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公开(公告)号：CN115582547B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211274146.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。
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公开(公告)号：CN113718370B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111073327.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料制备技术领域，具体涉及一种中空碳化硅纤维的制备方法。通过调节碳源、硅源及磁性金属催化剂的配比，控制微波烧结的条件，可得到多种不同形貌的中空碳化硅纤维。发明采用微波烧结的方式，在磁性催化剂的作用下，制得具有中空结构的SiC纤维；于本申请中，采用微波烧结的方式，实现材料整体性加热、内外受热均匀、烧结效率高、速率快、缩短制备时间、提高能源利用效率，且制得了孔径尺寸分布均匀、纯度高且长径比大的中空碳化硅纤维。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115582547A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211274146.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。
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公开(公告)号：CN115231572A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210854756.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C01B32/921 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域，具体涉及一种纳米碳化钛粉体的制备方法。本发明以钛酸四丁酯及碳源为原料制得混合粉体，再通过埋覆微波透过材料以隔绝空气，并在烧结过程中通过SiO2的熔融形成壳结构，保护合成的碳化钛粉体在高温下不被氧化；采用微波烧结的方式制备出高纯的纳米碳化钛粉体，且实现了降低烧结温度、缩短制备时间、制备粒径小且粒径分布均匀的TiC粉体目的。
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公开(公告)号：CN113930634B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202111108563.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C22C1/05 , C22C9/00 , B22F3/14 , C22C32/00 , C01G3/02 , C01B32/956 , C01B33/158
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物，制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶，随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉，混合均匀后将其于800～950℃温度下进行热压烧结，即获得金属基复合材料；其中，所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01～0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相，通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角，改善界面结合状态、力学性能及电学性能；且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa；0～200℃电导率不随测试温度改变而变化，200～400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加，400～900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。
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公开(公告)号：CN113718370A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111073327.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料制备技术领域，具体涉及一种中空碳化硅纤维的制备方法。通过调节碳源、硅源及磁性金属催化剂的配比，控制微波烧结的条件，可得到多种不同形貌的中空碳化硅纤维。发明采用微波烧结的方式，在磁性催化剂的作用下，制得具有中空结构的SiC纤维；于本申请中，采用微波烧结的方式，实现材料整体性加热、内外受热均匀、烧结效率高、速率快、缩短制备时间、提高能源利用效率，且制得了孔径尺寸分布均匀、纯度高且长径比大的中空碳化硅纤维。
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公开(公告)号：CN113930634A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111108563.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C22C1/05 , C22C9/00 , B22F3/14 , C22C32/00 , C01G3/02 , C01B32/956 , C01B33/158
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物，制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶，随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉，混合均匀后将其于800～950℃温度下进行热压烧结，即获得金属基复合材料；其中，所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01～0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相，通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角，改善界面结合状态、力学性能及电学性能；且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa；0～200℃电导率不随测试温度改变而变化，200～400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加，400～900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。
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