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公开(公告)号：CN113930634A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111108563.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C22C1/05 , C22C9/00 , B22F3/14 , C22C32/00 , C01G3/02 , C01B32/956 , C01B33/158
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物，制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶，随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉，混合均匀后将其于800～950℃温度下进行热压烧结，即获得金属基复合材料；其中，所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01～0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相，通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角，改善界面结合状态、力学性能及电学性能；且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa；0～200℃电导率不随测试温度改变而变化，200～400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加，400～900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。
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公开(公告)号：CN113754440A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111271983.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/565 , C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于高温结构陶瓷技术领域，提供了一种SiC陶瓷材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1、将粒径不同的SiC颗粒进行不同的质量比例混合，然后加入聚碳硅烷，混合均匀后，得混合粉体；S2、将S1得到混合粉体装入模具中，对混合粉体预压后，采用振荡热压烧结，冷却得到SiC陶瓷材料。本发明采用不同粒径的SiC颗粒，按照不同比例进行颗粒级配，加入聚碳硅烷，在不添加烧结助剂条件下，通过振荡热压技术进行烧结以获得高致密度、高性能的无烧结助剂SiC陶瓷。
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公开(公告)号：CN118026180A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311391789.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/977 , C01B32/97 , C01B32/963 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种纳米碳化硅颗粒及其制备方法和应用，制备方法包括：用碳源和硅源制备前驱体，所述碳源和硅源的摩尔比为3～10:1；将前驱体压力成型后，进行微波烧结，得纳米碳化硅颗粒；微波烧结的温度变化为：以10～60℃/min的升温速率升温至800～1200℃，保温0.1～0.5h。本发明提供了纳米碳化硅颗粒制备的更多可能性，先制备前驱体、再进行微波烧结，从而得到了不同形貌的纳米碳化硅颗粒。本发明提出的纳米碳化硅颗粒的制备方法，可制备出粒径均匀、纯度高、高硬度的纳米碳化硅颗粒。该颗粒具有良好的韧性以及吸波性能，可应用于集成电路、纳米复合材料或吸波材料的制备。
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公开(公告)号：CN115582547B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211274146.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。
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公开(公告)号：CN116789443A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310331851.3
申请日：2023-03-31
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H05K9/00
Abstract: 本发明提供一种高熵铁氧体吸波材料及其制备方法，包括以下步骤：S1、将MnO、Co3O4、FeO、NiO、Cr2O3粉体原料均匀混合，得到混合粉体；S2、将混合粉体预压制坯后，利用微波烧结，烧结温度900～1200℃，保温时间0.5～1h，即得(MnCoFeNiCr)3O4高熵铁氧体吸波材料。该方法不仅提高了该吸波材料的吸波性能，而且有效的降低了该材料的合成成本，提高了合成效率。该方法制备的吸波材料易于加工，同时可以获得超宽带的吸波效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113754440B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202111271983.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/565 , C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于高温结构陶瓷技术领域，提供了一种SiC陶瓷材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1、将粒径不同的SiC颗粒进行不同的质量比例混合，然后加入聚碳硅烷，混合均匀后，得混合粉体；S2、将S1得到混合粉体装入模具中，对混合粉体预压后，采用振荡热压烧结，冷却得到SiC陶瓷材料。本发明采用不同粒径的SiC颗粒，按照不同比例进行颗粒级配，加入聚碳硅烷，在不添加烧结助剂条件下，通过振荡热压技术进行烧结以获得高致密度、高性能的无烧结助剂SiC陶瓷。
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公开(公告)号：CN115196990A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210927440.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/571 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于高温结构陶瓷技术领域，公开了一种多孔SiC陶瓷材料及其制备方法；所述制备方法为：将SiC颗粒与液态聚碳硅烷混合均匀后，压制成坯体；将坯体于1000～1300℃的温度下进行微波烧结处理，得到所述多孔SiC陶瓷材料。本发明通过在SiC颗粒中加入液态聚碳硅烷作为前驱体，并对其进行微波烧结处理，依靠微波独有的热效应，即微波耦合热效应和等离子体热效应，结合前驱体热解产生的气体在微波场的作用下被激发为等离子体，产生局部的瞬间高温把周边的SiC颗粒熔融固结到一起，同时前驱体热解产生的碳化硅也可以作为连接相存在于碳化硅颗粒之间，使合成的多孔SiC陶瓷具有优良的力学性能。
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公开(公告)号：CN115010385A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210779854.9
申请日：2022-07-04
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于硅酸盐水泥熟料生产技术领域，具体涉及一种SiC增强硅酸盐水泥熟料及其快速制备方法。制备方法包括以下步骤：S1、称取原料碳酸钙、二氧化硅、碳粉装入容器中，然后加入水后采用湿式球磨方式均匀混合，获得混合粉体；S2、将S1得到的混合粉体预压制坯后，采用微波烧结得到SiC增强硅酸盐水泥熟料。本发明提供了一种微波快速制备SiC增强硅酸盐水泥熟料的方法，该方法有效降低了传统制备硅酸盐水泥方法的合成时间和温度，并且SiC粉体的存在有效提高了水泥水化硬度。
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公开(公告)号：CN113264774A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110702201.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/565 , C04B35/65
Abstract: 本发明公开了一种晶种诱导微波合成的SiC晶体及其制备方法，涉及无机非金属材料技术领域。包括以下步骤：将硅粉、纳米碳黑及SiC晶种均匀混合后，获得混合粉体，再将混合粉体压制成坯体，随后采用微波加热，于800～1100℃保温15～30min合成SiC晶体，即得所述晶种诱导微波合成SiC晶体。本发明提供方法相比于工业上现用的晶种诱导技术，本文工艺将极大的降低SiC晶体合成的难度和工艺条件。微波加晶种复合诱导合成SiC具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112876237A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110256160.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种烧结过渡金属高熵陶瓷氧化物复合材料的制备方法，涉及高熵陶瓷材料技术领域。包括以下步骤：S1、分别称取MgO、CoO、NiO、CuO、ZnO粉体原料，均匀混合后，获得混合粉体；S2、对S1获得的混合粉体预压制坯后，于900～1300℃烧结0.5～1.5h，所述烧结采用微波进行烧结。即得(MgCoNiCuZn)O高熵陶瓷氧化物复合材料。本发明提供的制备方法制得(MgCoNiCuZn)O高熵陶瓷氧化物复合材料，有效的降低了(MgCoNiCuZn)O高熵陶瓷氧化物的合成成本，提高了合成效率。
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