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公开(公告)号：CN119628382A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411926841.5
申请日：2024-12-25
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种功率管升压驱动电路，包括：供电模块，其用于提供高压输入；隔离驱动模块，其由所述供电模块供电并产生脉冲控制信号；升压模块，其基于所述脉冲控制信号进行升压的切换操作；功率管，其接所述升压模块的输出端，以将升高的电压导通到负载；采样模块，其对所述升压模块的输出端进行采样并将采样电压反馈至所述隔离驱动模块，使得所述隔离驱动模块基于所述采样电压调整所述脉冲控制信号。本申请可有效提高驱动电路的抗浪涌能力。
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公开(公告)号：CN118425759A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410664820.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01R31/327 , G01R19/00 , G01R15/18
Abstract: 本申请提供一种用于延迟校准的电流采样电路，该电路包括：栅源驱动模块、开关管、电压采样模块、单刀双掷开关及电流采样模块，栅源驱动模块基于电源电压和脉冲信号产生驱动信号，将驱动信号作用于开关管，对开关管进行通断操作；电压采样模块与开关管相接，对电阻的两端进行电压采样，得到采样电压，电流采样模块接电源电压和单刀双掷开关，基于单刀双掷开关的连接状态选择对应的采样支路对同一回路的开关管的电流进行采样，得到采样电流，可通过多条支路进行电流采样，采样结果可靠性高且采样成本更低，适合广泛使用。
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公开(公告)号：CN117783802A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311715497.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：第一电源模块用于为控制模块和恒流模块提供工作电压；控制模块用于提供模拟控制信号，并输出模拟控制信号至恒流模块；恒流模块用于对所述模拟控制信号进行处理；开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；测试模块用于连接待测N型MOSFET，并测试待测MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的开启或关闭，并接收参数信号，并根据参数信号输出数据信号至所述测试模块；第二电源模块还用于将数据信号实时传输至控制模块。本发明还提供一种N型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。
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公开(公告)号：CN117423668A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311391331.8
申请日：2023-10-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L25/07 , H01L21/50
Abstract: 本申请提供一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法，所述双面散热结构包括：金属框架；金属引脚，设置于所述金属框架外侧，并与所述金属框架分隔开；驱动芯片，设置于所述金属框架上；两个晶体管，其分别设置于所述金属框架上，并与所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片和所述晶体管通过键合线与所述金属引脚键合；散热片，跨接在所述两个晶体管背离所述金属框架的一侧。本申请可提高器件的散热性能，保证器件运行的稳定性。
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公开(公告)号：CN118483571A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410664812.X
申请日：2024-05-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01R31/327 , G01R19/00 , G01R15/18
Abstract: 本申请提供一种用于延迟校准的电流采样电路及其控制方法，该电路包括：电源模块、驱动模块、电压采样模块及电流采样模块，基于电源模块提供电源电压，通过脉冲信号对开关管进行驱动，电压采样模块对电阻进行电压采样，得到采样电压，通过电流采样模块对电流进行采样，得到第一采样电流，并通过匹配电阻和匹配电容将第一采样电流的相位校准至采样电压的相位，因该方案的采样带宽高于传统的一些采样方案，故可以提高采样结果的可靠高且采样成本更低，适合广泛使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117825852A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014885.4
申请日：2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其包括：控制模块用于提供第二控制信号，并将第二控制信号传输至运放模块；控制模块用于输出电压信号至第一开关模块；运放模块用于对第二控制信号进行处理；第一开关模块用于根据电压信号控制自身的开启或关闭；第二开关模块用于将处理后的第二控制信号传输给测试模块；测试模块用于连接待测P型MOSFET，并测试待测P型MOSFET的线性区SOA抗冲击能力；采样模块用于采集自身电压信号；第二电源模块用于根据开关控制信号控制自身的打开或关闭，并接收第一数据信号，并根据第一数据信号输出第二数据信号至测试模块。本发明还提供一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法。
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公开(公告)号：CN118091354B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410236625.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种MOS管测试电路，该电路包括触发模块、采样模块及放大模块，通过触发模块产生的驱动信号，通过驱动信号控制采样模块的工作状态，当采样模块使能启动时，通过采样模块内部的多个采样电阻对待测MOS管进行采样，得到采样电压；通过放大模块对采样电压进行放大，得到目标电压。本申请通过多个采样电阻的方式对MOS管的参数进行采样再放大，不仅避免对电流探头的依赖，降低了测试成本，还提高了测试MOS管的精度和准确度。
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公开(公告)号：CN118091354A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410236625.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种MOS管测试电路，该电路包括触发模块、采样模块及放大模块，通过触发模块产生的驱动信号，通过驱动信号控制采样模块的工作状态，当采样模块使能启动时，通过采样模块内部的多个采样电阻对待测MOS管进行采样，得到采样电压；通过放大模块对采样电压进行放大，得到目标电压。本申请通过多个采样电阻的方式对MOS管的参数进行采样再放大，不仅避免对电流探头的依赖，降低了测试成本，还提高了测试MOS管的精度和准确度。
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公开(公告)号：CN118099122A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410299878.3
申请日：2024-03-15
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/18 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/48
Abstract: 本申请涉及功率器件技术领域，提供了一种应用于双管正激电源的合封功率器件及其制备方法，功率器件包括：铜框架；两个晶体管，两个晶体管设置于铜框架内；两个二极管，两个二极管与两个晶体管合封于铜框架内。本发明中，在铜框架上将原本独立封装的两个晶体管和两个二极管合封到一个封装中，减小了总的芯片体积，同时缩短了走线，降低了线路的寄生参数，提高了单位体积内原边电路的功率密度。
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公开(公告)号：CN117476633A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311391319.7
申请日：2023-10-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/495 , H01L21/60 , H02M7/00 , H02M1/42
Abstract: 本申请提供一种功率芯片、功率芯片制作方法及功率因数校正电路，该功率芯片包括：晶体管和二极管；框架，其包括相互独立的第一基岛和第二基岛，所述晶体管设置于所述第一基岛上，且所述晶体管的源极与所述第一基岛电性连接，所述二极管设置于所述第二基岛上，所述二极管的正端分别连接所述第二基岛和所述晶体管的漏极，所述二极管的负端作为输出端；金属引脚，设置于所述框架的侧方，以引出所述晶体管的栅极和所述输出端；封装体，用于覆盖所述第一基岛、所述第二基岛、所述晶体管以及所述二极管。本申请可有效减少PFC电路中器件的占板面积，提高器件的稳定性。
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