公开(公告)号：CN118067564A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410020867.7

申请日：2024-01-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  博世华域转向系统有限公司

Inventor： 夏大权 ,  张腾 ,  聂俊彦 ,  文晓东 ,  唐鑫 ,  唐正 ,  周玉凤 ,  闫瑞东 ,  徐向涛

IPC: G01N3/60 ,  G01N3/02

Abstract: 本发明提供一种快速热疲劳实验装置及方法，包括测试台，测试台的上表面中心设有测试区域，测试区域用于放置样品，激光加热机构，激光加热机构靠近测试台，激光加热机构用于对测试区域中的样品进行加热，测试台内还设有冷却空腔，冷却空腔位于测试区域的下方，冷却空腔与冷凝机构通过冷却管道连接，冷凝机构通过冷却管道向冷却空腔内输送冷却液，制冷箱和抓取机构，采用本发明的优点是，采用激光加热，激光直接作用于样品，能提高升温速率，避免传热过程中的热量损耗，能极大的提高实验效率，避免了接触式加热的外加机械应力影响，可以精确控制加热温度和时间，同时设有多种冷却方式，试验不同冷却温度下的情况。

公开(公告)号：CN118951476A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411113336.9

申请日：2024-08-14

Applicant: 重庆理工大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 杨栋华 ,  胡凯伦 ,  李涛 ,  郭磊 ,  甘贵生 ,  徐向涛 ,  夏大权 ,  闫瑞东

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明涉及一种用于芯片互连的全IMC相Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn高熵低温焊料及其制备方法及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料成分按原子百分比计为25％‑35％的锡、21％‑35％铋、25％‑35％的铟、5％的银及5％‑10％的锌，通过感应熔炼实现焊料的制备。本发明所述的封装用Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn全IMC相高熵低温焊料，所有物相均为IMC相，分别为InSn4‑γ、InBi相及AgZn相，其中InSn4‑γ相类似于固溶体，铋原子在其中高度固溶，具有高混合熵。其熔点

公开(公告)号：CN117374037A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311333450.8

申请日：2023-10-13

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 闫瑞东 ,  夏大权 ,  徐向涛 ,  马红强 ,  朱海燕 ,  杨鹏

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种PFC模块及封装方法，属于半导体封装技术领域。本发明引线框架包括多个框架单元，每个所述框架单元包括阳极引脚和位于所述阳极引脚上的基岛；MOS芯片设置在所述基岛上，并与所述引线框架键合；DBC基板设置在所述基岛上并位于所述MOS芯片的一侧，且与所述引线框架键合；GPP芯片设置在所述DBC基板上，并分别与所述阳极引脚和所述引线框架键合；封装体将所述MOS芯片、所述DBC基板和所述GPP芯片封装在框架单元。本发明通过将MOS芯片与GPP芯片集成到同一框架单元上，使得MOS芯片与GPP芯片的参数一致性好，降低寄生电感、减少信号波动和信号损失，提高整体电路相应速度，同时简化了电路的设计，降低了产品的封装难度，也减小了体积，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN221508172U

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202420032414.1

申请日：2024-01-04

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  文晓东 ,  唐正 ,  唐鑫 ,  周玉凤 ,  闫瑞东 ,  徐向涛 ,  马红强

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本实用新型提供一种DFN3x3双面散热框架，包括上边框、下边框、两个竖向边框和多个支杆形成的框架结构，支杆的一端与上边框连接，支杆的另一端与下边框连接，所有支杆相互平行且等距设置，支杆将框架结构分隔成多个安装区域，双面散热框架还包括多个引线框架，引线框架与安装区域一一对应，引线框架设置在对应的安装区域内，引线框架的两个侧面设有多个框架本体，框架本体用于设置铜片和封装结构，采用本实用新型的目的是，通过双面散热框架、跳线及封装结构，可在封装时，实现双面散热，增加散热途径，增大散热面积，增强散热效果，还可以降低热阻和导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。

公开(公告)号：CN220963321U

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202322752729.1

申请日：2023-10-12

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 唐正 ,  徐向涛 ,  夏大权 ,  闫瑞东 ,  唐鑫 ,  文晓东 ,  郭磊

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本实用新型属于半导体封装技术领域，提供一种芯片顶面散热的封装结构。本实用新型包括引线框架、芯片和封装体，所述引线框架包括框架本体和分别设置在所述框架本体两侧的左引脚和右引脚，所述左引脚和右引脚配置成用于抬高所述框架本体，且所述框架本体上设置有基岛；所述芯片设置在所述基岛上，所述芯片背离所述框架本体的一面连接有导热件；所述封装体封装于所述芯片、所述导热件和所述引线框架外部，且所述框架本体背离所述芯片的一面、所述左引脚和所述右引脚的末端均外露于所述封装体。本实用新型可以实现芯片顶面快速散热，提高封装结构的散热能力，有利于封装结构的温度维持在安全范围，提高封装结构的使用寿命。

公开(公告)号：CN217983334U

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202222292524.5

申请日：2022-08-30

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  闫瑞东 ,  郭磊 ,  马鹏 ,  周玉凤 ,  徐向涛 ,  马红强 ,  李述洲

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接框架以及封装结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元在朝向所述框架本体的一侧设置有凸台，所述跳线单元在背离所述框架本体的一侧设置有散热平面。本实用新型解决现有了技术中半导体器件在封装键合时采用引线键合散热性能差、导通电阻高、散热效果差和封装体积控制困难的问题，通过双面散热结构增大散热面积，通过框架与跳线单元的贴装焊接在缩减封装体积的同时有效降低导通损耗，使得电流承载能力得到巨大提高，有效增强散热效果。

公开(公告)号：CN221176217U

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202322582486.1

申请日：2023-09-21

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 唐鑫 ,  闫瑞东 ,  徐向涛 ,  夏大权 ,  唐正 ,  文晓东

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 本实用新型属于半导体微电子技术领域，具体公开了一种引脚内嵌式顶部散热封装结构，包括框架，框架上设有多个管脚，框架上设有引脚，框架内设有基岛，框架具有散热部，基岛设置在散热部上，散热部与管脚相对设置；芯片本体，芯片本体固定连接在基岛上，芯片本体上固定连接有连接件，连接件与引脚连接；塑封体，塑封体包裹框架，其中，散热部对应的框架区域未覆盖塑封体，本实用新型中通过将框架的一部分作为框架整体的散热部为，能够提升封装的散热性能，减少企业的生产成本。