公开(公告)号：CN119757448A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411926838.3

申请日：2024-12-25

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  文晓东 ,  周玉凤 ,  唐鑫 ,  徐向涛

IPC: G01N25/00 ,  G01N25/72 ,  G01N21/84 ,  G01N1/44 ,  G01N1/42

Abstract: 本发明涉及一种用于研究快速热疲劳下焊点和焊料裂纹产生机理的实验装置及方法，实验装置包括：电磁加热系统、液氮冷却系统、干冰冷却系统、高速摄像系统、USB数据采集卡和终端电脑。本申请通过电磁加热系统对焊点进行加热，通过液氮冷却系统或干冰冷却系统对焊点进行降温，能够在较短的时间内完成一次热循环，极大的提高了实验效率。高速摄像系统可实时监测并记录焊点状态以及裂纹的开裂路径；干冰可有效去除焊点表面的氧化膜，从而排除氧化膜开裂引起焊点裂纹的影响；通过液氮冷却系统对焊点进行冷却，在加热温度及冷却温度均不变的条件下，根据裂纹产生形式可有效确定焊点开裂是由于焊点内部产生裂纹还是由于氧化膜开裂引起的焊点裂纹。

公开(公告)号：CN119628382A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411926841.5

申请日：2024-12-25

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 成亮 ,  陈云乔 ,  梁杰 ,  程朝霞 ,  张航 ,  赵承义

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32

Abstract: 本申请提供一种功率管升压驱动电路，包括：供电模块，其用于提供高压输入；隔离驱动模块，其由所述供电模块供电并产生脉冲控制信号；升压模块，其基于所述脉冲控制信号进行升压的切换操作；功率管，其接所述升压模块的输出端，以将升高的电压导通到负载；采样模块，其对所述升压模块的输出端进行采样并将采样电压反馈至所述隔离驱动模块，使得所述隔离驱动模块基于所述采样电压调整所述脉冲控制信号。本申请可有效提高驱动电路的抗浪涌能力。

公开(公告)号：CN118969778A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411031982.0

申请日：2024-07-30

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  俞齐声 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L23/552

Abstract: 本申请提供一种肖特基接触超势垒整流器，该整流器基于阳极金属层、第一导电类型多晶硅层、氧化层和第二导电类型低电子势垒锗硅区域形成低电子势垒结构，该低电子势垒结构为整流器的阳极结构，当整流器正向导通时，电子将更容易从阴极向阳极流动，实现更小的导通电压。因此，整流器可以在不恶化正向导通电压和反向泄漏电流的前提下，增加氧化层的厚度；在不对基本电学特性造成退化的基础上，通过增加氧化层的厚度来改善肖特基接触超势垒整流器的单粒子栅穿特性，以改善抗单粒子栅穿性能。

公开(公告)号：CN116960189B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310821634.2

申请日：2023-07-05

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  张澳航 ,  张成方 ,  陈文锁 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。

公开(公告)号：CN118263303A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410359892.8

申请日：2024-03-27

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  沈志刚 ,  陈文锁 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管，该双极型晶体管通过栅极金属层、副栅极金属层、发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层、发射极沟槽绝缘介质层形成正极发射极导电类型沟槽结构、负极发射极导电类型沟槽结构；双极型晶体管正向导通和关断时，通过正极发射极导电类型沟槽结构和负极发射极导电类型沟槽结构处理轻掺杂第二导电类型耗尽区的空穴。本申请提供的双极型晶体管在正向导通时提高轻掺杂导电类型耗尽区的空穴势垒，增强漂移区的空穴，增加对应的载流子存储效应，降低导通压降，在关断时，通过恢复轻掺杂导电耗尽区的空穴，提高了空穴的抽取速度，降低关断产生的损耗。

公开(公告)号：CN118198133A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410329605.9

申请日：2024-03-21

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  俞齐声 ,  陈文锁 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管，该半导体场效应晶体管通过第一导电类型硅材料异质结区域、重掺杂第二导类型硅材料屏蔽区域、重掺杂第一导电类型虚拟栅极多晶硅区域和虚拟栅极氧化层与第一导电类型电流传导区域之间形成异质结导电结构，因碳化硅/硅的异质结结构的电子势垒低于体二极管，因此电流优先从异质结导电结构流过。本申请提供的金属氧化物半导体场效应晶体管还存在虚拟栅极，进一步降低了异质结的电子势垒，优先通过异质结沟道导电结构进行反向导通，当半导体场效应晶体管反向导电时，异质结的电子势垒低，从而降低反向导通电压，改善反向导通性能。

公开(公告)号：CN118136670A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410329606.3

申请日：2024-03-21

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  俞齐声 ,  陈文锁 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种包含肖特基接触超级势垒整流器的功率半导体器件。包括漏极金属层以及依次堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。相比于现有肖特基源极垂直金属氧化物半导体场效应晶体管，在抗单粒子烧毁性能不恶化的条件下，本发明具有低的第三象限二极管开启电压，改善了反向恢复性能。

公开(公告)号：CN118067564A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410020867.7

申请日：2024-01-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  博世华域转向系统有限公司

Inventor： 夏大权 ,  张腾 ,  聂俊彦 ,  文晓东 ,  唐鑫 ,  唐正 ,  周玉凤 ,  闫瑞东 ,  徐向涛

IPC: G01N3/60 ,  G01N3/02

Abstract: 本发明提供一种快速热疲劳实验装置及方法，包括测试台，测试台的上表面中心设有测试区域，测试区域用于放置样品，激光加热机构，激光加热机构靠近测试台，激光加热机构用于对测试区域中的样品进行加热，测试台内还设有冷却空腔，冷却空腔位于测试区域的下方，冷却空腔与冷凝机构通过冷却管道连接，冷凝机构通过冷却管道向冷却空腔内输送冷却液，制冷箱和抓取机构，采用本发明的优点是，采用激光加热，激光直接作用于样品，能提高升温速率，避免传热过程中的热量损耗，能极大的提高实验效率，避免了接触式加热的外加机械应力影响，可以精确控制加热温度和时间，同时设有多种冷却方式，试验不同冷却温度下的情况。

公开(公告)号：CN117855057A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410016210.3

申请日：2024-01-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  文晓东 ,  唐鑫 ,  唐正 ,  周玉凤 ,  朱海燕 ,  徐向涛

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种芯片双面散热的封装方法，包括焊接、键合、喷涂、塑封、减薄和上锡等步骤，其中焊接是通过焊锡膏或纳米银将芯片焊接在引线框架中对应的基岛上，再将CLIP焊接在芯片上，对焊接有芯片和CLIP的引线框架进行清洗；键合采用金线将芯片的栅极和引线框架的管脚相连接，实现内外互连，对完成了引线键合的芯片和框架进行清洗；塑封是采用塑封料将压焊后的引线框架进行包裹，形成塑封体，露出引线框架的管脚；减薄和对塑封体的上表面进行减薄，露出顶部的CLIP作为散热片；上锡和对处于塑封体外部的管脚，以及外露在塑封体外的CLIP进行电镀上锡。与现有技术相比，本方案中能够在保持器件体积小的情况下，增加散热途径，降低电阻，提高散热效率。

公开(公告)号：CN116995103A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310826379.0

申请日：2023-07-05

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 陈文锁 ,  张澳航 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。