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公开(公告)号：CN117773346A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410040897.4
申请日：2024-01-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 博世华域转向系统有限公司
IPC: B23K26/36 , B23K26/142 , B23K26/16 , B23K26/70 , B23K37/04
Abstract: 本发明属于封装生产技术领域，具体公开了一种双面散热封装散热片外漏装置及方法，其中，一种双面散热封装散热片外漏装置包括机架，机架的上料端设有上料机构，下料端设有下料机构；传送机构，传送机构设置在机架上，传送机构包括线轨，线轨上设有多个工位，机架上设有用于封装减薄的激光减薄机构；固定机构，固定机构设置在机架上且背离线轨，固定机构包括泵机和设置在泵机输出端的定位块，定位块上设有多个与泵机输出端连通的定位孔；控制单元，控制单元设置在机架上，用于控制传送机构和激光减薄机构。本发明采用非接触式的减薄方法，降低了机械应力对芯片的影响，同时降低了设备的使用成本和维护成本，且使用时效更长，有利于企业降本增效。
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公开(公告)号：CN118067564A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410020867.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 博世华域转向系统有限公司
Abstract: 本发明提供一种快速热疲劳实验装置及方法，包括测试台，测试台的上表面中心设有测试区域，测试区域用于放置样品，激光加热机构，激光加热机构靠近测试台，激光加热机构用于对测试区域中的样品进行加热，测试台内还设有冷却空腔，冷却空腔位于测试区域的下方，冷却空腔与冷凝机构通过冷却管道连接，冷凝机构通过冷却管道向冷却空腔内输送冷却液，制冷箱和抓取机构，采用本发明的优点是，采用激光加热，激光直接作用于样品，能提高升温速率，避免传热过程中的热量损耗，能极大的提高实验效率，避免了接触式加热的外加机械应力影响，可以精确控制加热温度和时间，同时设有多种冷却方式，试验不同冷却温度下的情况。
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公开(公告)号：CN112885804A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110250762.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/367 , H02S40/34 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN119216710A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411379976.4
申请日：2024-09-30
Applicant: 重庆理工大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B23K3/08
Abstract: 一种镀镍层合金软钎焊预涂覆用助焊剂，按重量百分数计组分包括：松香10％～50％，有机酸1.0％‑10％，有机胺2.0％‑4.0％，无机金属盐0.5％‑2％，活性增强剂0.5％‑2.0％，表面活性剂0.5％‑2.0％，缓蚀剂0.5％‑2.0％，添加剂0.1％～2.0％，余下为溶剂；其涂覆方法的步骤包括：将按照原组分材料配置助焊剂水浴恒温，将焊片平铺在聚四氟乙烯塑料板上90℃～100℃预热半分钟，滴加适当恒温预涂覆用助焊剂溶液于焊片上，涂刷均匀后加热烘干，烘干后冷却至室温即得到预涂覆助焊剂成型焊片。本发明解决了现有助焊剂用于预涂覆焊片存在不易涂覆，以及助焊剂涂层相互触压出现黏连、涂覆助焊剂焊片裁切掉粉等问题。本发明的助焊剂焊接时间短、润湿性好、焊后残留易清洗、同时能完成可对镍及镍合金、铝及铝合金等多种金属材料的焊接。
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公开(公告)号：CN119820172A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411113429.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 重庆理工大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于先进封装的Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn高可靠性高熵合金低温焊料及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料成分按原子百分比计为25％‑35％的锡、25％‑35％铋、25％‑35％的铟、5％的银及5％‑10％的锌，通过感应熔炼的方式实现焊料的制备。本发明所述用于电子封装的Sn‑In‑Bi‑Ag‑Zn高可靠性高熵合金低温焊料主要物相为锡基固溶体和铟铋相，铋、铟原子在锡基固溶体中高度固溶，促进了焊料的固溶强化。其熔点仅80‑90℃，极低的熔点可有效减少CET不匹配引起的翘曲问题。其低温润湿性能良好，120℃下在铜基底上润湿时润湿角≤33°。同时其无需扩散阻挡层既能实现对界面IMC快速生长的抑制，在长时间及多次回流的条件下仍能保持薄的IMC层，可显著减少IMC在微焊点中的体积占比，降低IMC对焊点力学性能及可靠性的影响，长时间及多次回流后仍能保持良好的力学性能，适用于要求低封装温度或高热可靠性的柔性封装及3D IC封装等先进封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119188030A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411380316.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 重庆理工大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B23K35/363 , B23K35/36
Abstract: 一种镀镍层用无卤素预涂覆软钎焊助焊剂，按重量百分数计组分包括：改性松香10％～50％，活性剂1.0％～10％，表面活性剂0.5％～2.0％，抗氧化剂1.0％～3.0％，缓蚀剂1.0％～3.0％，添加剂1.0％～3.0％，余下为溶剂；其涂覆方法的步骤包括：将按照原组分材料配置助焊剂水浴恒温，将焊片平铺在聚四氟乙烯塑料板上90℃～100℃预热半分钟，滴加适当恒温预涂覆用助焊剂溶液于焊片上，涂刷均匀后加热烘干，烘干后冷却至室温即得到预涂覆助焊剂成型焊片。本发明解决了现有助焊剂用于预涂覆焊片存在含有Cl、Br等卤素、涂覆困难和助焊剂涂层相互触压出现黏连等问题。本发明所述助焊剂无卤素、有适当的活性、涂覆烘干后不沾手，且焊接时间短、润湿性好、易清洗；对镍及镍合金能够进行很好的焊接。
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公开(公告)号：CN118951476A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411113336.9
申请日：2024-08-14
Applicant: 重庆理工大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于芯片互连的全IMC相Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn高熵低温焊料及其制备方法及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料成分按原子百分比计为25％‑35％的锡、21％‑35％铋、25％‑35％的铟、5％的银及5％‑10％的锌，通过感应熔炼实现焊料的制备。本发明所述的封装用Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn全IMC相高熵低温焊料，所有物相均为IMC相，分别为InSn4‑γ、InBi相及AgZn相，其中InSn4‑γ相类似于固溶体，铋原子在其中高度固溶，具有高混合熵。其熔点
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公开(公告)号：CN117374037A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311333450.8
申请日：2023-10-13
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种PFC模块及封装方法，属于半导体封装技术领域。本发明引线框架包括多个框架单元，每个所述框架单元包括阳极引脚和位于所述阳极引脚上的基岛；MOS芯片设置在所述基岛上，并与所述引线框架键合；DBC基板设置在所述基岛上并位于所述MOS芯片的一侧，且与所述引线框架键合；GPP芯片设置在所述DBC基板上，并分别与所述阳极引脚和所述引线框架键合；封装体将所述MOS芯片、所述DBC基板和所述GPP芯片封装在框架单元。本发明通过将MOS芯片与GPP芯片集成到同一框架单元上，使得MOS芯片与GPP芯片的参数一致性好，降低寄生电感、减少信号波动和信号损失，提高整体电路相应速度，同时简化了电路的设计，降低了产品的封装难度，也减小了体积，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN112885804B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202110250762.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/367 , H02S40/34 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN119757448A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411926838.3
申请日：2024-12-25
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于研究快速热疲劳下焊点和焊料裂纹产生机理的实验装置及方法，实验装置包括：电磁加热系统、液氮冷却系统、干冰冷却系统、高速摄像系统、USB数据采集卡和终端电脑。本申请通过电磁加热系统对焊点进行加热，通过液氮冷却系统或干冰冷却系统对焊点进行降温，能够在较短的时间内完成一次热循环，极大的提高了实验效率。高速摄像系统可实时监测并记录焊点状态以及裂纹的开裂路径；干冰可有效去除焊点表面的氧化膜，从而排除氧化膜开裂引起焊点裂纹的影响；通过液氮冷却系统对焊点进行冷却，在加热温度及冷却温度均不变的条件下，根据裂纹产生形式可有效确定焊点开裂是由于焊点内部产生裂纹还是由于氧化膜开裂引起的焊点裂纹。
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