块提供电源电压，通过脉冲信号对开关管进行驱动，电压采样模块对电阻进行电压采样，得到采样电压，通过电流采样模块对电流进行采样，得到第一采样电流，并通过匹配电阻和匹配电容将第一采样电流的相位校准至采样电压的相位，因该方案的采样带宽高于传统的一些采样方案，故可以提高采样结果的可靠高且采样成本更低，适合广泛使用。
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公开(公告)号：CN117825852A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014885.4
申请日：2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：控制模块用于提供第二控制信号，并将第二控制信号传输至运放模块；控制模块用于输出电压信号至第一开关模块；运放模块用于对第二控制信号进行处理；第一开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；第二开关模块用于将处理后的第二控制信号传输给测试模块；测试模块用于连接待测P型MOSFET，并测试待测P型MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的打开或关闭，并接收第一数据信号，并根据第一数据信号输出第二数据信号至测试模块。本发明还提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112885804B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202110250762.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/367 , H02S40/34 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN119757448A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411926838.3
申请日：2024-12-25
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于研究快速热疲劳下焊点和焊料裂纹产生机理的实验装置及方法，实验装置包括：电磁加热系统、液氮冷却系统、干冰冷却系统、高速摄像系统、USB数据采集卡和终端电脑。本申请通过电磁加热系统对焊点进行加热，通过液氮冷却系统或干冰冷却系统对焊点进行降温，能够在较短的时间内完成一次热循环，极大的提高了实验效率。高速摄像系统可实时监测并记录焊点状态以及裂纹的开裂路径；干冰可有效去除焊点表面的氧化膜，从而排除氧化膜开裂引起焊点裂纹的影响；通过液氮冷却系统对焊点进行冷却，在加热温度及冷却温度均不变的条件下，根据裂纹产生形式可有效确定焊点开裂是由于焊点内部产生裂纹还是由于氧化膜开裂引起的焊点裂纹。
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公开(公告)号：CN118067564A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410020867.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 博世华域转向系统有限公司
Abstract: 本发明提供一种快速热疲劳实验装置及方法，包括测试台，测试台的上表面中心设有测试区域，测试区域用于放置样品，激光加热机构，激光加热机构靠近测试台，激光加热机构用于对测试区域中的样品进行加热，测试台内还设有冷却空腔，冷却空腔位于测试区域的下方，冷却空腔与冷凝机构通过冷却管道连接，冷凝机构通过冷却管道向冷却空腔内输送冷却液，制冷箱和抓取机构，采用本发明的优点是，采用激光加热，激光直接作用于样品，能提高升温速率，避免传热过程中的热量损耗，能极大的提高实验效率，避免了接触式加热的外加机械应力影响，可以精确控制加热温度和时间，同时设有多种冷却方式，试验不同冷却温度下的情况。
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公开(公告)号：CN117855057A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410016210.3
申请日：2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种芯片双面散热的封装方法，包括焊接、键合、喷涂、塑封、减薄和上锡等步骤，其中焊接是通过焊锡膏或纳米银将芯片焊接在引线框架中对应的基岛上，再将CLIP焊接在芯片上，对焊接有芯片和CLIP的引线框架进行清洗；键合采用金线将芯片的栅极和引线框架的管脚相连接，实现内外互连，对完成了引线键合的芯片和框架进行清洗；塑封是采用塑封料将压焊后的引线框架进行包裹，形成塑封体，露出引线框架的管脚；减薄和对塑封体的上表面进行减薄，露出顶部的CLIP作为散热片；上锡和对处于塑封体外部的管脚，以及外露在塑封体外的CLIP进行电镀上锡。与现有技术相比，本方案中能够在保持器件体积小的情况下，增加散热途径，降低电阻，提高散热效率。
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公开(公告)号：CN117773346A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410040897.4
申请日：2024-01-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 博世华域转向系统有限公司
IPC: B23K26/36 , B23K26/142 , B23K26/16 , B23K26/70 , B23K37/04
Abstract: 本发明属于封装生产技术领域，具体公开了一种双面散热封装散热片外漏装置及方法，其中，一种双面散热封装散热片外漏装置包括机架，机架的上料端设有上料机构，下料端设有下料机构；传送机构，传送机构设置在机架上，传送机构包括线轨，线轨上设有多个工位，机架上设有用于封装减薄的激光减薄机构；固定机构，固定机构设置在机架上且背离线轨，固定机构包括泵机和设置在泵机输出端的定位块，定位块上设有多个与泵机输出端连通的定位孔；控制单元，控制单元设置在机架上，用于控制传送机构和激光减薄机构。本发明采用非接触式的减薄方法，降低了机械应力对芯片的影响，同时降低了设备的使用成本和维护成本，且使用时效更长，有利于企业降本增效。
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