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公开(公告)号:CN117855057A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202410016210.3
申请日:2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种芯片双面散热的封装方法,包括焊接、键合、喷涂、塑封、减薄和上锡等步骤,其中焊接是通过焊锡膏或纳米银将芯片焊接在引线框架中对应的基岛上,再将CLIP焊接在芯片上,对焊接有芯片和CLIP的引线框架进行清洗;键合采用金线将芯片的栅极和引线框架的管脚相连接,实现内外互连,对完成了引线键合的芯片和框架进行清洗;塑封是采用塑封料将压焊后的引线框架进行包裹,形成塑封体,露出引线框架的管脚;减薄和对塑封体的上表面进行减薄,露出顶部的CLIP作为散热片;上锡和对处于塑封体外部的管脚,以及外露在塑封体外的CLIP进行电镀上锡。与现有技术相比,本方案中能够在保持器件体积小的情况下,增加散热途径,降低电阻,提高散热效率。
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公开(公告)号:CN117374037A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311333450.8
申请日:2023-10-13
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种PFC模块及封装方法,属于半导体封装技术领域。本发明引线框架包括多个框架单元,每个所述框架单元包括阳极引脚和位于所述阳极引脚上的基岛;MOS芯片设置在所述基岛上,并与所述引线框架键合;DBC基板设置在所述基岛上并位于所述MOS芯片的一侧,且与所述引线框架键合;GPP芯片设置在所述DBC基板上,并分别与所述阳极引脚和所述引线框架键合;封装体将所述MOS芯片、所述DBC基板和所述GPP芯片封装在框架单元。本发明通过将MOS芯片与GPP芯片集成到同一框架单元上,使得MOS芯片与GPP芯片的参数一致性好,降低寄生电感、减少信号波动和信号损失,提高整体电路相应速度,同时简化了电路的设计,降低了产品的封装难度,也减小了体积,降低了生产成本。
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公开(公告)号:CN221928070U
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202420032396.7
申请日:2024-01-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供一种DFN8x8双面散热框架、铜片及封装结构,DFN8x8双面散热封装结构包括引线框架,引线框架为平面结构,在引线框架的两个侧面上设有多个单元框架,每个单元框架上依次设有芯片、铜片和塑封体,引线框架的边缘上还设有多个定位孔,在引线框架内还竖向设有多个支杆,支杆的两端均与引线框架连接,所有支杆相互平行且等距设置,支杆将引线框架分隔成多个可拆卸连接的框架单元,支杆沿其长度方向还设有多个折弯孔,折弯孔为条形孔,折弯孔的长度方向与支杆平行,采用本实用新型的有益效果是,该封装结构保留了标准封装的尺寸和底部的设计,同时将顶部的铜片显露于在外部,以进一步提升散热效率,有效降低热阻,提升电气性能和延长使用寿命。
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