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公开(公告)号：CN119430974A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411687615.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种快速制备Cf/SiC‑HfC复合材料的方法，属于特种陶瓷材料技术领域。1)热处理后的碳纤维布表面制备出热解碳界面层；2)将HfC粉体、烧结助剂、聚碳硅烷混合均匀调制成胶膜与带热解碳界面的碳纤维布进行复合，制备出碳陶瓷预浸料；3)将碳陶瓷预浸料在模具中铺层，加压固化后制备碳陶瓷树脂基复合材料；4)将碳陶瓷树脂基复合材料利用热压裂解制备出碳陶瓷复合材料；5)将碳纤维复合材料浸入前驱体溶液中真空压力浸渍、固化、裂解(PIP)1‑2轮即得致密化的Cf/SiC‑HfC复合材料。本发明的制备方法效率高，且制备的Cf/SiC‑HfC复合材料具有耐高温、抗氧化、抗烧蚀等性能，室温弯曲强度可达200‑400MPa，1800℃的抗弯曲强度在100MPa以上，氧乙炔焰1800‑2200℃考核经过300S后接近零烧蚀。
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公开(公告)号：CN115190756B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210771631.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H05K9/00 , C04B35/80 , C04B35/571
Abstract: 本发明涉及高温吸波材料技术领域，具体公开了一种三维点阵结构高温吸波材料，所述吸波材料自下而上，依次包括连续纤维增强陶瓷基复合材料下面板、三维损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料点阵结构、高阻型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料面板组成。本发明的三维点阵结构高温吸波材料，具有优异的宽频吸波性能，吸波频段覆盖1~18GHz；密度低，隔热性能优异，耐温性好，高温稳定性高。
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公开(公告)号：CN119285361A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411485015.1
申请日：2024-10-23
Applicant: 中国科学院赣江创新研究院 , 中国科学院过程工程研究所
IPC: C04B35/571 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种稀土元素掺杂复相连续碳化硅陶瓷纤维及其制备方法，所述制备方法包括陶瓷先驱体制备、熔融纺丝、空气交联、热解无机化和高温陶瓷化，本发明的制备方法中，经先驱体合成引入异质金属元素、稀土元素和硼元素，结合空气交联，提升了纤维内部的烧结性能，减少了纤维内部的自由碳含量，优化了碳化硅陶瓷纤维的晶界组成和结构，与现有的碳化硅纤维相比，制备成本低，制备得到的稀土掺杂的含金属硼化物复相碳化硅陶瓷纤维具有优异的力学性能、耐高温性能和抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN119059822A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411572448.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C04B35/571 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及导热材料技术领域，尤其涉及一种导热SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述复合材料的制备方法包括：A）将特定材质的二维纤维布和高温石墨化处理后的石墨烯薄膜交替堆叠后，采用纤维线缝合，得到预制体；B）将预制体进行高温脱粘处理；C）将处理后的预制体进行化学气相渗透处理，得到带有界面相的预制体；D）采用聚碳硅烷对步骤C）得到的预制体进行浸渍后，再进行交联，高温裂解；E）重复步骤D），直至复合材料的增重率小于3%，得到导热SiC陶瓷基复合材料。本发明制备的导热SiC陶瓷基复合材料拥有超高的导热各向异性，即其平面方向拥有超高热导率，但厚度方向几乎隔热。
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公开(公告)号：CN119039039A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310616581.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 宁波众兴新材料科技有限公司
IPC: C04B38/04 , C04B35/52 , C04B35/622 , C04B38/00 , C04B35/571
Abstract: 具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiC/C的制备方法，包括以下步骤：将直径均一的SiO2纳米球在溶剂中沉积成为模板；将聚甲基硅烷分散液倒入所述模板浸渍；在惰性气氛中热交联；陶瓷化热处理；在氢氟酸中浸渍；在活性气氛下热处理，即得到具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiC/C。与现有技术相比，本发明首次将先驱体转化技术、模板技术以及微孔碳层的原位生成技术相结合制备三维有序多孔材料；首次制备出具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiC/C陶瓷；该材料具有微孔和三维有序大孔结构，具有孔壁强度高，硬度大、耐高温性好、比表面积大等优点，并且制备方法工艺简单、实施方便、适于批量制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119039038A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310616564.7
申请日：2023-05-29
Applicant: 宁波众兴新材料科技有限公司
IPC: C04B38/04 , C04B38/00 , C04B35/571 , C04B35/622
Abstract: 具有双型孔结构的三维有序多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，将SiO2纳米球自组装成三维有序的模板；将聚甲基硅烷分散液倒入所述模板所在的容器中，浸渍；所得产物在含氧气氛中进行交联；在惰性气氛中热处理；在氢氟酸中浸渍，清洗干净，即成。本发明能制备出具有双型孔结构、高比表面积、三维有序的多孔SiC陶瓷，使三维有序多孔材料可用于高温、氧化，腐蚀环境中。
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公开(公告)号：CN118724594A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410711530.0
申请日：2024-06-03
Applicant: 河南锐瓷科技有限公司
IPC: C04B35/571 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于SiC陶瓷复合材料领域，公开一种β‑SiC陶瓷的制备方法，包括：以体积密度为2.35‑2.43g/cm3、开口孔隙密度为14‑16％的多孔β‑SiC陶瓷为基体，经过三阶段浸渍‑固化‑裂解工艺：以聚碳硅烷及聚硅氧烷为混合浆料，三个阶段的浸渍浆料之间形成浓度梯度、每阶段分别采用压力固化、分段裂解，并对最终的β‑SiC陶瓷进行CVI封孔处理，得到目标产品。本发明制备的β‑SiC陶瓷具有高纯度、高密度的特点，体积密度约为2.7‑3.0g/cm3，显气孔率为0.5‑4.5％，表观密度为2.8‑3.1g/cm3。
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公开(公告)号：CN118420366A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410537204.2
申请日：2024-04-30
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/571 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于复合材料技术领域，涉及一种非均衡2D碳/碳‑碳化硅复合材料的制备方法。本发明采用PAN基碳纤维单向碳布通过设计非均衡结构，调控X向和Y向碳纤维的比例分别为2～5:1，以酚醛树脂为粘结剂，采用热压成型法，制得非均衡结构2D复合材料坯体，然后将上述非均衡结构2D复合材料坯体经碳化石墨化处理，最后采用聚碳硅烷对试样浸渍热解来继续增密，获得均衡/非均衡2D碳/碳‑碳化硅复合材料，能够定向调控碳/碳‑碳化硅复合材料X向和Y向的热导率和弯曲强度。
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公开(公告)号：CN114395259B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111503738.6
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波杭州湾新材料研究院
Abstract: 本发明属于有机硅技术领域，涉及一种有机硅组合物，其包括有机硅聚合物和稳定剂；所述有机硅聚合物为含有不饱和基团的聚碳硅烷，所述稳定剂为能消耗自由基或者降低自由基活性的化合物。所述有机硅组合物具有室温空气环境中存储稳定性好、有机硅聚合物含量高、对有机硅聚合物结构适用性广、且能转化为碳化硅陶瓷的特征。
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公开(公告)号：CN116715526B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310679541.0
申请日：2023-06-09
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料及其制备方法，将含(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C高熵陶瓷粉末的浆料浸入C/C复合多孔坯体中获得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体，将C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体通过先驱体浸渍裂解工艺进行SiC基体致密化，即得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料，本发明不仅缩短了单独采用先驱体浸渍裂解法制备的周期，提高了制备效率，而且相对于单独采用先驱体浸渍裂解法可以大幅提高最终的密度，获得更加致密的陶瓷基体，降低了孔隙率，提高了复合材料的性能，还降低了工艺成本。
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